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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
9N50
初步
功率MOSFET
9A ， 500V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
9N50
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC的先进技术，为客户提供平面条形和
DMOS技术。该技术允许的最小导通状态
电阻，优越的开关性能。它也能承受
在高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
9N50
一般适用于高效率开关模式
电源，有源功率因数校正和电子灯
基于半桥拓扑镇流器。
特点
* R
DS （ ON）
=0.85 @ V
GS
=10V
*高开关速度
*改进dv / dt能力
* 100 ％的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
9N50L-TF3-T
9N50G-TF3-T
引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
注意：
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-522.b
9N50
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
500
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续（T
C
=25°C)
I
D
9 （注5 ）
A
漏电流
36 （注5）
A
脉冲（注2）
I
DM
雪崩电流（注2）
I
AR
9
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
360
mJ
雪崩能量
13.5
mJ
重复（注4 ）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
44
W
P
D
减免上述25℃
0.35
W / ℃，
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 8mH ，我
AS
= 9A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
图9A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
5.漏电流受最高结温
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
2.86
单位
° C / W
° C / W
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QW-R502-522.b
9N50
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
= 400V ，T
C
=125°C
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
最小典型最大单位
500
V
1
A
10
100 nA的
-100 nA的
2.0
0.7
4.0
0.85
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=9A
门源费
Q
GS
（注1,2）
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 250V ，我
D
= 9A ，R
G
=25
上升时间
t
R
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
I
S
= 9A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/s
体二极管反向恢复时间
t
rr
（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
790 1030
130 170
24
30
28
4
15
18
65
93
64
35
45
140
195
125
9
36
1.4
335
2.95
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 6
QW-R502-522.b
9N50
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
同一类型
作为DUT
12V
200nF
50k
V
GS
DUT
3mA
300nF
V
DS
V
GS
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
电阻开关测试电路
电阻的开关波形
V
DS
R
G
I
D
BV
DSS
L
I
AS
E
AS
= 1李
AS2
2
BV
DSS
BV
DSS
-V
DD
10V
t
P
DUT
V
DD
V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
t
P
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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QW-R502-522.b
9N50
初步
功率MOSFET
测试电路和波形（续）
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
DUT
R
G
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
V
GS
（驱动器）
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
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QW-R502-522.b
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997MM
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93AA66BXISTG
9310-06-RC
93266
90143-0018
9-146469-0
93LC465A-E/CH
供货商
型号
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单价/备注
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