AMP-陷阱
-form 101
A30QS
功率损耗在额定电流
功率损耗( W)
安培
等级
1
2
3
4
5
6
7
8
10
12
15
20
25
30
35
40
45
50
60
70
80
90
100
125
130
150
类型1
0.9
1.0
1.4
1.7
2.0
2.3
2.6
3.0
4.0
4.9
6.4
8.8
10.5
12.4
6.4
7.0
9.0
9.9
11.6
11
11
13
13
16
16
19
类型4
安培
等级
175
200
225
250
275
300
350
400
450
500
550
600
700
800
900
1000
1200
1500
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
4500
半导体保护熔丝
清除我
2
吨,在300VDC , 100kA的, L / R = 10ms的
功率损耗( W)
类型4
27
30
33
41
44
47
49
56
53
59
65
69
90
108
128型
安培
等级
35
40
50
60
70
80
90
100
125
130
150
175
200
225
250
275
300
350
400
清除我
2
t
(A
2
s ×10
3
)
0.45
0.58
0.96
1.3
1.3
2.1
2.5
3.3
5.0
5.0
7.5
8.3
12
18
20
25
29
50
66
安培
等级
450
500
550
600
700
800
900
1000
1200
1500
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
4500
清除我
2
t
(A
2
s ×10
3
)
100
130
150
190
200
260
300
360
710
1200
1400
1600
2100
3300
4300
5900
7700
9900
73
84
94
105
110
140
150
170
190
230
340
380
450
500
功率损耗与额定电流的百分数
直流电压能力与电路的时间常数(毫秒)
校正因子功率损耗
类型4, 128
直流电压
类型4, 128
额定电流的百分数
L / R时间常数(毫秒)
D 10
AMP-陷阱
-form 101
A30QS
半导体保护熔丝
熔融时间 - 当前数据A30QS 1到60
熔融时间 - 当前数据A30QS 70 800
时间(秒)
时间(秒)
D
电流(A)
电流(A)
熔融时间 - 当前数据A30QS 700 4500
山顶设直通数据
电流(A)
最大Instantanius山顶设直通
时间(秒)
在RMS对称安培电流提供
D 11
AMP-陷阱
-form 101
A30QS
功率损耗在额定电流
功率损耗( W)
安培
等级
1
2
3
4
5
6
7
8
10
12
15
20
25
30
35
40
45
50
60
70
80
90
100
125
130
150
类型1
0.9
1.0
1.4
1.7
2.0
2.3
2.6
3.0
4.0
4.9
6.4
8.8
10.5
12.4
6.4
7.0
9.0
9.9
11.6
11
11
13
13
16
16
19
类型4
安培
等级
175
200
225
250
275
300
350
400
450
500
550
600
700
800
900
1000
1200
1500
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
4500
半导体保护熔丝
清除我
2
吨,在300VDC , 100kA的, L / R = 10ms的
功率损耗( W)
类型4
27
30
33
41
44
47
49
56
53
59
65
69
90
108
128型
安培
等级
35
40
50
60
70
80
90
100
125
130
150
175
200
225
250
275
300
350
400
清除我
2
t
(A
2
s ×10
3
)
0.45
0.58
0.96
1.3
1.3
2.1
2.5
3.3
5.0
5.0
7.5
8.3
12
18
20
25
29
50
66
安培
等级
450
500
550
600
700
800
900
1000
1200
1500
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
4500
清除我
2
t
(A
2
s ×10
3
)
100
130
150
190
200
260
300
360
710
1200
1400
1600
2100
3300
4300
5900
7700
9900
73
84
94
105
110
140
150
170
190
230
340
380
450
500
功率损耗与额定电流的百分数
直流电压能力与电路的时间常数(毫秒)
校正因子功率损耗
类型4, 128
直流电压
类型4, 128
额定电流的百分数
L / R时间常数(毫秒)
D 10
AMP-陷阱
-form 101
A30QS
半导体保护熔丝
熔融时间 - 当前数据A30QS 1到60
熔融时间 - 当前数据A30QS 70 800
时间(秒)
时间(秒)
D
电流(A)
电流(A)
熔融时间 - 当前数据A30QS 700 4500
山顶设直通数据
电流(A)
最大Instantanius山顶设直通
时间(秒)
在RMS对称安培电流提供
D 11