A1120 ， A1121 ， A1122 ， A1125和
斩波稳定精密霍尔效应开关
特点和优点
单极开关点
抗物理应力
卓越的温度稳定性
输出短路保护
操作不受监管的供应
反向电池保护
固态可靠性
小封装尺寸
描述
在A1120 ， A1121 ， A1122 ， A1125和霍尔效应，单极
开关是极其温度稳定和抗应力
传感器IC ，特别适用于工作在扩展
温度范围为150℃。优异的高温
性能使得可以通过动态偏移
取消，这通常会降低剩余偏移电压
造成器件超模压，温度依存性及
热应力。
每个装置包括在单个硅芯片上的电压调节器，
霍尔电压发生器，小信号放大器，斩波
稳定，施密特触发器和短路保护
漏极开路输出，以吸收高达25 mA的电流。
板上稳压器允许使用电源电压
的3至24伏特操作下的优点，以3伏是
该装置可在3 V应用或用另外的可用于
串联的外部电阻与电源引脚更大
保护器件免受高压瞬态事件。
对于A1120 ， A1121 ， A1122和，足够南极
强度导通输出。除去磁场的
关掉输出。的A1125是互补的，在该对
这些设备，南极变成了A1125的输出关闭，
除去磁场的导通的输出。
两种封装类型提供磁性优化的封装
于大多数应用。包类型LH是改性SOT23W ，
表面贴装封装，而UA是三引脚超小型SIP
通孔安装。每个封装类型为铅（Pb ）免费
（后缀-T ） ，采用100 ％雾锡电镀引脚框。
包：
3引脚SOT23W （后缀LH ）
3引脚SIP （后缀UA ）
不按比例
功能框图
VCC
调节器
所有的子电路
AMP
采样和保持
动态偏移
取消
LOW- PASS
滤波器
VOUT
控制
电流限制
GND
A1120 -DS ，启示录12
A1120, A1121, A1122
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
选购指南
产品型号
A1120ELHLX-T
A1120ELHLT-T
2
A1120EUA-T
A1120LLHLX-T
A1120LLHLT-T
2
A1120LUA-T
A1121ELHLX-T
A1121ELHLT-T
2
A1121EUA-T
A1121LLHLX-T
A1121LLHLT-T
2
A1121LUA-T
A1122ELHLX-T
A1122ELHLT-T
2
A1122EUA-T
A1122LLHLX-T
A1122LLHLT-T
2
A1122LUA-T
A1125ELHLX-T
A1125EUA-T
A1125LLHLX-T
A1125LUA-T
*
联系快板
2
可用的
填料
1
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
散装， 500个/袋
MOUNTING
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
环境，T
A
开关点
（典型值）。
B
OP
B
RP
输出在南（正）
磁场
-40 ° C至85°C
35
-40 ° C至150℃
25
-40 ° C至85°C
95
-40 ° C至150℃
70
在（逻辑低电平）
-40 ° C至85°C
150
-40 ° C至150℃
125
-40 ° C至85°C
35
-40 ° C至150℃
25
关（逻辑高电平）
额外的包装选项。
只通过授权经销商快板。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
2
A1120, A1121, A1122
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
绝对最大额定值
特征
正向电源电压
反向电源电压
输出电压OFF
连续输出电流
反向输出电流
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
CC
V
RCC
V
OUT
I
OUT
I
大败
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
范围L
笔记
等级
26.5
–30
26
25
–50
-40到85
-40至150
165
-65 170
单位
V
V
V
mA
mA
C
C
C
C
引脚排列图
GND
3
封装LH
封装UA
1
VCC
2
VOUT
1
VCC
2
GND
3
VOUT
终端列表
名字
VCC
VOUT
GND
描述
连接电源芯片
从电路输出
地
数
封装LH封装UA
1
1
2
3
3
2
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
3
A1120, A1121, A1122
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
电气特性
合法有效的，整个工作电压和环境温度范围;除非另有说明
特征
电气特性
正向电源电压
V
CC
I
OUTOFF
操作，T
J
< 165℃
A1120,
A1121,
A1122
A1125
A1120,
A1121,
A1122
A1125
A1120,
A1121,
A1122
A1125
上电时间
3
斩波频率
输出上升时间
3,4
输出下降时间
3,4
t
PO
f
C
t
r
t
f
R
L
= 820
Ω,
C
S
= 20 pF的
R
L
= 820
Ω,
C
S
= 20 pF的
A1120,
A1121,
A1122
A1125
A1120,
A1121,
A1122
A1125
反向电源电流
供应齐纳钳位电压
齐纳阻抗
磁特性
A1120
操作点
B
OP
A1121
A1122
A1125
A1120
放点
B
RP
A1121
A1122
A1125
A1120,
A1125
A1121,
A1122
(B
OP
– B
RP
)
–
50
120
–
5
40
110
5
–
10
35
95
150
35
25
70
125
25
10
25
50
135
200
50
–
110
190
–
–
42
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
I
RCC
V
Z
I
Z
V
CC
= 12 V ，B > B
OP
V
CC
= 12 V ，B < B
RP
V
CC
= 12 V ，B < B
RP
V
CC
= 12 V ，B > B
OP
V
OUT
= 24 V ，B < B
RP
V
OUT
= 24 V ，B > B
OP
I
OUT
= 20 mA时， B > B
OP
I
OUT
= 20 mA时， B < B
RP
B > B
OP
B < B
RP
3
–
–
–
–
30
30
–
–
–
–
–
–
–
–
–
28
–
–
–
–
185
185
–
–
–
800
0.2
0.1
–
–
–
–
–
–
50
24
10
10
500
500
60
60
25
–
2
2
4
4
4
4
–5
–
–
V
μA
μA
mV
mV
mA
mA
μs
千赫
μs
μs
mA
mA
mA
mA
mA
V
Ω
符号
测试条件
分钟。
典型值。
1
马克斯。
单位
2
输出漏电流
输出饱和电压
V
OUT （ SAT ）
输出电流限制
I
OM
V
CC
> 3.0 V，B < B
RP
（分钟） - 10 G，
B > B
OP
（最大值） +10克
I
CC （ON）的
电源电流
I
CC （OFF）的
V
RCC
= –30 V
I
CC
= 5毫安;牛逼
A
= 25°C
I
CC
= 5毫安;牛逼
A
= 25°C
迟滞
B
HYS
1
典型
2
1
数据是在T
A
= 25° C和V
CC
= 12 V ，并仅作为初步设计估算。
G（高斯） = 0.1 MT（毫特斯拉） 。
3
按设备的设计和特性保证。
4
C =示波器探头电容。
S
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
4
A1120, A1121, A1122
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
热特性可能需要降额在最大条件，请参阅应用信息
特征
符号
测试条件
封装LH ， 1层PCB铜限制在焊盘
封装热阻
R
θJA
封装LH ， 2层PCB与0.463英寸
2
铜区域的每个
侧散热孔连接
包装UA ， 1层PCB铜限制在焊盘
值单位
228
110
165
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
20
40
功率降额曲线
T
J（下最大）
= 165C ;我
CC
= I
CC（ MAX）的
V
CC（ MAX）的
最大允许V
CC
(V)
封装LH ， 2层PCB
(R
JA
= 110 C / W ）
包装UA ， 1层PCB
(R
JA
= 165 C / W ）
封装LH ， 1层PCB
(R
JA
= 228 C / W ）
V
CC（分钟）
60
80
100
120
140
160
180
功耗与环境温度
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
功耗，P
D
（ mW）的
Pa
（R CKA
ge
JA
= 1 LH
10 , 2-
PAC
C奠定
/ W ER
KAG
(R
PC
)
eU
JA
=
A, 1
B
165
-
C /层
W)
PC
B
PAC
k
（R年龄LH
,1
JA
= 2
28 -layer
PCB
C / W
)
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
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5
A1120 ， A1121 ， A1125和
斩波稳定精密霍尔效应开关
特点和优点
单极开关点
抗物理应力
卓越的温度稳定性
输出短路保护
操作不受监管的供应
反向电池保护
固态可靠性
小封装尺寸
描述
在A1120 ， A1121 ， A1125和霍尔效应，单极开关
非常温度稳定和抗应力传感器
集成电路，特别适用于工作在扩展温度
范围为150℃。优异的高温性能是
动态偏移取消，得以实现其
减少残留偏移电压通常由设备引起的
超模压，温度依存性及热应力。
每个装置包括在单个硅芯片上的电压调节器，
霍尔电压发生器，小信号放大器，斩波
稳定，施密特触发器和短路保护
漏极开路输出，以吸收高达25 mA的电流。
板上稳压器允许使用电源电压
的3至24伏特操作下的优点，以3伏是
该装置可在3 V应用或用另外的可用于
串联的外部电阻与电源引脚更大
保护器件免受高压瞬态事件。
为A1120和A1121 ，具有足够强度的南极
导通的输出。除去磁场的接通
输出关闭。的A1125是互补的，在对于这些
设备，南极变成了A1125的输出关闭，并拆除
磁场导通的输出。
3引脚SIP （后缀UA ）
包：
3引脚SOT23W （后缀LH ）
不按比例
两种封装类型提供磁性优化的封装
于大多数应用。包类型LH是改性SOT23W ，
表面贴装封装，而UA是三引脚超小型SIP
通孔安装。每个封装类型为铅（Pb ）免费
（后缀-T ） ，采用100 ％雾锡电镀引脚框。
功能框图
VCC
调节器
所有的子电路
AMP
采样和保持
动态偏移
取消
LOW- PASS
滤波器
VOUT
控制
电流限制
GND
A1120 -DS修订版11
A1120, A1121
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
选购指南
产品型号
A1120ELHLX-T
A1120ELHLT-T
2
A1120EUA-T
A1120LLHLX-T
A1120LLHLT-T
2
A1120LUA-T
A1121ELHLX-T
A1121ELHLT-T
2
A1121EUA-T
A1121LLHLX-T
A1121LLHLT-T
2
A1121LUA-T
A1125ELHLX-T
A1125EUA-T
A1125LLHLX-T
A1125LUA-T
*
联系快板
2
可用的
填料
1
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
散装， 500个/袋
MOUNTING
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
环境，T
A
开关点
（典型值）。
B
OP
B
RP
输出在南（正）
磁场
-40 ° C至85°C
35
-40 ° C至150℃
在（逻辑低电平）
-40 ° C至85°C
95
-40 ° C至150℃
70
25
-40 ° C至85°C
35
-40 ° C至150℃
25
关（逻辑高电平）
额外的包装选项。
只通过授权经销商快板。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
2
A1120, A1121
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
绝对最大额定值
特征
正向电源电压
反向电源电压
输出电压OFF
连续输出电流
反向输出电流
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
CC
V
RCC
V
OUT
I
OUT
I
大败
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
范围L
笔记
等级
26.5
–30
26
25
–50
-40到85
-40至150
165
-65 170
单位
V
V
V
mA
mA
C
C
C
C
引脚排列图
GND
3
封装LH
封装UA
1
VCC
2
VOUT
1
VCC
2
GND
3
VOUT
终端列表
名字
VCC
VOUT
GND
描述
连接电源芯片
从电路输出
地
数
封装LH封装UA
1
1
2
3
3
2
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
3
A1120, A1121
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
电气特性
合法有效的，整个工作电压和环境温度范围;除非另有说明
特征
电气特性
正向电源电压
输出漏电流
V
CC
I
OUTOFF
操作，T
J
< 165℃
A1120,
A1121
A1125
输出饱和电压
V
OUT （ SAT ）
A1120,
A1121
A1125
输出电流限制
I
OM
t
PO
f
C
t
r
t
f
I
CC （ON）的
电源电流
I
CC （OFF）的
反向电源电流
供应齐纳钳位电压
齐纳阻抗
磁特性
操作点
B
OP
A1120,
A1125
A1121
放点
B
RP
A1120,
A1125
A1121
迟滞
1
典型
2
1
符号
测试条件
分钟。
3
–
–
–
–
30
30
–
–
典型值。
1
–
–
–
185
185
–
–
–
800
0.2
0.1
–
–
–
–
–
–
50
马克斯。
24
10
10
500
500
60
60
25
–
2
2
4
4
4
4
–5
–
–
单位
2
V
μA
μA
mV
mV
mA
mA
μs
千赫
μs
μs
mA
mA
mA
mA
mA
V
Ω
V
OUT
= 24 V ，B < B
RP
V
OUT
= 24 V ，B > B
OP
I
OUT
= 20 mA时， B > B
OP
I
OUT
= 20 mA时， B < B
RP
B > B
OP
B < B
RP
A1120,
A1121
A1125
上电时间
3
斩波频率
输出上升时间
3,4
输出下降时间
3,4
V
CC
> 3.0 V，B < B
RP
（分钟） - 10 G，
B > B
OP
（最大值） +10克
R
L
= 820
Ω,
C
S
= 20 pF的
R
L
= 820
Ω,
C
S
= 20 pF的
A1120,
A1121
A1125
A1120,
A1121
A1125
V
CC
= 12 V ，B > B
OP
V
CC
= 12 V ，B < B
RP
V
CC
= 12 V ，B < B
RP
V
CC
= 12 V ，B > B
OP
–
–
–
–
–
–
–
28
–
I
RCC
V
Z
I
Z
V
RCC
= –30 V
I
CC
= 5毫安;牛逼
A
= 25°C
I
CC
= 5毫安;牛逼
A
= 25°C
–
50
5
40
(B
OP
– B
RP
)
–
10
35
95
25
70
10
25
50
135
–
110
–
42
G
G
G
G
G
G
B
HYS
A1120,
A1125
A1121
数据是在T
A
= 25° C和V
CC
= 12 V ，并仅作为初步设计估算。
G（高斯） = 0.1 MT（毫特斯拉） 。
3
按设备的设计和特性保证。
4
C =示波器探头电容。
S
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
4
A1120, A1121
和A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
热特性可能需要降额在最大条件，请参阅应用信息
特征
符号
测试条件
封装LH ， 1层PCB铜限制在焊盘
封装热阻
R
θJA
封装LH ， 2层PCB与0.463英寸
2
铜区域的每个
侧散热孔连接
包装UA ， 1层PCB铜限制在焊盘
值单位
228
110
165
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
20
40
功率降额曲线
T
J（下最大）
= 165C ;我
CC
= I
CC（ MAX）的
V
CC（ MAX）的
最大允许V
CC
(V)
封装LH ， 2层PCB
(R
JA
= 110 C / W ）
包装UA ， 1层PCB
(R
JA
= 165 C / W ）
封装LH ， 1层PCB
(R
JA
= 228 C / W ）
V
CC（分钟）
60
80
100
120
140
160
180
功耗与环境温度
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
功耗，P
D
（ mW）的
Pa
（R CKA
ge
JA
= 1 LH
10 , 2-
PAC
C奠定
/ W ER
（R卡格
PC
)
UA
JA
=
B
, 1-
165
C /层
W)
PC
B
PAC
k
（R年龄LH
,1
JA
= 2
28 -layer
PCB
C / W
)
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
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5
A1120和
A1125
选购指南
产品型号
A1120ELHLX-T
A1120ELHLT-T
2
A1120EUA-T
A1120LLHLX-T
A1120LLHLT-T
2
A1120LUA-T
A1125ELHLX-T
A1125EUA-T
A1125LLHLX-T
A1125LUA-T
*
联系快板
2
可用的
斩波稳定精密霍尔效应开关
填料
1
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
散装， 500个/袋
13英寸卷轴， 10000个/卷
散装， 500个/袋
MOUNTING
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
3引脚SOT23W表面贴装
3引脚SIP通孔
环境，T
A
输出在南（正）
磁场
-40 ° C至85°C
在（逻辑低电平）
-40 ° C至150℃
-40 ° C至85°C
关（逻辑高电平）
-40 ° C至150℃
额外的包装选项。
只通过授权经销商快板。
绝对最大额定值
特征
正向电源电压
反向电源电压
输出电压OFF
连续输出电流
反向输出电流
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
CC
V
RCC
V
OUT
I
OUT
I
大败
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
范围L
笔记
等级
26.5
–30
26
25
–50
-40到85
-40至150
165
-65 170
单位
V
V
V
mA
mA
C
C
C
C
引脚排列图
GND
3
封装LH
封装UA
1
VCC
2
VOUT
1
VCC
2
GND
3
VOUT
终端列表
名字
VCC
VOUT
GND
描述
连接电源芯片
从电路输出
地
数
封装LH封装UA
1
1
2
3
3
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A1120和
A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
电气特性
合法有效的，整个工作电压和环境温度范围;除非另有说明
特征
电气特性
正向电源电压
输出漏电流
输出饱和电压
输出电流限制
上电时间
3
斩波频率
输出上升时间
3,4
输出下降时间
3,4
V
CC
I
OUTOFF
V
OUT （ SAT ）
I
OM
t
PO
f
C
t
r
t
f
I
CC （ON）的
电源电流
I
CC （OFF）的
反向电源电流
供应齐纳钳位电压
齐纳阻抗
磁特性
操作点
放点
迟滞
1
典型
2
1
符号
测试条件
操作，T
J
< 165℃
A1120
A1125
A1120
A1125
A1120
A1125
V
OUT
= 24 V ，B < B
RP
V
OUT
= 24 V ，B > B
OP
I
OUT
= 20 mA时， B > B
OP
I
OUT
= 20 mA时， B < B
RP
B > B
OP
B < B
RP
分钟。
3
–
–
–
–
30
30
–
–
典型值。
1
–
–
–
185
185
–
–
–
800
0.2
0.1
–
–
–
–
–
–
50
35
35
25
25
10
马克斯。
24
10
10
500
500
60
60
25
–
2
2
4
4
4
4
–5
–
–
50
50
–
–
–
单位
2
V
μA
μA
mV
mV
mA
mA
μs
千赫
μs
μs
mA
mA
mA
mA
mA
V
Ω
G
G
G
G
G
V
CC
> 3.0 V，B < B
RP
（分钟） - 10 G，
B > B
OP
（最大值） +10克
R
L
= 820
Ω,
C
S
= 20 pF的
R
L
= 820
Ω,
C
S
= 20 pF的
A1120
A1125
A1120
A1125
V
CC
= 12 V ，B > B
OP
V
CC
= 12 V ，B < B
RP
V
CC
= 12 V ，B < B
RP
V
CC
= 12 V ，B > B
OP
–
–
–
–
–
–
–
28
–
–
–
5
5
–
I
RCC
V
Z
I
Z
V
RCC
= –30 V
I
CC
= 5毫安;牛逼
A
= 25°C
I
CC
= 5毫安;牛逼
A
= 25°C
A1120
A1125
A1120
A1125
(B
OP
– B
RP
)
B
OP
B
RP
B
HYS
数据是在T
A
= 25° C和V
CC
= 12 V ，并仅作为初步设计估算。
G（高斯） = 0.1 MT（毫特斯拉） 。
3
按设备的设计和特性保证。
4
C =示波器探头电容。
S
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A1120和
A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
热特性可能需要降额在最大条件，请参阅应用信息
特征
符号
测试条件
封装LH ， 1层PCB铜限制在焊盘
封装热阻
R
θJA
封装LH ， 2层PCB与0.463英寸
2
铜区域的每个
侧散热孔连接
包装UA ， 1层PCB铜限制在焊盘
值单位
228
110
165
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
20
40
功率降额曲线
T
J（下最大）
= 165C ;我
CC
= I
CC（ MAX）的
V
CC（ MAX）的
最大允许V
CC
(V)
封装LH ， 2层PCB
(R
JA
= 110 C / W ）
包装UA ， 1层PCB
(R
JA
= 165 C / W ）
封装LH ， 1层PCB
(R
JA
= 228 C / W ）
V
CC（分钟）
60
80
100
120
140
160
180
功耗与环境温度
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
功耗，P
D
（ mW）的
Pa
（R CKA
ge
JA
= 1 LH
10 , 2-
PAC
C奠定
/ W ER
（R卡格
PC
)
UA
JA
=
B
, 1-
165
C /层
W)
PC
B
PAC
k
（R年龄LH
,1
JA
= 2
28 -layer
PCB
C / W
)
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
Allegro MicroSystems公司
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A1120和
A1125
斩波稳定精密霍尔效应开关
功能说明
手术
的A1120装置的输出变低（接通）时
磁场垂直于霍尔元件超过
操作点的阈值，B
OP
（参见图1的图A） 。当
磁场降低到低于释放点，乙
RP
时，设备
输出为高电平（关闭） 。的A1125装置的输出
开关高（关闭）时的磁场垂直于
霍尔元件超过了运营点的阈值，B
OP
（见
图1中的图B） 。当磁场被以下减压
释放点，B
RP
时，设备的输出变低（轮流） 。
导通之后，输出电压为V
OUT （ SAT ）
。输出转录
电阻就能够吸收电流高达短路电流
限，我
OM
，它是最少30毫安。
在磁操作和释放点的差的
迟滞，B
HYS ，
该装置。这个内置的滞后使得
的输出，即使在外部存在清洁开关
机械振动和电噪声。加电的设备
在滞后范围（小于乙
OP
而高于B
RP
）会
举一个不确定的输出状态。正确的状态达到
超越B第一次游览后
OP
或B
RP
.
应用
我们强烈建议使用外部旁路电容会
连接（在接近霍尔元件）之间的
该装置的电源和接地，以减少外部噪声
应用程序。如示出了图1中的图B中，一个0.1
μF
电容
是典型的。
霍尔效应devicers广泛应用信息
可用：
霍尔效应IC应用指南，
应用笔记27701
使用霍尔效应准则子装配体设计
设备，
应用笔记27703.1
焊接方法Allegro的产品 - SMT和吞吐量
孔，
应用笔记26009
所有在提供
快板电子数据手册，
AMS- 702 ，并
快板网站， www.allegromicro.com 。
V+
切换到高
切换到低
V
CC
V+
切换到高
切换到低
V
S
V
CC
VCC
V
OUT
V
OUT
R
L
VOUT
A1120
A1125
V
OUT （ SAT ）
C
BYP
0.1
μF
GND
产量
V
OUT （ SAT ）
0
B
RP
B
RP
0
B+
0
0
B
OP
B
HYS
B
OP
B
HYS
B+
(A)
(B)
(C)
图1.设备的开关行为。在图A和B中，在水平轴上，所述的B +方向表示增加南极磁场强度。
这种行为可以使用一个电路时，可以显示出例如在面板C所示。
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115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
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5
QQ：2881677436 复制
