A29DL323系列
32M位CMOS低电压双操作闪存
初步
4M字节由8位（字节模式） / 2M字×16位（字模式）
特点
n
两个银行的组织，可以同时执行
擦除/编程和读
n
银行组织： 2银行（ 8兆比特+ 24兆位）
n
存储器组织：
- 4,194,304字× 8位（字节模式）
- 2,097,152字×16位（字模式）
n
行业组织：
71部门（ 8千字节/ 4 K字× 8个扇区， 64字节/
32K字× 63个扇区）
n
2种部门的组织
- T的类型：分配到最高地址引导扇区
（部门）
- B型：分配给最低地址引导扇区
（部门）
n
三态输出
n
自动计划
- 程序暂停/恢复
n
解锁绕道程序
n
自动擦除
- 芯片擦除
- 扇区擦除（扇区可以自由组合）
n
擦除挂起/恢复
n
编程/擦除完成检测
- 通过检测数据轮询和触发位
- 通过检测RY /
BY
针
n
行业组保护
- 任何类别组可以得到保护
- 任何保护的类别组可以是临时的
无保护
n
扇区可用于启动应用程序
n
硬件复位和待机使用
RESET
针
n
自动休眠模式
n
引导块保护部门通过
WP
（ ACC ）引脚
n
符合通用闪存接口（CFI）
n
额外的一次性保护部门提供的
产品型号
ACCESS
时间
（ MAX 。 ）
工作电源电流待机
供应
（主动模式）
当前
电压
（ MAX 。 ）
（ MAX 。 ）
A29DL323
90ns
2.7V~
3.6V
16mA
30mA
5 A
n
工作环境温度： -40 85°C
n
编程/擦除时间
- 程序： 9.0微秒/字节（ TYP 。 ）
11.0微秒/字（ TYP 。 ）
- 扇区擦除： 0.7秒（ TYP 。 ）
n
项目编号/擦除： 1,000,000次（ MIN 。 ）
n
封装选项
-
48引脚TSOP （ I）或63球TFBGA
概述
该A29DL323是闪存举办33554432
位和71扇区。该内存部门可擦除
在低电压下（2.7 3.6 V）的单电源供给
源，或在整个芯片中的内容可以被擦除。
两种模式的内存组织，字节模式
（ 4,194,304字× 8位）和字模式（ 2,097,152
字× 16位） ，是可选择的，以使存储器可以是
以字节或字为单位进行编程。
该A29DL323可以同时其内容正在被读
擦除或编程。该存储单元被分成两个
银行。而在一家银行部门正在擦除或
编程时，数据可以从其他银行由于读
在同时执行的架构。该银行
8兆和24兆比特。
该闪存有两种类型。在T形有
位于最高地址（部门）的引导扇区和
B型具有最低地址（部门）的引导扇区。
由于A29DL323使引导扇区是
擦除，非常适合用于存储引导程序。此外，
用于控制快闪存储器可以是也程序代码
存储，并且该程序代码可以被编程或
擦除，而不需要将其加载到RAM中。八个小
设置扇区，用于存储参数，其中每一个
可以在8千字节为单位进行擦除。
一旦编程或擦除命令序列已
执行自动程序或自动擦除
函数内部执行程序或擦除和
自动验证。
因为A29DL323可电擦除或
通过写一条指令编程时，数据可以是
重新编程的板载之后，闪存有
安装在系统中，使得它适合于大范围的
应用程序。
初步
（ 2002年5月，版本0.0 ）
1
AMIC Technology，Inc.的
A29DL323系列
框图
VCC
GND
地址
缓冲器
银行地址2
地址锁存
X解码器
细胞矩阵
（银行2 ）
A0-A20
y解码器
Y型GATING
银行/机构
解码器
WP （ ACC ）
编程/擦除
电压发生器
RESET
WE
字节
CE
OE
状态
控制
（命令
注册）
SA / WC
I / O
0
- I / O
15
(A-1)
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
SA / WC
RY / BY
地址锁存
y解码器
Y型GATING
银行地址1
X解码器
细胞矩阵
（ BANK 1 ）
引脚说明
PIN号
A0 – A20
I / O
0
- I / O
14
I / O
15
I / O
15
(A-1)
A-1
描述
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出，字模式
LSB地址输入，字节模式
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位输入
模式选择
就绪/
忙
- 输出
写保护（加速）输入
地
电源
无连接
CE
WE
OE
RESET
字节
RY /
BY
WP
（ ACC ）
GND
VCC
NC
记
注意：
一些信号可以被应用，因为该管脚没有连接到该芯片的内侧。
初步
（ 2002年5月，版本0.0 ）
3
AMIC Technology，Inc.的
A29DL323系列
输入/输出引脚功能
引脚名称
A0到A20
输入/输出
输入
功能
地址输入引脚。
A0到A20采用不同的字节模式和WORD模式。
字节模式
A0至A20被用作总的22位地址输入引脚的上21位。
（最小显著位（ A- 1）的组合，以I / O的
15
.)
文字模式
A0至A20被用作21位地址输入管脚。
数据输入/输出管脚。
I / O
0
到I / O
14
使用不同的字节模式和WORD模式。
字节模式
I / O
0
到I / O
7
作为8位数据输入/输出管脚。
I / O
8
到I / O
14
是高阻。
文字模式
I / O
0
到I / O
14
被用作数据输入/输出引脚总数16比特的低15位。
（最显著位（I / O15 ）被合并到A -1 ）。
I / O
15
， A1采用不同的字节模式和WORD模式。
字节模式
所述至少显著地址输入管脚（ A-1）
文字模式
最显著数据输入/输出管脚（ I / O的
15
)
该引脚输入激活的芯片的信号。
当高电平时，芯片进入待机模式。
该引脚输入的读出操作的控制信号。
当高的水平，输出为高阻。
该引脚输入的写入操作控制信号。
当低的水平，命令输入被接受。
该引脚切换字节模式和WORD模式。
高级别：字模式（2M字×16位）
低电平：字节模式（ 4M字× 8位）
该引脚的输入硬件复位。
当低的水平，硬件复位被执行。
如果11.5至12.5 V施加到
RESET
，芯片进入临时机构组
取消保护模式。
该引脚指示是否正在执行自动程序/擦除。它使用
漏极开路。
低电平表示在此期间，设备在执行自动的忙碌状态
程序擦除。
高电平表示设备处于准备状态，并接受下一次的操作。在
这种情况下，该设备是在擦除暂停模式或待机模式。
该引脚选择引导块扇区保护模式或加速模式。
低电平：引导块（ 2扇区）被保护。
高层：引导块是不受保护的。
VACC级别：加速模式被选择。
电源电压
地
无连接
I / O
0
到I / O
14
输入/输出
I / O
15
, A-1
输入/输出
CE
OE
WE
输入
输入
输入
输入
字节
RESET
输入
RY
/ BY
产量
WP
（ ACC ）
输入
VCC
GND
NC
-
-
-
初步
（ 2002年5月，版本0.0 ）
4
AMIC Technology，Inc.的
A29DL323系列
绝对最大额定值*
存储温度（T
英镑
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
工作环境温度（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
输入/输出电压相对于GND
WP
（ ACC ） ，
RESET
. . . . . . . . . . . . -0.5V
Note1
到13.0V
除非所有的引脚
WP
（ ACC ） ，
RESET
. . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . -0.5V
Note1
至VCC + 0.4 （ 4.0V最大值）
Note2
电源电压相对于GND （ VCC ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.0V
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只。功能操作
该器件在这些或以上的任何其他条件
在这些业务部门的指示
规范是不是暗示或预期。接触
绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
工作环境温度（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.7V至+ 3.6V
注意事项：
1.
2.
-2.0V （最小） （脉冲宽度
≤
20ns)
VCC + 0.5V （最大） （脉冲宽度
≤
20ns)
巴士业务
下面的表显示了双重的操作模式
运行闪速存储器。在接通电源，输入
GND
±
0.2 V到
RESET
直到VCC
≥
VCC （分钟） 。
表1. A29DL323公交运营
手术
阅读（注）
写
字节模式
文字模式
字节模式
文字模式
CE
L
L
L
L
H
X
L
X
L
L
X
L
L
OE
L
L
H
H
X
X
H
X
L
L
X
H
H
WE
H
H
L
L
X
X
H
X
H
H
X
L
L
I / O
15
,
A-1
A-1
X
A-1
X
X
X
X
X
A-1
X
X
A-1
X
A6
A1
A0
待机
硬件复位/待机
输出禁用
临时机构撤消组
自动睡眠
模式
字节模式
文字模式
引导块扇区保护
加速模式
字节模式
文字模式
地址输入
地址输入
地址输入
地址输入
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
地址输入
地址输入
X
X
X
地址输入
地址输入
I / O
8
to
RESET
WP
I / O
15
（ ACC ）
数据输出
高阻
H
X
数据输出
H
X
数据输入
高阻
H
Note3
数据输入
H
Note3
高阻
高阻
H
X
高阻
高阻
L
X
高阻
高阻
H
X
HI- Z或
V
ID
Note3
数据输入/输出
数据输出
高阻
H
X
数据输出
H
X
HI- Z或
X
L
数据输入/输出
数据输入
高阻
H
VACC
数据输入
H
VACC
I / O
0
to
I / O
7
注意：当
OE
= V
IL
, V
IL
可以应用到
WE
。当
OE
= V
IH
时，开始写操作。
备注： 1， H： V
IH
， L： V
IL
, : V
IH
或V
IL
, V
ID
： 11.5 V至12.5 V， VACC ： 8.5 V至9.5 V
2.如果一个地址保持时间大于最小读出周期时间（t
RC
），自动睡眠模式被设置。
3.如果
WP
（ ACC ） = V
IL
，部门0,1,140和141受到保护。如果
WP
（ ACC ） = V
IH
，保护的部门0,1,140和141
取决于他们是否正在使用中的“部门/部门块描述的方法最后的保护或不受保护
保护和unprotection的“ 。如果
WP
（ ACC ） = V
HH
，所有部门将不受保护。
初步
（ 2002年5月，版本0.0 ）
5
AMIC Technology，Inc.的
A29DL32x系列
32兆位（ 4M ×8位/ 2M ×16位） CMOS 3.0伏只，
初步
文档标题
4M ×8位/ 2M x 16位的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存
修订历史
版本号
0.0
同时操作闪存
历史
创刊号
发行日期
2005年5月25日
备注
初步
导言（ 2005年5月，版本0.0 ）
AMIC技术股份有限公司
A29DL32x系列
32兆位（ 4M ×8位/ 2M ×16位） CMOS 3.0伏只，
初步
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 可提供不同大小的银行三大设备（参见
表2）
封装选项
-
48球TFBGA
-
48针TSOP
顶部或底部启动块
在0.18微米制程技术制造的
- 兼容AMD AM29DL32xD设备
兼容JEDEC标准
-
引脚排列和软件，单电源兼容
闪存标准
性能特点
高性能
-
存取时间快为70ns
-
节目时间：为7μs /字典型的利用加速
功能
超低功耗（典型值）
-
在1MHz 2毫安有效的读电流
-
在5MHz 10毫安有效的读电流
-
为200nA待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
-
可靠运行的系统的寿命
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
擦除暂停/删除恢复
-
暂停擦除操作，使编程
同一家银行
软件临时机构/部门块撤消命令
软件部门保护/撤消命令
同时操作闪存
数据
轮询和触发位
-
提供的检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
-
发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/
忙
输出（ RY /
BY
)
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
硬件复位引脚（
RESET
)
- 硬件复位内部状态机的方法
读取阵列数据
WP
/ ACC输入引脚
- 写保护（
WP
）功能可保护2
最外层的引导扇区，无论部门保护
状态
- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或
使用编程设备，以防止任何程序
或部门内部擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
导言（ 2005年5月，版本0.0 ）
1
AMIC技术股份有限公司
A29DL32x系列
概述
该A29DL32x系列包括32兆， 3.0伏，只
快闪存储器装置，组织成16 2097152字
每一比特或4,194,304字节，每字节8位。字模式数据
出现在I / O
0
-I / O
15
;字节模式的数据出现在I / O
0
-I / O
7
.
该设备被设计成在系统编程用
标准3.0伏的VCC电源，并且也可以编程
在标准EPROM编程器。
该设备是可用的以70 ， 80 ， 90，或访问时间
120纳秒。该器件采用48引脚TSOP和48球
细间距TFBGA 。标准控制引脚芯片使能（
CE
),
写使能（
WE
） ，以及输出使能（
OE
） - 控制
正常的读写操作，并避免总线冲突
问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
为
读取和写入功能。内部生成的，
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
A29DL32x特点
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC
单电源闪存命令集的标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。读出数据的
该装置类似于其它的Flash或EPROM读
设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成时通过使用设备
状态位：
RY /
BY
引脚， I / O
7
(
数据
轮询）和I / O
6
/ I / O
2
（触发位） 。
后一个程序或擦除周期已经完成，该
设备会自动返回到阅读阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据
其他部门的内容。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低VCC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。该
硬件部门保护
特征
禁用这两个程序在任何擦除操作
组合的内存部门。这可以实现
在-S S T ê米或通过编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已稳定的时间一个特定的编量
该器件进入
自动休眠模式。
该系统
还可以将设备插入
待机模式。
动力
消耗在这两种模式下大大降低。
同时读/写操作零
潜伏期
同时读/写架构提供
同时操作
通过将存储器空间划分为
两家银行。该装置可提高整个系统的
通过允许主机系统编程或擦除性能
在一家银行，然后立即同时读取
其他银行，零延迟。这将释放系统
从等待完成编程或擦除
操作。
该A29DL32x设备使用多个银行架构，
提供灵活性为不同的应用程序。三款器件都
可与这些银行的规模：
设备
DL322
DL323
DL324
银行1
4兆
8兆
16兆
2银行
28 MB
24 MB
16兆
初步
（ 2005年5月，版本0.0 ）
2
AMIC技术股份有限公司
QQ：2880707522 复制
