UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
9N100
初步
功率MOSFET
9A ， 1000V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
9N100
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC先进的技术，提供的costumers与平面条形
和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态
电阻和出色的开关性能。它也能承受
在高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
9N100
一般适用于高效率开关
式电源。
特点
* R
DS （ ON）
=1.7 @ V
GS
=10V
*开关速度快
* 100 ％的雪崩测试
*改进dv / dt能力
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
9N100L-T47-T
9N100G-T47-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-247
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
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QW-R502-735.a
9N100
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
参数
符号
评级
单位
漏源极电压
V
DSS
1000
V
栅极至源极电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流（T
C
=25°C)
I
D
9
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
36
A
雪崩电流（注1 ）
I
AR
9
A
单脉冲雪崩能量（注2 ）
E
AS
850
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.0
V / ns的
功率耗散（T
C
=25°C)
160
W
P
D
线性降额因子牛逼以上
C
=25°C
1.28
W / ℃，
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2， L =分别按27MH ，我
AS
= 9A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤9A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
4.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
50
0.78
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
测试条件
民
典型最大单位
V
V /°C的
10
A
100
A
±100 nA的
V
m
pF
pF
pF
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
1000
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=1000V, V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
= 800V ，T
C
=125°C
I
GSS
V
DS
=0V ,V
GS
=±30V
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
3.0
1.4
5.0
1200 1700
2475 3220
195 255
16
24
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
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初步
功率MOSFET
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
切换参数
（注1，注2 ）
总栅极电荷
Q
G
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
DS
=800V, V
GS
= 10V ，我
D
=8A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 500V ，我
D
= 8A ，R
G
=25
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
民
典型最大单位
53
13
23
50
95
122
80
70
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
110
200
254
170
9
36
1.4
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功率MOSFET
测试电路和波形
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
V
GS
（驱动器）
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
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功率MOSFET
测试电路和波形（续）
V
GS
Q
G
同一类型
作为DUT
12V
200nF
50k
V
GS
DUT
3mA
300nF
V
DS
10V
Q
GS
Q
GD
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
V
DS
R
G
I
D
BV
DSS
L
I
AS
E
AS
= 1李
AS2
2
BV
DSS
BV
DSS
-V
DD
10V
t
P
DUT
V
DD
V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
非钳位感应开关测试电路
时间
t
P
非钳位感应开关波形
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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