Ampson科技公司
A277
互补输出霍尔效应
锁存灌电流驱动器
特点
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片上的霍尔传感器与A277两种不同的敏感性和滞后设置。
内部带隙稳压器允许温度补偿操作和广泛
工作电压范围。
高输出下沉能力高达400mA的驱动较大的负载。
较低的电流变化速率在切换期间降低峰值输出电压。
建立在保护二极管芯片反向功率连接。
可提供裸片形式或崎岖的低调4引脚SIP封装。
概述
A277被集成霍尔传感器，适用于电子换向输出驱动器
无刷直流电机的应用。该装置包括一个片霍尔电压发生器
磁感应，比较，放大霍尔电压，以及施密特触发器
提供转换滞后的噪声抑制，以及互补集电极开路驱动器
对于那颗大电流负载。一个内部带隙调节器，用于提供
温度补偿的电压为内部电路，并允许一个宽的工作
电源电压范围。
如果磁通密度高于阈值的国际收支平衡表时，要做的就是开启（低）和出生日期是
断开（高） 。输出状态保持到下面的磁通密度下降逆转
BRP造成DO被关闭， DOB打开。
A277的额定工作在温度范围为-20
o
C至85
o
C和电压
范围为3.5V至20V 。该器件采用低成本的芯片形式或崎岖的4引脚可用
SIP封装。
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2001年12月26日REV.1.0
Ampson科技公司
应用
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无刷直流电机
无刷直流风扇
革命计数
速度测量
A277
功能框图
VCC
1
2
注册。
输出（ DO ）
HALL
传感器
3
OUTPUT （ DOB ）
4 VSS
引脚说明
277
XXX
1 ： Vcc的
2 ： DO
3 ： D0B
4 ：VSS
1 2 3
4
备注： XXX ：日期代码（例如： 52Z ）
52 ：周（前= >52 ： 52周35:35 WEEK ）
Z： YEAR （ EX = >Z ： DC2001 ， Y： DC2002 ， X： DC2003 ）
名字
VCC
DO
DOB
VSS
P / I / O
P
O
O
P
针＃
1
2
3
4
描述
正电源。
输出引脚
输出引脚
地
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绝对最大额定值
（在TA = 25
o
C )
电源电压Vcc的--------------------------------- 20V
倒V
CC
极性电压，V
RCC
-------------- -35V
磁通密度B ----------------------------无限
输出断电压的Vce -------------------------- 50V （注1 ）
输出ON电流， IC
连续-------------------------------- 400毫安
持有-------- ------- 500毫安
峰值（启动） --------------------------- 700毫安
工作温度范围，
TA -------------------------------------------- （ -20
o
C至+ 85
o
C)
存储温度范围，
TS --------------------------------------------- （ -65
o
C至+150
o
C)
封装功耗，
钯-------------------------------------------- 500mW的
最高结温， TJ ----------------------- 175
o
C
（注1 ）输出保护齐纳电压。
A277
电气特性
（ TA = + 25
o
C， VCC = 4.0V至20V ）
特征
符号
条件
民
低电源电压
VCE
VCC = 3.5V ， IL =百毫安
—
电源电压
VCC
—
3.5
输出饱和电压Vce （ sat）的VCC = 14V ， IL = 300毫安
—
输出漏电流
ICEX
VCE = 14V ， VCC = 14V
—
电源电流
ICC
VCC = 20V ，输出开路 -
VCC = 14V ， RL = 820Ω ，
输出上升时间
tr
—
CL=20pF
VCC = 14V ， RL = 820Ω ，
输出下降时间
tf
—
CL=20pF
VCC = 14V ， RL = 820Ω ，
切换时间差
t
—
CL=20pF
典型值最大值单位
0.4
—
V
—
20
V
300 600毫伏
＆ LT ;
0.1
10
uA
13
20
mA
3.0
0.3
3.0
10
1.5
10
us
us
us
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磁滞特性
A277
DOB
输出电压伏
RP
关闭
输出电压伏
12
10
8
6
4
ON
-200
-100
0
2
100
OP
200
关闭
A277
DO
12
10
8
6
4
RP
-200
-100
0
2
100
ON
200
OP
在高斯磁通密度
在高斯磁通密度
功耗VS.环境温度
TA（
o
C)
加入Pd（ mW）的
25 50 60 70 80 85 90 95 100 105 110 115 120
550 525 515 505 485 475 465 455 445 425 405 385 365
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N ú ê RV
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
T A （ C ）
P（D） （M W）
注意： TO92 4针（SIP -4L ）封装。
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互补输出霍尔效应
锁存灌电流驱动器
特点
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片上的霍尔传感器与A277两种不同的敏感性和滞后设置。
内部带隙稳压器允许温度补偿操作和广泛
工作电压范围。
高输出下沉能力高达400mA的驱动较大的负载。
较低的电流变化速率在切换期间降低峰值输出电压。
建立在保护二极管芯片反向功率连接。
可提供裸片形式或崎岖的低调4引脚SIP封装。
概述
A277被集成霍尔传感器，适用于电子换向输出驱动器
无刷直流电机的应用。该装置包括一个片霍尔电压发生器
磁感应，比较，放大霍尔电压，以及施密特触发器
提供转换滞后的噪声抑制，以及互补集电极开路驱动器
对于那颗大电流负载。一个内部带隙调节器，用于提供
温度补偿的电压为内部电路，并允许一个宽的工作
电源电压范围。
如果磁通密度高于阈值的国际收支平衡表时，要做的就是开启（低）和出生日期是
断开（高） 。输出状态保持到下面的磁通密度下降逆转
BRP造成DO被关闭， DOB打开。
A277的额定工作在温度范围为-20
o
C至85
o
C和电压
范围为3.5V至20V 。该器件采用低成本的芯片形式或崎岖的4引脚可用
SIP封装。
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应用
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无刷直流电机
无刷直流风扇
革命计数
速度测量
A277
功能框图
VCC
1
2
注册。
输出（ DO ）
HALL
传感器
3
OUTPUT （ DOB ）
4 VSS
引脚说明
277
XXX
1 ： Vcc的
2 ： DO
3 ： D0B
4 ：VSS
1 2 3
4
备注： XXX ：日期代码（例如： 52Z ）
52 ：周（前= >52 ： 52周35:35 WEEK ）
Z： YEAR （ EX = >Z ： DC2001 ， Y： DC2002 ， X： DC2003 ）
名字
VCC
DO
DOB
VSS
P / I / O
P
O
O
P
针＃
1
2
3
4
描述
正电源。
输出引脚
输出引脚
地
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绝对最大额定值
（在TA = 25
o
C )
电源电压Vcc的--------------------------------- 20V
倒V
CC
极性电压，V
RCC
-------------- -35V
磁通密度B ----------------------------无限
输出断电压的Vce -------------------------- 50V （注1 ）
输出ON电流， IC
连续-------------------------------- 400毫安
持有-------- ------- 500毫安
峰值（启动） --------------------------- 700毫安
工作温度范围，
TA -------------------------------------------- （ -20
o
C至+ 85
o
C)
存储温度范围，
TS --------------------------------------------- （ -65
o
C至+150
o
C)
封装功耗，
钯-------------------------------------------- 500mW的
最高结温， TJ ----------------------- 175
o
C
（注1 ）输出保护齐纳电压。
A277
电气特性
（ TA = + 25
o
C， VCC = 4.0V至20V ）
特征
符号
条件
民
低电源电压
VCE
VCC = 3.5V ， IL =百毫安
—
电源电压
VCC
—
3.5
输出饱和电压Vce （ sat）的VCC = 14V ， IL = 300毫安
—
输出漏电流
ICEX
VCE = 14V ， VCC = 14V
—
电源电流
ICC
VCC = 20V ，输出开路 -
VCC = 14V ， RL = 820Ω ，
输出上升时间
tr
—
CL=20pF
VCC = 14V ， RL = 820Ω ，
输出下降时间
tf
—
CL=20pF
VCC = 14V ， RL = 820Ω ，
切换时间差
t
—
CL=20pF
典型值最大值单位
0.4
—
V
—
20
V
300 600毫伏
＆ LT ;
0.1
10
uA
13
20
mA
3.0
0.3
3.0
10
1.5
10
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磁滞特性
A277
DOB
输出电压伏
RP
关闭
输出电压伏
12
10
8
6
4
ON
-200
-100
0
2
100
OP
200
关闭
A277
DO
12
10
8
6
4
RP
-200
-100
0
2
100
ON
200
OP
在高斯磁通密度
在高斯磁通密度
功耗VS.环境温度
TA（
o
C)
加入Pd（ mW）的
25 50 60 70 80 85 90 95 100 105 110 115 120
550 525 515 505 485 475 465 455 445 425 405 385 365
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N ú ê RV
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
T A （ C ）
P（D） （M W）
注意： TO92 4针（SIP -4L ）封装。
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QQ：2881677436 复制
