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0.4安培输出电流
IGBT门驱动光电耦合器
技术参数
HCPL-314J
特点
0.4最小峰值
输出电流
高速响应:
0.7
s最大。传播
延缓温度过高。范围
超高CMR :最小。
10千伏/
在νs的
CM
= 1.5千伏
Bootstrappable供应
电流:最大。 3毫安
宽工作温度。
范围: -40
°
℃至100
°
C
WIDE
V
CC
经营范围:
10 V至30 V温度过高。
范围
可提供DIP8 (单人间)
和SO16 (双路)封装
安全认证: UL
认可, 3750 V
RMS
1分钟。 CSA认证
待定。 VDE认证
待定VIORM = 891 V
PEAK
工作原理图
描述
本HCPL- 314J系列器件
组成的AlGaAs LED的
光学耦合到一个集成
电路具有功率输出级。
这些光电耦合器非常理想
适用于驱动功率IGBT
和用于马达的MOSFET
控制逆变器应用。该
的高工作电压范围
输出级提供的
所需的栅极驱动电压
控制的设备。电压
并通过该电流供给
光耦特性,非常
适用于直接驱动小
或中等功率IGBT 。为
的IGBT具有较高的收视率
HCPL- 3150 ( 0.5A )或HCPL- 3120
( 2.0A )的光电耦合器都可以使用。
N / C
阳极
阴极
1
2
3
16 V
CC
15 V
O
14 V
EE
阳极
阴极
N / C
6
7
8
11 V
CC
10 V
O
9
V
EE
HCPL-314J
真值表
LED
关闭
ON
V
O
应用
隔离式IGBT /功率
MOSFET栅极驱动器
交流和无刷直流电机
驱动器
逆变器设备
工业逆变器
开关模式电源
电源(SMPS )
不间断电源
电源(UPS )
A 0.1
F
旁路电容必须连接引脚V之间
CC
和V
EE
.
注意:建议在正常静止的预防措施,在处理这个组件和组装,以防止
破坏和/或降解可通过静电诱导。
2
选购指南
套餐类型
SO16
产品型号
HCPL-314J
信道数
2
订购信息
指定其次是选项数量零件号(如果需要的话)
例如:
HCPL-314J#YYY
没有选项= SO16封装。
500 =卷带式封装选项。
封装外形图
HCPL- 314J SO16封装:
顶视图
16 15 14
11 10
9
GND
1
V
CC1
V
O1
8.76 ± 0.20
(0.345 ± 0.008)
GND
2
7.49 ± 0.10
(0.295 ± 0.004)
HCPL-314J
V
IN1
V
IN2
NC
V
CC2
V
O2
V
2
7
1
2
3
6
NC
8
0.10 - 0.30
(0.004 - 0.0118)
STANDOFF
V
1
8.76 ± 0.20
(0.345 ± 0.008)
意见
PIN码16
0.64
( 0.025 MIN 。 )
意见
销1
3.51 ± 0.13
(0.138 ± 0.005)
0 - 8°
0.23
(0.0091)
10.36 ± 0.20
(0.408 ± 0.008)
1.27
0.457
(0.050)
(0.018)
0.016 ± 0.0003
(0.406 ± 0.007)
所有引线共面±0.05毫米( 0.002英寸) 。
尺寸以毫米(英寸) 。
3
焊锡溢流温度廓线
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
T
= 100℃ , 1.5 ℃/秒
T
= 145℃ , 1 ℃/秒
T
= 115℃ , 0.3 ℃/秒
法规信息
本HCPL- 314J未决
批准通过以下
组织:
VDE
根据VDE 0884 / 06.92审批
随着V
IORM
= 891 V
PEAK
预期
之前的产品发布。
UL
UL 1577认证下,
组件识别程序
高达V
ISO
= 3750 V
RMS
预期
之前的产品发布。文件
E55361.
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知# 5 ,文件CA
之前的产品预计88324
释放。
温度 - °C
时间 - 分钟
(注:使用非氯活化通量建议。 )
VDE 0884绝缘特性
描述
根据DIN VDE 0110 / 1.89 ,表1的安装分类网络阳离子
额定电源电压
150 V
RMS
额定电源电压
300 V
RMS
额定电源电压
600 V
RMS
气候分类
污染度( DIN VDE 0110 / 1.89 )
最大工作绝缘电压
输入到输出的测试电压,方法B *
V
IORM
X 1.875 = V
PR
, 100 %生产测试用
t
m
= 1秒,局部放电< 5件
输入到输出的测试电压,方法a *
V
IORM
×1.5 = V
PR
,类型和样品检验,t
m
= 60秒,
局部放电< 5件
最高允许过压
(暂态过电压吨
INI
= 10秒)
安全限定值 - 在允许的最大值
事件发生故障。
外壳温度
输入电流**
输出功率**
在T绝缘电阻
S
, V
IO
= 500 V
V
IORM
V
PR
符号
特征
I - IV
I - III
I-II
55/100/21
2
891
1670
V
PEAK
V
PEAK
单位
V
PR
V
IOTM
1336
6000
V
PEAK
V
PEAK
T
S
I
S, INPUT
P
S,输出
R
S
175
400
1200
>10
9
°C
mA
mW
*请参阅隔离和控制组件设计的目录的光耦部分,在产品安全条例
部, (VDE 0884 ),用于方法a的详细描述和b法局部放电试验的配置文件。
**请参考以下连接gure为P的依赖
S
S
在室温下进行。
4
输出功率 - P
S
,输入电流 - 我
S
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
P
S
( mW)的
I
S
(MA )
T
S
- 外壳温度 - °C
绝缘和安全相关规范
参数
最小外部气隙
(间隙)
最少的外部跟踪
(爬)
最小内部塑料峡
(游隙)
符号
L(101)
HCPL-314J
8.3
单位
mm
条件
从输入端测得的
至输出端,最短
空中距离过。
从输入端测得的
至输出端,最短
距离路沿身体。
穿通绝缘距离
导线的导体,通常
的直线距离
发射极之间的厚度
和检测器。
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
材料集团( DIN VDE
0110 , 1/89 ,表1)
L(102)
8.3
mm
0.5
mm
防跟踪
(相比漏电起痕指数)
隔离组
CTI
>175
IIIa受体
V
5
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度
平均输入电流
峰值瞬态输入电流( <1
s
脉冲
宽度, 300pps )
反向输入电压
“高”峰值输出电流
“低”峰值输出电流
电源电压
输出电压
输出功率耗散
输入功率耗散
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度廓线
符号
T
S
T
A
I
F( AVG)
I
F( TRAN )
V
R
I
OH (峰值)
I
OL (峰值)
V
CC
-V
EE
V
O(峰)
P
O
P
I
-0.5
-0.5
分钟。
-55
-40
马克斯。
125
100
25
1.0
3
0.6
0.6
35
V
CC
260
105
单位
°C
°C
mA
A
V
A
A
V
V
mW
mW
3
4
2
2
1
260 ℃,持续10秒。 ,1.6毫米以下飞机座位
SEE
封装外形图
部分
推荐工作条件
参数
电源
输入电流( ON)的
输入电压(OFF)的
工作温度
符号
V
CC
-V
EE
I
F(上)
V
F(关闭)
T
A
分钟。
10
8
-3.0
-40
马克斯。
30
12
0.8
100
单位
V
mA
V
°C
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    -
    -
    -
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