A3290和A3291
斩波稳定，精密霍尔效应锁存器
消费和工业应用
特点和优点
对称道岔
抗物理应力
卓越的温度稳定性
输出短路保护
操作不受监管的供应
反向电池保护
固态可靠性
小尺寸封装
描述
在A3290和A3291霍尔效应锁存器是非常
温度稳定和抗应力的传感器，特别是
适合于工作在扩展级温度范围（高达
至125 ℃）。优异的高温性能是由
可通过动态偏移取消，从而降低
剩余偏移电压通常由器件封装引起的
超模压，温度依存性及热应力。该
两款器件都只是它们的磁开关点相同。
它们不是用于汽车应用。
这两个设备包括，在单个硅芯片上，一个电压调节器，
一个霍尔电压发生器，小信号放大器，斩波器
稳定，施密特触发器和具有短路保护
集电极开路输出，以吸收高达25 mA的电流。南极性
具有足够的强度的磁场，需要把输出
上。一个足够强度的极北场是必要的
关闭输出。板载稳压器允许操作
具有在4.2到24伏的范围内的电源电压。
两种封装类型提供磁性优化的封装
于大多数应用。 LH型是一款微型SOT23W低
型材表面贴装封装，并键入UA是一个三针
超小型SIP用于通孔安装。两种封装都
铅（Pb ）免费采用100％雾锡电镀引脚框。
封装： 3引脚SOT23W （后缀LH ） ，和
3引脚SIP （后缀UA ）
不按比例
功能框图
VCC
调节器
OUT
采样和保持
动态偏移
取消
LOW- PASS
滤波器
控制
AMP
电流限制
1
GND
A3290-DS
A3290
和
A3291
斩波稳定，精密霍尔效应锁存
为消费者和工业应用
选购指南
磁开关
*
产品型号
A3290KLHLT-T
A3290KUA-T
A3291KLHLT-T
A3291KUA-T
*
代数
填料
1
3000件每7英寸卷轴
每集装袋500件
3000件每7英寸卷轴
每集装袋500件
套餐类型
表面贴装SOT23W
通孔超小型SIP
表面贴装SOT23W
通孔超小型SIP
操作，B
OP
发行，B
RP
(G)
(G)
550的
10至100
-50至-5
-100至-10
用约定： （ + ）南极， （ - ）北极性。
绝对最大额定值
特征
电源电压
反向电池电压
输出电压OFF
连续输出电流
反向输出电流
磁通量密度
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
CC
V
RCC
V
OUT
I
OUT
I
大败
B
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围
器件提供内部电流限制，以帮助
保护自己免受输出短路
笔记
等级
26.5
–30
26
25
–50
无限
-40至125
165
-65 170
单位
V
V
V
mA
mA
G
C
C
C
引脚排列图
3
终端列表
名字
PTCT
PTCT
1
2
VCC
OUT
GND
LH
1
2
3
数
UA
1
3
2
功能
电源
产量
地
1
2
3
封装LH
封装UA
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马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
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2
A3290
和
A3291
斩波稳定，精密霍尔效应锁存
为消费者和工业应用
在工作温度范围电气特性，除非另有说明
特征
符号
测试条件
2
电源电压范围
V
CC
操作，T
J
< 165℃
输出漏电流
I
关闭
V
OUT
= 24 V ，B < B
RP
输出饱和电压
V
OUT （ SAT ）
I
OUT
= 20 mA时， B > B
OP
输出电流限制
3
I
ON
B > B
OP
上电时间
t
PO
V
CC
> 4.2 V
斩波频率
f
C
R
负载
= 820
Ω,
C
负载
= 20 pF的
输出上升时间
t
R
输出下降时间
t
F
R
负载
= 820
Ω,
C
负载
= 20 pF的
B < B
RP
, V
CC
= 12 V
电源电流
I
CC
B > B
OP
, V
CC
= 12 V
反向电池电流
I
RCC
V
RCC
= –30 V
齐纳电压
V
Z
+ V
D
I
CC
= 15毫安，T
A
= 25°C
齐纳阻抗
Z
Z
+ Z
D
I
CC
= 15毫安，T
A
= 25°C
!
典型
分钟。
4.2
–
–
30
–
–
–
–
–
–
–
28
–
典型值。
1
–
–
185
–
–
800
0.2
0.1
3.0
4.0
–
32
50
最大
24
10
500
60
50
–
2.0
2.0
8.0
8.0
–5.0
37
–
单位
V
μA
mV
mA
μs
千赫
μs
μs
mA
mA
mA
V
Ω
在T数据
A
= 25 ° C， 12 V
V
CC
必须降低了功耗和结温。请参阅应用信息。
2
最大
3
唯一的非-R设备选项。
磁特性
1
在V
CC
范围内，除非另有说明
特征
符号
A3290
操作点
2
B
OP
A3291
A3290
放点
3
B
RP
A3291
A3290
迟滞（B
OP
– B
RP
)
B
HYS
A3291
1
该
测试条件
T
A
= 25℃和T
A（最大值）
T
A
= –40°C
T
A
= 25℃和T
A（最大值）
T
A
= –40°C
T
A
= 25℃和T
A（最大值）
T
A
= –40°C
T
A
= 25℃和T
A（最大值）
T
A
= –40°C
T
A
= 25℃和T
A（最大值）
T
A
= –40°C
T
A
= 25℃和T
A（最大值）
T
A
= –40°C
分钟。
5
5
10
10
–50
–50
–100
–100
10
–
20
–
马克斯。
50
50
100
100
–5
–5
–10
–10
100
100
200
200
单位
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
正极性符号（+）表示南磁场和负极性符号（ - ）表示北磁场。
2
需要观察的极性和磁梯度通过B过渡。参见功能描述。
OP
3
需要观察的极性和磁梯度通过B B后的过渡。参见功能描述。
RP
OP
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115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
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3
A3290
和
A3291
斩波稳定，精密霍尔效应锁存
为消费者和工业应用
符号
测试条件*
封装LH ， 1层PCB铜限制在焊盘
封装LH ， 2层PCB与0.463英寸
2
铜面积每侧
通过热过孔连接
包装UA ， 1层PCB铜限制在焊盘
值单位
228
110
165
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
热特性可能需要降额在最大条件，请参阅应用信息
特征
封装热阻
R
θJA
*可在快板网站更多热量信息。
功率降额曲线
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
20
V
CC（ MAX）的
最大允许V
CC
(V)
2层PCB ，封装LH
(R
JA
= 110 C / W ）
1层PCB ，封装UA
(R
JA
= 165 C / W ）
1层PCB ，封装LH
(R
JA
= 228 C / W ）
V
CC（分钟）
40
60
80
100
120
140
160
180
温度（℃ ）
功耗与环境温度
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
功耗，P
D
（M W）
2-
l
（R赞成
rP
θ
J
C
A
=
11 B，P
0 交流
1-la
C /嘉
W
（R揭掉PC
） GE L
θ
JA
=
B，P
H
165
a
C / ckage
W)
UA
1-lay
ER P
(R
CB ，
θ
JA
=
228 Packag
摄氏度/ W
ê LH
)
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
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A3290
和
A3291
斩波稳定，精密霍尔效应锁存
为消费者和工业应用
功能说明
斩波稳定技术
霍尔元件可以被认为是类似的电阻器阵列
以惠斯登电桥。一个基本的电路示于图1中，
展示的磁场的磁通密度的效果，B
照射在霍尔元件上。当使用霍尔效应技
术，对开关点精确度的一个限制因素是小
信号电压V
HALL
横跨霍尔元件开发。这
电压是不成比例小相对于所述偏移量，可以
在霍尔元件的输出来生产，所造成的设备
超模压，温度依存性及热应力。
的偏差很大一部分是不匹配的结果
这些电阻。在A3290和A3291使用专用动态
偏移取消技术，连同内部高频
时钟，以减小ressidual偏移。斩波稳定
技术消除上述电阻电路由失配
改变流过霍尔电流的方向
元素。要做到这一点， CMOS开关和霍尔电压测量
精神疾病的水龙头的使用，同时维持V
HALL
信号，即是
由外部磁通感应。
该信号然后由一个取样与保持电路和进一捕获
采用低偏移双极性电路疗法处理。这种技术
产生在一个非常稳定的静态霍尔器件
输出电压，是免疫的热应力，并有精确的
温度循环后可恢复。这种技术也将
稍微降低器件输出的重复性。相对较高的
采样频率被使用，以处理速度更快的信号。
该电路的操作的更详细的描述可以发现
在快板网站，其中包括：技术文件STP 97-10 ，
单片磁性霍尔传感器使用动态正交
偏移消除，
技术论文STP 99-1 ，
斩波
稳定放大器，带有跟踪和保持信号解调
器。
手术
的A3290的A3291的输出和开关低（导通）时
磁场垂直于霍尔传感器转换
通过与超过定的阈值点，B
OP
。这是
示于图3的导通之后，输出能
下沉为25 mA，输出电压达到V
OUT （ SAT ）
.
+V
CC
B
+V
HALL
–V
HALL
图1霍尔元件，基本的电路动作
调节器
V+
滞后
ΔV
OUT
开关由于
ΔB
V
OUT （OFF）的
切换到高
切换到低
采样和保持
AMP
低
通
滤波器
V
OUT
V
OUT （上） （饱和的）
B
RP
B+
B
OP
B
HYS
图2.稳定斩波电路（动态偏移正交
取消）
图3.输出电压响应于感测到的磁通密度。
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