97SD3248
1.5GB SDRAM
8梅格×48位× 4银行
逻辑图
（一放大器）
内存
F
EATURES
:
1.5 Giggabit （ 8梅格×48位× 4 -银行）
RAD- PAK抗辐射对自然空间
辐射
总剂量硬度：
>100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应：
SEL
TH
> 85兆电子伏/毫克/平方厘米25°C
JEDEC标准的3.3V电源
时钟频率： 100 MHz工作
工作tremperature ： -55至+125°C
自动刷新
单脉冲RAS
2突发序列变异
顺序（BL = 1 /2/4 /8）
交错（ BL = 1/2/4/8 ）
可编程CAS延时： 2/3
掉电和时钟挂起模式
?? LVTTL兼容的输入和输出
封装： 132引脚四方协议栈包扁包
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“同步动态随机
存取存储器（SDRAM ）非常适合用于空间
需要高性能计算应用和
高密度存储器。随着微处理器
对于更高密度的MEM-增加速度和需求
储器升级， SDRAM中已被证明是最终的
通过提供位计数到1.5千兆和溶液
最高速度为100兆赫。 SDRAM的代表显
在超过传统的内存技术着的优势
DRAM中包括同步脉冲串的数据的能力
在高速率下具有自动列地址的产生，
银行前掩蔽之间交错的能力
充电时间
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
包装
技术结合辐射屏蔽的微
电路封装。它省去了框屏蔽
在轨道或太空任务的一生。在一个典型的GEO
轨道，R
AD
-P
AK
提供超过100 krads （SI ）
辐射剂量的耐受性。本产品可与
筛选了麦克斯韦技术自定义的类
K.
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引脚说明
97SD3248
VCC
NC
VSS
NC
D47
D31
D15
VSSQ
VCCQ
NC
CS6
CS4
CS2
CLK2
NC
DQM6
DQM4
DQM2
D46
D30
D14
VCCQ
VSSQ
D45
D29
D13
D44
D28
D12
NC
VSS
NC
VCC
VCC
VSS
NC
CKE6
CKE5
CKE4
CKE3
CKE2
CKE1
WE
A12
VSSQ
VCCQ
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
VCCQ
VSSQ
A4
A3
A2
A1
A0
BA1
BA0
RAS
CAS
VSS
VCC
VCC
NC
VSS
NC
NC
VSSQ
VCCQ
NC
CS5
CS3
CS1
CLK1
NC
DQM5
DQM3
DQM1
D35
D19
D3
VCCQ
VSSQ
D34
D18
D2
D33
D17
D1
D32
D16
D0
VSS
NC
VCC
内存
VCC
VSS
NC
D43
D27
D11
D42
D26
D10
D41
D25
D9
VSSQ
VCCQ
D40
D24
D8
D39
D23
D7
VCCQ
VSSQ
D38
D22
D6
D37
D21
D5
D36
D20
D4
VSS
VCC
该97SD3248下设6 ，8梅格×8位× 4 -银行，死亡。
CKE 1-6 ， 1-6的CS和DQM 1-6对应于模中的一个：
CKE1 ， CS1和DQM1控制D0 - D7
CKE2 ， CS2和DQM2控制D8 - D15
CKE3 ， CS3和DQM3控制D16 - D23
CKE4 ， CS4和DQM4控制D24 - D31
CKE5 ， CS5和DQM5控制D32 - D39
CKE6 ， CS6和DQM6控制D40 - D47
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‘
97SD3248
T
ABLE
1. A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
任何引脚相对于V电压
SS
电源电压相对于V
SS
短路输出电流
工作温度
储存温度
S
YMBOL
V
IN
V
OUT
V
CC
I
OUT
T
OPR
T
英镑
M
AX
-0.5 VCC + 0.5
（ < 4.6 （最大值） ）
-0.5到+4.6
50
-55到+125
-65到+150
U
NIT
V
V
mA
°C
°C
T
ABLE
2. R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
(V
CC
= 3.3V + 0.3V, V
CC
Q = 3.3V + 0.3V ，T
A
= -55
TO
125°C,
除非另有说明
)
S
YMBOL
M
IN
M
AX
1,2
V
CC
, V
CCQ
3.0
3.6
3
V
SS
, V
SSQ
0
0
1,4
输入高电压
V
IH
2.0
V
CC
+ 0.3
1,5
输入低电压
V
IL
-0.3
0.8
1.所有的电压被称为VSS
2.所有的电源电压
V
CC
和V
CCQ
销必须在同一水平上
3.与所有V电源电压
SS
和V
SSQ
销必须在同一水平上
4.
5.
V
IH
（最大值） -
V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度
<3ns
at
V
CC
V
IL
（分钟） =
V
SS
-2.0V脉冲宽度
<3ns
at
V
SS
P
ARAMETER
电源电压
U
NIT
V
V
V
V
内存
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
I
CC2NS
D
ESCRIPTION
工作电流
省电待机电流
V
ARIATION1
±10%
±10%
±10%
主动待机电流
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
I
CC3NS
1.
的值的±10％表4中指定的
T
ABLE
4.直流ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V + 0.3V, V
CC
Q = 3.3V + 0.3V ，T
A
= -55
TO
125°C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
工作电流
1,2,3
S
YMBOL
I
CC1
T
美东时间
C
ONDITIONS
突发长度CAS延时= 2
=1
CAS延时= 3
t
RC
=分钟
CKE = V
IL
t
CK
= 12 ns的
CKE = V
IL
t
CK
= 0
S
UBGROUPS
1, 2, 3
M
IN
M
AX
690
690
1, 2, 3
1, 2, 3
18
12
mA
mA
U
尼特
mA
在断电的待机电流
4
在断电的待机电流
（输入信号稳定）
5
I
CC2P
I
CC2PS
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T
ABLE
4.直流ê
LECTRICAL
C
极特
97SD3248
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
660
870
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
-3
-6
-1.5
2.4
1320
18
3
6
1.5
mA
mA
uA
uA
uA
V
M
IN
M
AX
120
54
24
18
180
90
U
尼特
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
(V
CC
= 3.3V + 0.3V, V
CC
Q = 3.3V + 0.3V ，T
A
= -55
TO
125°C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
待机电流在非掉电
6
待机电流在非掉电
7
（输入信号稳定）
在活动待机电流
1,2,4
掉电
在掉电主动待机电流
（输入信号稳定）
2,5
在非电力有源待机功耗
下
1,2,6
在非电力有源待机电流
向下（输入信号稳定）
2,7
突发工作电流
1,2,8
CAS延时= 2
CAS延时= 3
刷新当前
3
自刷新电流
9,10
输入漏电流 - CLK
输入漏电流 - 所有其他
输出漏电流
输出高电压
S
YMBOL
I
CC2N
I
CC2NS
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
I
CC3NS
I
CC4
T
美东时间
C
ONDITIONS
CKE ， CS = V
IH
t
CK
= 12 ns的
CKE = V
IH
t
CK
= 0
CKE = V
IL
t
CK
= 12 ns的
CKE = V
IL
t
CK
= 0
CKE ， CS1-6 = V
IH
t
CK
= 12 ns的
CKE = V
IH
t
CK
= 0
t
CK
=分钟
BL = 4
t
RC
=分钟
V
IH
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IL
< 0.2 V
0<V
LI
＆ LT ; V
CC
0<V
LI
＆ LT ; V
CC
0<V
LO
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4mA
内存
I
CC5
I
CC6
I
LI
I
LI
I
LO
V
OH
I
OL
= 4毫安
1, 2, 3
0.4
V
输出低电压
V
OL
1. I
CC1
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
CC1
（最大）被指定与输出开路。
2.一个银行业务
3.输入信号的每个时钟更换一次。
4.在掉电模式下， CLK工作电流。
5.在掉电模式下，没有CLK工作电流。
6.输入信号每两个时钟更换一次。
对于V 7.输入信号
IH
或V
IL
是固定的。
8.输入信号每四个时钟更换一次。
9.在自刷新模式设置，自刷新电流。
10.使用自刷新的温度低于70
° C 0
NLY
.
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T
ABLE
5. AC电气特性
97SD3248
M
IN
10
7.5
T
YPICAL
M
AX
U
NIT
ns
(V
CC
=3.3V + 0.3V, V
CC
Q = 3.3V + 0.3V ，T
A
= -55
TO
125°C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
系统时钟周期
1
（ CAS延时= 2 ）
（ CAS延时= 3 ）
CLK高脉冲宽度
1,7
CLK低脉冲宽度
1,7,
从CLK访问时间
1,2
（ CAS延时= 2 ）
（ CAS延时= 3 ）
数据输出保持时间
1,2,3
CLK到数据输出低阻抗
1,2,3,7
CLK到数据输出高阻抗
1,47,
（ CAS延时= 2 ， 3 ）
输入建立时间
1,5,6
CKE建立时间掉电退出
1
输入保持时间
1,6
REF /主动为参考/主动命令时期
1
主动到预充电命令期
1
主动命令列命令
1
（同一银行）
预充电到激活命令时期
1
写恢复或数据到预充电交货时间
1
有源（一）活动（二）指令周期
1
转换时间（上升和下降）
7
刷新周期
S
YMBOL
t
CK
S
UBGROUPS
9, 10, 11
t
长实
t
CKL
t
AC
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
2.5
2.5
6
6
ns
ns
ns
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
AS
, t
CS ，
t
DS
, t
CES
t
CESP
t
AH
, t
CH
, t
DH
t
CEH
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
DPL
t
RRD
t
T
t
REF
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
@ 105 °C
@ 85 °C
2.7
2
5.4
1.5
1.5
1.5
70
50
20
20
20
20
1
16
32
64
5
6.4
16
8
120000
ns
ns
ns
ns
内存
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
@ 70 °C
128
1. AC测量假设吨
T
= 1ns的。参考电平对输入信号的定时是1.5V 。
2.访问时间是在1.5V 。
3. t
LZ
（分） definesthe时间，让输出达到低阻抗状态。
4. t
HZ
（分钟）限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间。
5.传统文化表现形式定义CKE建立时间CLK上升沿除了掉电exit命令。
6. t
AS
/t
AH
：地址，T
CS
/t
CH
： / RAS ， / CAS ， / WE ， DQM
7.保证为设计的（未测试） 。
8.设备Charactreization保证为测试。 （未经100％测试）
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