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A1391 , A1392 , A1393 , A1395和
微功率3 V线性霍尔效应传感器
withTri态输出和用户可选休眠模式
特点和优点
在睡眠模式下的高阻抗输出
兼容2.5至3.5 V电源供电
在主动模式下为10mW的功率消耗
微型MLP / DFN封装
成比例输出尺度与比例式电源
参考电压( VREF引脚)
温度稳定的静态输出电压,
灵敏度
较宽的环境温度范围: -20 ° C至85°C
ESD保护大于3千伏
固态可靠性
预设灵敏度和最终测试偏移
描述
该A139x系列线性霍尔效应传感器集成电路
(集成电路)提供的电压输出正比于
所施加的磁场。扩增前,灵敏度
典型的霍尔效应集成电路(以mV / G来衡量)直接
正比于流过霍耳效应电流
在集成电路内部的传感器元件。在许多应用中,它
难以实现足够的灵敏度水平与霍尔
效应传感器IC ,而无需耗费的电流超过300毫安。
该A139x电流消耗最小化到小于25
μA
通过增加一个用户可选择的睡眠模式。这使得
这些器件非常适合电池供电的应用,如:
移动电话,数码相机和便携式工具。最终用户
可以通过应用控制A139x的电流消耗
LEEP
逻辑电平信号给S 销。该器件的输出
无效(高阻抗模式),在睡眠模式。该
高阻抗输出功能允许多个的连接
A139x霍尔效应器件的单个A至D转换器的输入端。
这些设备的静态输出电压的50%的标称
适用于VREF引脚的比例式电源参考电压
该装置。该装置的输出电压不比例
相对于电源引脚。
包装: 6引脚MLP / DFN封装(后缀EH )
近似规模
续下页...
功能框图
VCC
所有的子电路
霍尔元件
调节器
R
/ 2
R
/ 2
VREF
动态偏移
取消
AMP
滤波器
OUT
OUT
收益
OFFSET
编程逻辑
睡觉
电路的参考电流
GND
1391 -DS ,第2版
A1391, A1392,
A1393和A1395
描述(续)
微功率3 V线性霍尔效应传感器与
三态输出和用户可选休眠模式
偏移取消电路。行结束,后期包装,出厂
编程允许器件灵敏度的精确控制和
抵消。
这些器件采用小尺寸2.0 ×3.0毫米, 0.75 mm标称
高度microleaded封装( MLP / DFN ) 。这是Pb(铅)免费,以
100 %雾锡电镀引脚框。
尽管该电路中A139x低功耗,
所需的功能,以产生高度精确的线性霍尔效应
IC并没有受到损害。每个BiCMOS单片电路
集成了霍尔元件,改进的温度补偿
电路,以降低霍尔元件固有的灵敏度漂移,
小型信号高增益放大器和专有动态
选购指南
产品型号
A1391SEHLT-T
A1392SEHLT-T
A1393SEHLT-T
A1395SEHLT-T
灵敏度
(MV / G ,典型值)。
填料
7项。卷轴, 3000件/卷
7项。卷轴, 3000件/卷
7项。卷轴, 3000件/卷
7项。卷轴, 3000件/卷
1.25
2.50
5
10
绝对最大额定值*
电源电压
反向电源电压
比例式电源参考电压
反成比例的电源参考电压
逻辑电源电压
反向逻辑电源电压
输出电压
反向输出电压
工作环境温度
结温
StorageTemperature
*所有参考评级至地
V
CC
V
RCC
V
REF
V
RREF
V
睡觉
V
R
睡觉
V
OUT
V
大败
T
A
T
J
(最大)
T
英镑
范围S
(V
CC
> 2.5V)
8
–0.1
7
–0.1
32
–0.1
V
CC
+ 0.1
–0.1
-20到85
165
-65 170
V
V
V
V
V
V
V
V
C
C
C
PIN- OUT框图
VCC
OUT
GND
1
2
3
6
5
4
VREF
睡觉
GND
终端列表表
1
2
3
4
5
6
名字
VCC
OUT
GND
GND
睡觉
VREF
供应
产量
切换睡眠模式
供应比例参考
功能
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2
A1391, A1392,
A1393和A1395
微功率3 V线性霍尔效应传感器与
三态输出和用户可选休眠模式
器件特性表
,有效期至整个工作环境温度范围内,除非另有说明电气特性
特征
电源电压
标称电源电压
供应齐纳钳位电压
成比例的参考电压
2
比例参考齐纳钳位电压
输入电压
睡觉
输入阈值
睡觉
符号
V
CC
V
CCN
V
CCZ
V
REF
V
REFZ
V
INH
V
INL
R
REF
f
C
I
睡觉
I
CC
PSR
VOQ
测试条件
I
CC
= 7毫安,T
A
= 25°C
I
VREF
= 3毫安,T
A
= 25°C
主动模式
睡眠模式
V
睡觉
& GT ; V
INH
, V
CC
= V
CCN ,
T
A
= 25°C
V
睡觉
& LT ; V
INL ,
V
CC
= V
CCN ,
T
A
= 25°C
V
CC
= V
CCN
, T
A
= 25°C
V
睡觉
= 3 V, V
CC
= V
CCN
V
睡觉
& LT ; V
INL ,
V
CC
= V
CCN ,
T
A
= 25°C
V
睡觉
& GT ; V
INH
, V
CC
= V
CCN ,
T
A
= 25°C
f
AC
< 1千赫
分钟。
2.5
6
2.5
6
–0.1
250
典型值。
1
3.0
8.3
8.3
0.45 × V
CC
0.20 × V
CC
5
200
1
0.025
3.2
–60
马克斯。
3.5
V
CC
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
千赫
μA
mA
mA
dB
成比例的参考输入电阻
斩波稳定斩波频率
输入电流
睡觉
供应
当前
3
静态输出电源抑制
4
1
典型的数据仅用于初始设计的估计,并假定最佳的制造和应用的条件下,如T = 25 ℃。性能
A
可以为单个的单元有所不同,在规定的最大和最小极限。
2
施加电压VREF引脚。需要注意的是在V
电压必须小于或等于V 。降解设备的精度会发生与应用
小于2.5 V的电压
3
如果VREF引脚连接到VCC引脚,电源电流将是我
4
f
AC
REF
cc
CC
+
V
REF
/ R
REF
的是,存在于供给线的任何交流分量的频率。
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3
A1391, A1392,
A1393和A1395
微功率3 V线性霍尔效应传感器与
三态输出和用户可选休眠模式
输出特性,通过整个工作环境温度范围,有效,除非另有说明
特征
输出电压饱和
范围
2
最大电压应用
输出
灵敏度
3
符号
V
OUTH
V
OUTL
测试条件
B =
X,
V
CC
= V
CCN
, V
REF
V
CC
B = -X ,V
CC
= V
CCN
, V
REF
V
CC
分钟。
15
典型值。
1
V
REF
– 0.1
0.1
1.25
2.50
5
10
0.500 × V
REF
20
4M
10
6
12
马克斯。
V
CC
+ 0.1
10
12
20
40
24
40
80
单位
V
V
V
毫伏/克
毫伏/克
毫伏/克
毫伏/克
V
Ω
Ω
nF
千赫
mV
pp
mV
pp
mV
pp
mV
pp
mV
pp
mV
pp
V
OUTMAX
V
睡觉
& LT ; V
INL
A1391牛逼
A
= 25 ° C,V
CC
= V
REF
= V
CCN
A1392牛逼
A
= 25 ° C,V
CC
= V
REF
= V
CCN
A1393牛逼
A
= 25 ° C,V
CC
= V
REF
= V
CCN
A1395牛逼
A
= 25 ° C,V
CC
= V
REF
= V
CCN
T
A
= 25 ° C, B = 0摹
f
OUT
= 1千赫,V
睡觉
& GT ; V
INH
主动模式
f
OUT
= 1千赫,V
睡觉
& LT ; V
INL
睡眠模式
输出对地
输出对地
-3 dB点,V
OUT
= 1 V
pp
正弦,
V
CC
= V
CCN
C
绕行
= 0.1
μF,
BW
externalLPF
= 2千赫
1391
C
绕行
= 0.1
μF,
空载
1392
1393
1395
C
绕行
= 0.1
μF,
空载
C
绕行
= 0.1
μF,
BW
externalLPF
= 2千赫
C
绕行
= 0.1
μF,
空载
C
绕行
= 0.1
μF,
空载
SENS
静态输出
输出电阻
4
输出负载电阻
输出负载电容
输出带宽
V
OUTQ
R
OUT
R
L
C
L
BW
噪音
5,6
V
n
1
典型
数据是用于初始设计估计只,并承担最佳的制造和应用的条件下,如T
A
= 25°C 。性能
可以为单个的单元有所不同,在规定的最大和最小极限。
2
该测试需要正和负的磁场足以使摆动的输出驱动器之间的完全关闭和饱和( ON)时,分别。该
向量的值
X
是不旨在表示一个范围的线性操作。
3
对于V
REF
值超过V等
REF
= V
CCN
0.416 ×V : ,灵敏度可以从下面的公式中导出
REF
.
4
f
是输出信号频率
OUT
5
噪声指标包括数字和模拟的噪声。
5
BW
externalLPF
不包括来自噪声对外部提供的参考电压VREF所引起的任何噪声。
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A1391, A1392,
A1393和A1395
微功率3 V线性霍尔效应传感器与
三态输出和用户可选休眠模式
输出时序特性
1
T
A
= 25°C
特征
上电时间
3
断电时间
4
1
SEE
2
典型
符号
t
PON
t
POFF
测试条件
分钟。
典型值。
2
40
1
马克斯。
60
单位
μs
μs
图1为明确的时间延迟。
数据是用于初始设计估计只,并承担最佳的制造和应用的条件下,如T
A
= 25°C 。性能
可以为单个的单元有所不同,在规定的最大和最小极限。
3
电源开启时间是在 引脚上的电压后的经过时间超过了活动模式的阈值电压V
睡觉
INH
,直到时间的装置输出
达到90 %的价值。当该装置的输出被装入的10nF的最大电容,上电时间范围时可保证输入
针频率低于10赫兹。
睡觉
4
关机时间是时间之间的时间当上了 引脚开关从高电平变为低电平,当我的信号
睡觉
CC
下降到低于100
μA.
在这段时间期间,输出进入高阻抗状态。
磁特性
T
A
= 25°C
特征
RATIOMETRY
RATIOMETRY
正线性
线性负
对称
符号
ΔV
OUTQ ( ΔV )
ΔSens
(ΔV)
LIN +
LIN-
符号
测试条件
分钟。
TYP 。 *
100
100
100
100
100
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
*典型的数据是用于初始设计估计只,并承担最佳的制造和应用的条件下,如T
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= 25°C 。性能
可以为单个的单元有所不同,在规定的最大和最小极限。
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