A28F010
1024K （ 128K ×8 ）的CMOS FLASH MEMORY
（汽车）
Y
汽车级温度范围
b
40℃
a
125 C
闪存芯片电擦除
1秒典型芯片擦除
快速脉冲编程算法
10
ms
典型的字节编程
2第二芯片计划
1000擦除程序周期最短
在汽车温度范围
12 0V
g
5% V
PP
高性能读
120 ns最大访问时间
CMOS低功耗
30毫安最大工作电流
300
mA
最大待机电流
Y
Y
综合方案擦除停止定时器
命令寄存器架构
微处理器微控制器
写兼容接口
噪声免疫功能
g
10% V
CC
公差
最大闭锁抗扰度
通过EPI处理
ETOX
TM
三，非挥发性闪存
技术
EPROM兼容的加工基地
大批量制造
经验
符合JEDEC标准的引脚排列
32引脚塑料DIP
32引脚PLCC
（见包装规格订单
231369)
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
英特尔28F010 CMOS闪存提供了读写最具成本效益和可靠的替代
随机存取非易失性存储器28F010加电芯片擦除和重新编程来熟悉
EPROM技术的存储器中的内容可以被改写的测试插座在PROM程序员插座导通
在最终测试中，并在系统中的系统组件测试过程中电路板售后的28F010增加
同时有助于时间和成本的节约内存的灵活性
该28F010是组织为131 072字节的8位Intel的28F010是1024千比特的非易失性存储器
32引脚塑料DIP或32引脚PLCC封装形式引脚分配符合JEDEC标准
扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX
TM
III（ EPROM隧道氧化）
工艺技术的高级氧化处理的优化隧道结构和较低的电场
结合扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM选用12 0V的V
PP
供应
28F010做得好内的快速脉冲的时间限制最少的1 000次擦除和编程
编程和快速擦除算法
英特尔28F010采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度低系统
功耗和抗噪声其120纳秒访问时间不提供等待状态perform-
ANCE适用范围广的300微处理器和微控制器的最大备用电流
mA
反
拉泰什到功率节省设备时，最后取消了最高程度的闭锁保护
通过英特尔独有EPI处理防止闩锁实现提供了应力高达100 mA的电流
从地址和数据引脚
b
1V至V
CC
a
1V
与英特尔的ETOX III过程中相应的28F010利用多年的经验， EPROM ，以产生最高
的质量可靠性和成本效益的水平
为了满足汽车应用的严格的环保要求英特尔提供的28F010
扩展汽车温度范围读出和写入的特性都保证在范围内
b
40℃
a
125 C环境
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
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版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290266-004
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