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R
EM微电子- MARIN SA
A3024
超低功耗的8位32千赫的RTC与
数字微调,用户RAM和高集成
特点
n
数字微调和温度补偿
设施
n
可以同步到50Hz或最近的S /分钟
n
50 ns访问时间为50 pF负载电容
n
在待机状态下的功率通常为1.2
m
A
n
通用接口与Intel和Motorola兼容
n
简单的8位接口,没有延迟或忙标志
n
16字节的用户内存
n
上电/在电源故障输入禁用关闭或重置
n
总线可以三态在电源故障模式
n
宽电压范围2.0 V至5.5 V
n
12或24小时的数据格式
n
时间到第二1/100
n
闰年的修正和周数计算
n
报警和定时器中断
n
可编程中断: 10毫秒, 100毫秒,秒或分钟
n
睡眠模式功能
n
可编程报警长达一个月
n
经过的时间长达24小时的计时器测量
n
温度范围:-40 + 85
O
C
n
封装DIP20和SO20
典型工作配置
WR或读/写
RD或DS
IRQ
中央处理器
地址
解码器
描述
该A3024是一款低功耗CMOS实时时钟。待机
电流通常为1.2
m
A和存取时间为50毫微秒。该
接口是8位,复用地址和数据总线。
地址和数据的多路复用是通过对输入行处理
A / D转换。有没有忙着标志的A3024 ,内部更新时间
周期是不可见的,用户的软件。时间数据可以是
从在12或24小时的数据格式的A3024读出。外部
信号放A3024处于待机模式。即使在待机状态时,
A3024拉动内部报警中断IRQ引脚低电平有效。
日历功能,包括闰年的修正和周
数计算。时间精度可以通过数字化实现
triming 。该A3024可同步至一个外部50赫兹
信号或到最近的第二次或分。
CS
RD
WR
地址总线
CS
IRQ
RD
X IN
WR
A3024
A / D
X OUT
AD0到AD7
数据总线
内存
图。 1
引脚分配
DIP20 / SO20
应用
n
n
n
n
n
工业控制器
报警系统定期唤醒
交换机和电话系统
销售终端点
汽车电子
SYNC
PF
AD0
AD1
AD2
AD3
A / D
IRQ
V
SS
X
IN
A3024
NC
AD7
AD6
AD5
AD4
RD
WR
CS
V
DD
X
OUT
图。 2
1
R
A3024
绝对最大额定值
参数
在V最大电压
DD
马克斯。电压其余引脚
分钟。电压上的所有引脚
最大存储温度
最低储存温度
最大静电放电
以MIL -STD- 883C方法3015
最大的焊接条件
符号条件
V
DDMAX
V
最大
V
T
STOmax
T
STOmin
V
SMAX
T
SMAX
V
SS
+ 7.0V
V
DD
+ 0.3V
V
SS
- 0.3V
+125
O
C
-55
O
C
1000V
250℃ X 10秒
O
或电场;但是,建议在正常的预防措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定,否则正确的操作只能发生在所有
端电压保持在电源电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑电压
的水平。
工作条件
参数
工作温度
逻辑电源电压
电源电压的dv / dt
(电&向下)
去耦电容
水晶特点
频率
负载电容
串联电阻
符号最小值。典型值。马克斯。单位
T
A
V
DD
dv / dt的
100
f
C
L
R
S
32.768
8.2 12.5
35
50
-40
2.0
+85
5.0 5.5
6
O
C
V
表1
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。曝光超越规定
操作条件下可能影响器件的可靠性和事业
故障。
V/
m
s
nF
千赫
pF
kW
表2
办理程序
该器件具有内置保护,防止高电压的静电
7
电气特性
V
DD
= 5.0V ± 10%, V
SS
= 0 V ,T
A
= -40至+85
O
C,除非另有规定编
参数
待机电流
1)
符号测试条件
I
DD
I
DD
V
DD
= 3 V , PF = 0
V
DD
= 5 V , PF = 0
CS = 4 MHz时, RD = V
SS
,
WR = V
DD
I
OL
= 8毫安
I
OH
= 1毫安, V
DD
= 2 V
T
A
= +25
0
C
T
A
= +25
0
C
I
OL
= 6毫安
I
OH
= 6毫安
T
A
= +25 C
V
ILS
= 0.8 V
V
SS
& LT ; V
IN
& LT ; V
DD
CS = 1
T
A
+25
O
C
0
分钟。
典型值。
1.2
2
马克斯。
10
15
1.5
单位
mA
mA
mA
动态电流
2)
IRQ (漏极开路)
输出低电压
输出低电压
输入和输出
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输出逻辑低电平
输出逻辑高电平
PF激活电压
PF滞后
拉在SYNC
输入漏
输出三态泄漏
振荡器特性
启动电压
启动时间
频率特性
频率容差
频率稳定度
温度稳定性
1)
V
OL
V
OL
0.4
0.4
V
V
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
PFL
V
H
I
LS
I
IN
I
TS
V
STA
V
STA
T
STA
DF /女
f
STA
t
STA
0.8
×
V
DD
2.4
0.5
×
V
DD
100
20
10
10
2
2.5
1
0.2
×
V
DD
0.4
1000
1000
V
V
V
V
V
mV
mA
nA
nA
V
V
s
T
A
= + 25℃地址。 10十六进制= 00 (十六进制)
3)
2.0
V
DD
5.5 V
地址。 10十六进制= 00 (十六进制)
O
210
1
参见图。五
4)
251
5
PPM
PPM / V
PPM
表3
2)
3)
4)
与PFO = 0 (Ⅴ
SS
)所有的I / O焊盘可三态,测试。
与PFO = 1 (Ⅴ
DD
) , CS = 1 (V
DD
)和所有其他I / O焊盘固定到V
DD
或V
SS
:同样的待机电流,未经测试。
所有其它输入到V
DD
和所有输出打开。
在给定的温度下进行。
见图。 4
2
R
A3024
典型待机电流在V
DD
= 5 V
I
DD
[
m
A]
5
4
3
2
1
0
-50
25
50
80
95
T
A
[ C]
图。 3
0
典型待机电流范围在V
DD
= 5 V
典型的频率上的IRQ
DF
PPM
F
0
250
200
150
100
50
0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
地址10进制= 00 (十六进制)
石英建议
32.768赫兹± 30 ppm的
与8.2 pF的电容负载
T
A
[
0
C]
图。 4
一个石英的特性
DF
F
0
[ PPM ]
-100
DF
PPM
2
= - 0.038
O
2
(T - T
O
) ±10%
F
O
C
DF /女
O
=在变化的频率的标称值之比
以ppm表示(它可以被认为是频率
偏差,在任何温度下进行。 )
O
=利息在C温度
T
O
T
O
=营业额的温度( 25 ± 5℃ )
以确定时钟误差(精度)在给定的温度下,加
O
在25℃下的频率容差,从所获得的值
上述公式。
T
O
-100
T
O
- 50
T
O
O
频率比[ PPM ]
ma
x.
-200
-300
-400
T
O
+50
温[C]
T
O
+100
T [
O
C]
.
图。五
3
R
A3024
时序特性
V
DD
= 5.0 ± 10%, V
SS
= 0 V和T
A
= -40 + 85℃
参数
片选期间,写周期
写脉冲的持续时间
两个转变之间的时间
1)
RAM的存取时间
2)
数据有效到高阻
3)
写数据建立时间
4)
数据保持时间
提前写入时间
PF响应延迟
上升时间(所有时序波形信号)
下降时间(所有时序波形信号)
5)
A / D转换后的CS延迟
CS延迟到A / D
1)
0
符号
t
CS
t
WR
t
W
t
t
DF
t
DW
t
DH
t
ADW
t
PF
t
R
t
F
t
位A / D
t
A / Dt的
测试条件
分钟。
50
50
100
典型值。
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表4
C
负载
= 50 pF的
10
50
10
10
50
30
60
40
100
200
200
5
10
t
从RD ( DS )或CS开始,无论最后激活
通常情况下,T
= 5 + 0.9 C
EXT
在纳秒;其中C
EXT
(外部寄生电容)是pF的
t
DF
从RD ( DS )或CS开始,无论哪个先停用
t
DW
结束于WR ( R / W)或CS ,取停用第一
t
DH
来自WR ( R / W)或CS开始,取停用第一
A / D一定要来之前, CS和RD或CS和WR组合。用户必须保证这一点。
2)
3)
4)
5)
时序波形
阅读时间为英特尔( RD和WR脉冲)和摩托罗拉( DS或RD引脚连接到CS和R / W)
t
F
CS
t
位A / D
A / D
t
CS
t
R
t
W
t
A / Dt的
RD / DS
t
t
DF
数据
数据有效
图。 6A
4
R
A3024
英特尔界面
写时序
t
CS
CS
t
位A / D
A / D
RD
t
WR
WR
t
DW
数据
t
DH
图。 6B
t
A / Dt的
t
W
数据有效
CS
RD
WR
A / D
有效的地址
有效数据
图。 6C
数据总线
D0到D7
CS
RD
WR
A / D
有效的地址
有效数据
图。 6D
数据总线
D0到D7
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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