A1015
PNP通用晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
TO-92
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
2
3
最大额定值* （
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
器件总耗散T
A
=25°C
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
价值
-50
-50
-5.0
-150
0.4
+150
-55到+ 150
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压，I
C
= -100μA ，我
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压，I
C
= -0.1mA ，我
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压，I
E
= -100μA ，我
C
= 0
集电极截止-O FF电流，V
CB
= -50V ，我
E
= 0
集电极截止-O FF电流，V
CE
= -50V ，我
B
= 0
发射器切割-O FF电流，V
EB
= -5.0V ，我
C
= 0
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
-
-
-
-
-
-
-50
-50
-5.0
-0.1
-0.1
-0.1
V
V
V
A
A
A
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/4
14-Feb-06
A1015
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
V
CE
= -6.0V ，我
C
=-2.0mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
基射极电压
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
TransitionFrequence
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ， F = 30MHz的
集电极输出电容
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
噪声系数
V
CE
= -6V ，我
C
= -0.1mA ， RG = 10kΩ的， F = 1KMHz
h
FE1
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
NF
70
-
-
400
-0.3
-1.1
-
-
6
-
-
-
-
19
-
V
V
兆赫
pF
dB
-
80
-
-
分类h及
FE1
秩
范围
O
70-140
Y
120-240
GR
200-400
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/4
14-Feb-06
A1015
典型特征
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
3/4
14-Feb-06
A1015
TO- 92外形尺寸
E
单位：mm
C
J
K
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
H
TO-92
民
最大
3.70
3.30
1.40
1.10
0.55
0.38
0.51
0.36
4.70
4.40
-
3.43
4.70
4.30
1.270TYP
2.44
2.64
14.10
14.50
B
L
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
D
A
4/4
14-Feb-06
A105
1
晶体管（ PNP ）
SOT-23
特点
高电压和高电流
优秀
FE
线性
低niose
补充C1815
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记： BA
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-50
-50
-5
150
200
125
-55-125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
TEST
条件
民
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
-0.1
130
400
-0.3
-1.1
80
V
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
I
C
= -100u A，I
E
=0
I
C
= -0.1mA ，我
B
=0
I
E
= -100 ü A，I
C
=0
V
CB
=-50V ,
V
CE
= -50V ,
V
EB
=- 5V,
V
CE
=-6V,
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
C
= -2mA
I
C
= -100毫安，我
B
= -10mA
I
C
= -100毫安，我
B
= -10mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
f=30MHz
分类
秩
范围
OF
h
FE
L
130-200
H
200-400
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
A1015
公司Bauelemente
-0.15A ， -50V
PNP塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
功耗
G
H
TO-92
J
分类h及
FE
产品等级
范围
A1015-O
70~140
A1015-Y
120~240
A1015-GR
200~400
K
A
B
D
1
辐射源
2
集热器
3
BASE
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
E
C
F
集热器
2
3
BASE
1
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
400
125, -55~125
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
70
-
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.1
400
-0.3
-1.1
-
7
6
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -0.1mA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
CE
= -50V ，我
B
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ， F = 30MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -6V ，我
C
= -0.1mA中，f = 1KHz的，
R
G
=10K
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04 -MAR - 2011版本B
第1页2
A1015
公司Bauelemente
-0.15A ， -50V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04 -MAR - 2011版本B
第2页2
2SA1015(L)
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
2SA1015(L)
音频放大器应用
低噪声放大器的应用
·
·
·
·
高电压和高电流： V
首席执行官
=
50
V（分钟）
I
C
=
150
毫安（最大）
优秀
FE
线性：H
FE
（ 2 ）= 80 （典型值），在V
CE
=
6
V，I
C
=
150
mA
: h
FE
(I
C
=
0.1
毫安） /小时
FE
(I
C
=
2
毫安） = 0.95 （典型值）。
低噪音： NF = 0.2分贝（典型值） （ F =
1
千赫）
补充2SC1815 （L ）
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-50
400
125
-55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92
SC-43
2-5F1B
重量：0.33克（典型值）
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE （1）
直流电流增益
（注）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
基地固有阻力
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
r
bb’
NF （1）
噪声系数
NF（ 2）
测试条件
V
CB
= -50
V，I
E
=
0
V
EB
= -5
V，I
C
=
0
V
CE
= -6
V，I
C
= -2
mA
V
CE
= -6
V，I
C
= -150
mA
I
C
= -100
妈，我
B
= -10
mA
I
C
= -100
妈，我
B
= -10
mA
V
CE
= -10
V，I
C
= -1
mA
V
CB
= -10
V，I
E
=
0
f
=
1兆赫
V
CB
= -10
V，I
E
=
1毫安
f
=
30兆赫
V
CE
= -6
V，I
C
= -0.1
mA
f
=
100赫兹，R
G
=
10千瓦
V
CE
= -6
V，I
C
= -0.1
mA
f
=
1千赫，R
G
=
10千瓦
民
70
25
80
典型值。
80
-0.1
4
30
0.5
0.2
最大
-0.1
-0.1
400
-0.3
-1.1
7
6
dB
3
V
V
兆赫
pF
W
单位
mA
mA
注：H
FE （1）
分类
○： 70 140 ， Y： 120 240 ， GR ： 200 400
1
2003-03-27
2SA1015(L)
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
3
2003-03-27
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6512 -B
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 2000年9月15日
页页次： 1/3
HSA1015
PNP外延平面晶体管
描述
该HSA1015被设计用于AF放大器的驱动器级和
通用的扩增。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 + 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 400毫瓦
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... -50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -5 V
IC集电极电流..................................................................................................... -150毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
-
120
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-300
-1.1
700
-
-
7
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
测试条件
IC = -100uA ， IE = 0
IC = -1mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -50V ， IE = 0
VEB = -5V ， IC = 0
IC = -100mA ， IB = -10mA
IC = -100mA ， IB = -10mA
VCE = -6V ， IC = -2mA
VCE = -6V ， IC = -150mA
VCE = -10V ， IC = -1mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz时， IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
中hFE1分类
秩
范围
Y
120-240
GR
200-400
BL
350-700
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO-92维
A
B
1 2
3
规格。编号： HE6512 -B
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 2000年9月15日
页页次： 3/3
α
2
标记：
HSMC标志
产品型号
日期代码
秩
产品系列
α
3
激光标记
HSMC标志
产品系列
C
D
产品型号
H
I
E
F
G
墨迹
类型：Pin 1.Emitter 2.Collector 3.Base
α
1
3引脚TO- 92塑料包装
HSMC包装代码：一个
* ：典型
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
分钟。
马克斯。
0.1704 0.1902
0.1704 0.1902
0.5000
-
0.0142 0.0220
-
*
0.0500
0.1323 0.1480
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.33
4.83
4.33
4.83
12.70
-
0.36
0.56
-
*
1.27
3.36
3.76
暗淡
G
H
I
α1
α2
α3
英寸
分钟。
马克斯。
0.0142 0.0220
-
*
0.1000
-
*
0.0500
-
*
5°
-
*
2°
-
*
2°
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.36
0.56
-
*
2.54
-
*
1.27
-
*
5°
-
*
2°
-
*
2°
注意事项：
1.Dimension和容忍的基础上我们的规格。年四月25,1996 。
2.Controlling尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
4.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的HSMC销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品，恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
总公司
（高诚微电子公司） ： 10F ，没有。 61 ，秒。 2 ，中山北路。台北台湾中华民国
联系电话： 886-2-25212056传真： 886-2-25632712 ， 25368454
工厂1 ：
38号，光复南路，福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话： 886-3-5983621 5传真： 886-3-5982931
工厂2 ：
17-1号，大安洞路，福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话： 886-3-5977061传真： 886-3-5979220
HSMC产品规格
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
UTC 2SA1015
PNP外延硅晶体管
低频PNP
晶体管放大器
特点
*集电极 - 发射极电压：
BV
首席执行官
=-50V
*集电极电流高达150mA
*高线性度的hFE
*补到2SC1815
1
TO-92
1 ：发射器2 ：收藏家3 ： BASE
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散
集电极电流
基极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Ic
I
B
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
400
-150
-50
125
-65 ~ +150
单位
V
V
V
mW
mA
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
COB
NF
测试条件
Ic=-100A,I
E
=0
Ic=-10mA,I
B
=0
I
E
=-10A,Ic=0
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,Ic=0
V
CE
=-6V,Ic=-2mA
V
CE
=-6V,Ic=-150mA
Ic=-100mA,I
B
=-10mA
Ic=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-10V,Ic=-1mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
Ic=-0.1mA,V
CE
=-6V
R
G
=1k,f=100Hz
民
-50
-50
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
70
25
-0.1
80
4.0
0.5
-100
-100
400
-0.3
-1.1
7.0
6
V
V
兆赫
pF
dB
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R201-004,A
UTC 2SA1015
秩
范围
PNP外延硅晶体管
Y
120-240
G
200-400
中hFE1分类
典型特性曲线
图1静态特性
-50
3
10
图2直流电流增益
2
-10
在图3的电压基射极
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
I
B
=-300
A
-30
H
FE
，直流电流增益
-40
V
CE
=-6V
2
10
V
CE
=-6V
1
-10
I
B
=-250
A
I
B
=-200
A
I
B
=-150
A
-20
1
10
0
-10
-10
I
B
=-100
A
I
B
=-50
A
0
-0
-4
-8
-12
-16
-20
0
10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
-10
-1
-10
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
集电极 - 发射极电压（ V）
IC ，集电极电流（毫安）
基极 - 发射极电压（V）的
图4饱和电压
1
-10
3
10
图5电流增益带宽
产品
2
10
图6集电极输出
电容
COB，电容（pF ）
-1
-10
Ic=10*I
B
电流增益带宽
产品中，f
T
（兆赫）
饱和电压（ V）
V
CE
=-6V
2
10
0
-10
V
BE
（SAT）
1
10
f=1MHz
I
E
=0
-1
-10
V
CE
（SAT）
1
10
0
10
-2
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
-10
0
10
-1
10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
-10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
集电极 - 基极电压（ V）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R201-004,A
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