A1185
和
A1186
超灵敏双线现场可编程
稳定斩波型单极霍尔效应开关
目前。该A1185具有一个倒置的输出电流水平：开关
低
在足够的一南极磁场的存在下
强度，并
高
否则。
这两款器件均提供两种封装类型： LH ，采用SOT- 23W
小型薄型封装的表面贴装应用，并
UA ，一个三引脚超小型单列直插式封装（ SIP）的吞吐量
孔安装。所有封装均为无铅（ Pb）的免费版本
（后缀，
–T)
采用100％雾锡电镀引脚框。
工厂编程的版本也可以。参见： A1145
和A1146 。
描述（续）
另外，系统设计者获得固有的诊断
因为输出电流通过两种narrowly-正常流动
指定范围。这提供了独特的电流范围为我
OUT （H）的
我
OUT（L ）
。这两个范围之外的任何输出电流水平
为故障状态。
在A1185和A1186器件的其它特性包括片上
瞬态保护和齐纳二极管钳位在电源保护
对电源线路上的过压条件。
的A1186的开关的输出电流
高
在存在
南的极性的足够强度的磁场;和交换机
低
否则，包括当不存在显著磁场
选购指南
产品型号
A1185ELHLT-T
A1185EUA-T
A1185LLHLT-T
A1185LUA-T
A1186ELHLT-T
A1186EUA-T
A1186LLHLT-T
A1186LUA-T
1
Pb系
无铅
1
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
填料
2
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
MOUNTING
表面贴装
4引脚SIP通孔
表面贴装
4引脚SIP通孔
表面贴装
4引脚SIP通孔
表面贴装
4引脚SIP通孔
环境，T
A
(°C)
-40到85
产量
南（ + ）现场
3
电源电流低
输出，I
CC （L）的
（MA ）
低
-40至150
5 6.9
-40到85
高
-40至150
变种被淘汰的产品线。引用该脚注某些变种正在生产中，但已被确定为NOT FOR NEW
设计。这种分类表示，出售该设备目前仅限于现有的客户应用程序。该器件不应该用于新设计购买
应用程序，因为过时，在不久的将来很可能。样品将不再可用。状态变化： 5月1日， 2006年这些变体包括： A1185ELHLT ，
A1185EUA ， A1185LLHLT ， A1185LUA ， A1186ELHLT ， A1186EUA ， A1186LLHLT和A1186LUA 。
2
联系快板额外的包装选项。
3
南（+），磁场必须有足够的强度。
绝对最大额定值
特征
电源电压
反向电源电压
磁通量密度
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
CC
V
RCC
B
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
范围L
笔记
等级
28
–18
无限
-40到85
-40至150
165
-65 170
单位
V
V
G
C
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A1185
和
A1186
超灵敏双线现场可编程
稳定斩波型单极霍尔效应开关
电气特性
在整个工作电压和温度范围内，除非另有说明
特征
电源电压
1
电源电流
2
供应齐纳钳位电压
供应齐纳钳位电流
3
反向电源电流
输出摆
率
4
符号
V
CC
I
CC （L）的
I
CC （H）的
V
ZSupply
I
ZSupply
I
RCC
的di / dt
f
C
t
on
POS
经过工厂微调;使用和不使用
旁路电容（C
BYP
= 0.01
μF)
t
on
≤
t
开（ MAX）的
;
V
CC
压摆率> 25毫伏/微秒
测试条件
设备上电
B >B
OP
为A1185 ; B <B
RP
为A1186
B >B
OP
为A1186 ; B <B
RP
为A1185
I
CC
= I
CC （L） （最大）
+ 3毫安;牛逼
A
= 25°C
V
供应
= 28 V
V
RCC
= –18 V
无旁路电容;的电容
示波器进行测量
= 20 pF的
分钟。
3.5
5
12
28
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
36
200
–
高
马克斯。
24
6.9
17
40
9.9
1.6
–
–
25
–
单位
V
mA
mA
V
mA
mA
毫安/微秒
千赫
μs
–
斩波频率
上电时间
5
开机状态
6,7
1
V
CC
代表
2
相对值
之间的VCC引脚和GND引脚产生的电压。
乙的使用代数约定，其中正值表示南磁极，而负值表示北磁
极性;因此，更大的B值表示较强的南极磁场（或更弱的北极性字段，如果存在的话） 。
3
I
ZSupply （最大）
= I
覆铜板（最大）
+ 3毫安。
4
没有测VCC和GND之间的旁路电容。使用旁路电容会导致较慢的电流变化。
5
测量有和没有0.01旁路电容器
μF.
添加一个更大的旁路电容会导致较长的通电时间。
6
POS是德网络定义为真正的唯一的一起一伏
CC
25 mV转换速度/
μs
或更大。操作一起一伏
CC
压摆率小于25毫伏/
μs
可以永久伤害
器件的性能。
7
POS是理解过程把网络定义为吨>吨或B
on
RP
< B < B
OP
.
磁特性
1
在整个工作电压和温度范围内，除非另有说明
特征
可编程操作点范围
最初的操作点范围
开关点步长
2
编程的比特数
B的温度漂移
OP
迟滞
1
相对的
符号
B
OPrange
B
OPINIT
B
水库
–
测试条件
I
CC
= I
CC （L）的
为A1185
I
CC
= I
CC （H）的
为A1186
V
CC
= 12 V
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
开关点设置
编程锁定
分钟。
10
–
2
–
–
–
典型值。
–
–10
4
5
1
–
15
马克斯。
60
10
6
–
–
±20
30
单位
G
G
G
位
位
G
G
ΔB
OP
B
HYS
B
HYS
= B
OP
– B
RP
5
的B值，用代数约定，其中正值表示南磁极，而负值表示北磁
极性;因此，更大的B值表示较强的南极磁场（或更弱的北极性字段，如果存在的话） 。
2
值的范围特定网络版的B
水库
为最大，从累计的编程比特差错而得。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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3
A1185
和
A1186
超灵敏双线现场可编程
稳定斩波型单极霍尔效应开关
特性数据
I
CC （H）的
随环境温度
在V的各种含量
CC
（ A1185和A1186 ）
20
18
I
CC （H）的
（MA ）
V
CC
(V)
V
CC
(V)
16
14
12
10
3.5
12.0
24.0
3.5
12.0
24.0
I
CC （L）的
随环境温度
在V的各种含量
CC
（ A1185和A1186 ）
10
8
I
CC （L）的
（MA ）
6
4
2
0
-50
0
50
100
150
200
-50
0
50
100
150
200
环境温度，T
A
(°C)
环境温度，T
A
(°C)
B
OP
通过设置具体的编程位
V
CC
= 12 V T，
A
= 25°C
（ A1185和A1186 ）
70
60
50
40
30
20
10
0
–10
–20
0
1
2
3
位编号
4
5
6
40
35
30
B
HYS
(G)
25
20
15
10
5
-50
迟滞与环境温度
在V的各种含量
CC
（ A1185和A1186 ）
V
CC
(V)
3.5
12.0
24.0
B
OP
(G)
0
50
100
150
200
环境温度，T
A
(°C)
设备QUALI科幻阳离子计划
联系快板信息。
EMC （电磁兼容性）的要求
请联系您当地的销售代表对EMC的结果。
测试名称
ESD - 人体模型
ESD - 机型号
进行瞬态
直接RF注入
大电流注入
TEM细胞
参考特定网络阳离子
AEC-Q100-002
AEC-Q100-003
ISO 7637-2
ISO 11452-7
ISO 11452-4
ISO 11452-3
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4
A1185
和
A1186
超灵敏双线现场可编程
稳定斩波型单极霍尔效应开关
符号
测试条件*
封装LH ， 1层PCB铜限制在焊盘
封装LH ， 2层PCB与0.463英寸
2
铜面积每侧
通过热过孔连接
包装UA ， 1层PCB铜限制在焊盘
值单位
228
110
165
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
热特性可能需要降额在最大条件，请参阅应用信息
特征
封装热阻
R
θJA
*可在快板网站更多热量信息。
功率降额曲线
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
20
V
CC（ MAX）的
最大允许V
CC
(V)
2层PCB ，封装LH
(R
θJA
= 110 C / W ）
1层PCB ，封装UA
(R
θJA
= 165 C / W ）
1层PCB ，封装LH
(R
θJA
= 228 C / W ）
V
CC（分钟）
120
140
160
180
40
60
80
100
温度（℃ ）
功耗与环境温度
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
功耗，P
D
（M W）
2-
l
（R赞成
rP
θ
J
C
A
=
11 B，P
0 交流
1-la
C /嘉
W
（R揭掉PC
） GE L
θ
JA
=
B，P
H
165
a
C / ckage
W)
UA
1-lay
ER P
(R
CB ，
θ
JA
=
228 Packag
摄氏度/ W
ê LH
)
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
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115东北托夫，箱15036
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5
A1185和A1186
超灵敏双线现场可编程稳定斩波型
单极霍尔效应开关
在A1185和A1186的超灵敏，两线，单极霍尔效应开关。
该工作点，B
OP
，可现场编程，森的最终包装后
SOR和放置到应用程序中。这种先进的功能使optimiza-
的传感器的开关性能，有效地占变化
引起的安装公差的设备和目标磁体。
这系列器件的生产上器Allegro MicroSystems新DABIC5
BiCMOS晶片加工工艺，它实现了一个专利，高频率，
这实现了磁稳定和消除斩波稳定技术
中固有的暴露在恶劣的应用程序单元的设备的偏移量
化环境。在许多汽车应用中常见，
在A1185和A1186器件用于感测：座椅轨道位置，安全带
带扣存在，引擎盖/行李箱锁闭以及换档选择器位置。
双线单极开关是特别有利的，对价格敏感的应用程序
阳离子，因为它们需要一个导线比更传统的开放式collec-少
器输出开关。另外，系统设计者获得固有的诊断
因为输出电流通过两种狭窄的特定范围通常流动。
这提供了独特的电流范围为我
OUT （H）的
我
OUT（L ）
。任何输出电流
这两个范围之外的水平是一个故障状态。
1
2
3
封装LH ， 3引脚SOT
3
1. Vcc的
2.未连接
3. GND
NC
1
2
包装UA ， 3引脚SIP
1. Vcc的
2. GND
3. GND
在A1185和A1186器件的其它特性包括片上瞬态保护
化和齐纳二极管钳位在电源，以防止过压条件
系统蒸发散电源线路上。
的A1186的开关的输出电流
高
在一个南极的存在
磁场有足够的强度;和交换机
低
否则，包括当
没有显著磁场存在。的A1185具有倒置的输出
当前级别：开关
低
中的一个南极磁场的存在下
足够的强度，并
高
否则。
这两款器件均提供两种封装类型： LH ，采用SOT- 23W微型低
廓封装表面贴装应用，以及UA ，一个三引脚超小型
单列直插式封装（ SIP ），用于通孔安装。每包可
在铅（Pb）免费版（ SUF网络X，
–T)
采用100％雾锡电镀引脚框。
工厂编程的版本也可以。参见： A1145和A1146 。
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
..........................................
28 V
反向电源电压，V
RCC
........................
–18 V
磁通密度B .........................无限
工作温度
环境，T
A
，范围E ..................
-40 ° C至85°C
环境，T
A
，范围L ................
-40 ° C至150℃
最大结，T
J（下最大）
........................165C
贮藏温度，T
S
..................
-65C至170C
特点和优点
斩波稳定
低开关点漂移操作
温度范围
低应力敏感性
现场可编程优化
开关点
片上保护
供应瞬态保护
电池反向保护
板载稳压器
3.5 V至24 V工作电压
A1185 -DS ，第1版
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A1185和A1186
超灵敏双线现场可编程稳定斩波型单极霍尔效应开关
产品选择指南
产品型号
A1185ELHLT
A1185ELHLT-T
A1185EUA
A1185EUA-T
A1185LLHLT
A1185LLHLT-T
A1185LUA
A1185LUA-T
A1186ELHLT
A1186ELHLT-T
A1186EUA
A1186EUA-T
A1186LLHLT
A1186LLHLT-T
A1186LUA
A1186LUA-T
a
联系
PB-
免费
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
填料
a
MOUNTING
环境，T
A
(°C)
产量
南（ + ）现场
b
电源电流
低输出，我
CC （L）的
（MA ）
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
表面贴装
-40到85
4引脚SIP通孔
低
表面贴装
-40至150
4引脚SIP通孔
5 6.9
表面贴装
-40到85
4引脚SIP通孔
高
表面贴装
-40至150
4引脚SIP通孔
b
南
快板额外的包装选项。
（+），磁场必须有足够的强度。
功能框图
V+
VCC
程序/锁定
程序设计
逻辑
OFFSET
调整
调节器
时钟/逻辑
0.01 uF的
采样和保持
动态偏移
取消
LOW- PASS
滤波器
所有
子电路
AMP
GND
封装UA只
GND
A1185 -DS ，第1版
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2
A1185和A1186
超灵敏双线现场可编程稳定斩波型单极霍尔效应开关
电气特性
在整个工作电压和温度范围内，除非另有说明
特征
电源电压
1
电源电流
2
供应齐纳钳位电压
供应齐纳钳位电流
3
反向电源电流
输出摆
率
4
符号
V
CC
I
CC （L）的
I
CC （H）的
V
ZSupply
I
ZSupply
I
RCC
的di / dt
f
C
t
on
POS
经过工厂微调;使用和不使用
旁路电容（C
BYP
= 0.01
μF)
t
on
≤
t
开（ MAX）的
;
V
CC
压摆率> 25毫伏/微秒
测试条件
设备上电
B >B
OP
为A1185 ; B <B
RP
为A1186
B >B
OP
为A1186 ; B <B
RP
为A1185
I
CC
= I
CC （L） （最大）
+ 3毫安;牛逼
A
= 25°C
V
供应
= 28 V
V
RCC
= –18 V
无旁路电容;的电容
示波器进行测量
= 20 pF的
分钟。
3.5
5
12
28
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
36
200
–
高
马克斯。
24
6.9
17
40
9.9
1.6
–
–
25
–
单位
V
mA
mA
V
mA
mA
毫安/微秒
千赫
μs
–
斩波频率
上电时间
5
开机状态
6,7
1
V
CC
代表
2
相对值
之间的VCC引脚和GND引脚产生的电压。
乙的使用代数约定，其中正值表示南磁极，而负值表示北磁
极性;因此，更大的B值表示较强的南极磁场（或更弱的北极性字段，如果存在的话） 。
3
I
ZSupply （最大）
= I
覆铜板（最大）
+ 3毫安。
4
没有测VCC和GND之间的旁路电容。使用旁路电容会导致较慢的电流变化。
5
测量有和没有0.01旁路电容器
μF.
添加一个更大的旁路电容会导致较长的通电时间。
6
POS是德网络定义为真正的唯一的一起一伏
CC
25 mV转换速度/
μs
或更大。操作一起一伏
CC
压摆率小于25毫伏/
μs
可以永久伤害
器件的性能。
7
POS是理解过程把网络定义为吨>吨或B
on
RP
< B < B
OP
.
磁特性
1
在整个工作电压和温度范围内，除非另有说明
特征
可编程操作点范围
最初的操作点范围
开关点步长
2
编程的比特数
B的温度漂移
OP
迟滞
1
相对的
符号
B
OPrange
B
OPINIT
B
水库
–
测试条件
I
CC
= I
CC （L）的
为A1185
I
CC
= I
CC （H）的
为A1186
V
CC
= 12 V
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
开关点设置
编程锁定
分钟。
10
–
2
–
–
–
典型值。
–
–10
4
5
1
–
15
马克斯。
60
10
6
–
–
±20
30
单位
G
G
G
位
位
G
G
ΔB
OP
B
HYS
B
HYS
= B
OP
– B
RP
5
的B值，用代数约定，其中正值表示南磁极，而负值表示北磁
极性;因此，更大的B值表示较强的南极磁场（或更弱的北极性字段，如果存在的话） 。
2
值的范围特定网络版的B
水库
为最大，从累计的编程比特差错而得。
A1185 -DS ，第1版
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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3
A1185和A1186
超灵敏双线现场可编程稳定斩波型单极霍尔效应开关
特性数据
I
CC （L）的
随环境温度
在V的各种含量
CC
（ A1185和A1186 ）
10
8
I
CC （L）的
（MA ）
I
CC （H）的
（MA ）
V
CC
(V)
6
4
2
0
-50
0
50
100
150
200
3.5
12.0
24.0
20
18
V
CC
(V)
16
14
12
10
-50
0
50
100
150
200
3.5
12.0
24.0
I
CC （H）的
随环境温度
在V的各种含量
CC
（ A1185和A1186 ）
环境温度，T
A
(°C)
环境温度，T
A
(°C)
B
OP
通过设置具体的编程位
V
CC
= 12 V T，
A
= 25°C
（ A1185和A1186 ）
70
60
50
40
30
20
10
0
–10
–20
0
1
2
3
位编号
4
5
6
40
35
30
B
HYS
(G)
25
20
15
10
5
-50
迟滞与环境温度
在V的各种含量
CC
（ A1185和A1186 ）
V
CC
(V)
3.5
12.0
24.0
B
OP
(G)
0
50
100
150
200
环境温度，T
A
(°C)
设备QUALI科幻阳离子计划
联系快板信息。
EMC （电磁兼容性）的要求
请联系您当地的销售代表对EMC的结果。
测试名称
ESD - 人体模型
ESD - 机型号
进行瞬态
直接RF注入
大电流注入
TEM细胞
参考特定网络阳离子
AEC-Q100-002
AEC-Q100-003
ISO 7637-1
ISO 11452-7
ISO 11452-4
ISO 11452-3
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
www.allegromicro.com
4
A1185 -DS ，第1版
A1185和A1186
超灵敏双线现场可编程稳定斩波型单极霍尔效应开关
热特性可能需要降额在最大条件，请参阅应用信息
特征
符号
测试条件*
封装LH ， 1层PCB铜限制在焊盘
封装热阻
R
θJA
封装LH ， 2层PCB与0.463英寸
2
铜面积每侧
通过热过孔连接
包装UA ， 1层PCB铜限制在焊盘
*可在快板网站更多热量信息。
值单位
228
110
165
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
功率降额曲线
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
20
V
CC（ MAX）的
最大允许V
CC
(V)
2层PCB ，封装LH
(R
θJA
= 110 C / W ）
1层PCB ，封装UA
(R
θJA
= 165 C / W ）
1层PCB ，封装LH
(R
θJA
= 228 C / W ）
V
CC（分钟）
120
140
160
180
40
60
80
100
温度（℃ ）
功耗与环境温度
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
功耗，P
D
（M W）
2-
l
（R赞成
rP
θ
J
C
A
=
11 B，P
0 交流
1-la
C /嘉
W
（R揭掉PC
） GE L
θ
JA
=
B，P
H
165
a
C / ckage
W)
UA
1-lay
ER P
(R
CB ，
θ
JA
=
228 Packag
摄氏度/ W
ê LH
)
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
A1185 -DS ，第1版
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