废弃的设备
93LCS56/66
2K / 4K 2.5V微丝
串行EEPROM用软件写保护
特点
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 5
A
待机电流（典型值） ，在3.0V
X16内存组织
- 128x16 （ 93LCS56 ）
- 256×16 （ 93LCS66 ）
软件写入用户定义的内存保护
空间
自定时擦除和写入周期
WRAL前自动ERAL
开/关数据保护电源
工业标准的3线串行I / O
在E / W器件状态信号
连续读取功能
百万东/西次担保
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC和14引脚SOIC封装
支持的温度范围
- 商业（ C） ：
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
框图
V
CC
V
SS
内存
ARRAY
地址
解码器
地址
计数器
数据寄存器
DI
产量
卜FF器
DO
PRE
PE
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
发电机
描述
Microchip Technology Inc.的93LCS56 / 66低电压
年龄串行电可擦除的PROM内存
为2K比特/ 4K位的分别能力。一个写保护
寄存器被包括以提供一个用户去音响定义
写保护的内存区域。所有内存位置
大于或等于设置在写入地址
保护寄存器将受到保护，免受任何试图写
或擦除操作。另外，也可以保护
地址写保护注册永久使用
一个只有一次指令（ PRDS ） 。任何试图改变
在其地址寄存器中的数据等于或大于
不是存储在保护寄存器的地址将是
中止。先进的CMOS工艺使该器件
适用于低功率的非易失性存储器的应用程序。
封装类型
SOIC
NC
CS
DIP
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
93LCS56
93LCS66
8
7
6
5
V
CC
PRE
PE
V
SS
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
93LCS56
93LCS66
SOIC
8
7
6
5
V
CC
PRE
PE
V
SS
CLK
NC
DI
DO
NC
1
2
3
4
5
6
7
93LCS56
93LCS66
14
13
12
11
10
9
8
NC
V
CC
PRE
NC
PE
V
SS
NC
MICROWIRE是美国国家半导体股份有限公司的注册商标。
2004年Microchip的科技公司
DS11181E第1页
93LCS56/66
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1：
名字
CS
CLK
DI
DO
V
SS
PE
PRE
V
CC
引脚功能表
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
项目启用
保护注册启用
电源
V
CC
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 65 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护............................................. ... 4千伏
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件，在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
表1-2：
直流和交流电气特性
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0 ° C至+ 70°C
工业级（I ） ：
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
符号
民
2.0
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
-10
-10
—
—
—
—
最大
V
CC
+1
0.8
0.4
0.2
—
—
10
10
7
3
1
500
100
30
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
400
100
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
V
CC
≥
2.5V
V
CC
≥
2.5V
I
OL
= 2.1毫安; V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
A;
V
CC
= 2.5V
I
OH
= -400μA ; V
CC
= 4.5V
I
OH
= -100μA ; V
CC
= 2.5V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V到Vcc
V
IN
/V
OUT
= 0V （注1 & 2）
TAMB = + 25°C ; F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2 MHz的; V
CC
= 3.0V （注2 ）
F
CLK
= 2 MHz的; V
CC
= 6.0V
F
CLK
= 1 MHz的; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 6.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
DI = PE = PRE = V
SS
V
CC
≥
4.5V
V
CC
＆ LT ; 4.5V
V
IH
V
IL
V
OL
1
V
OL
2
高电平输出电压
V
OH
1
V
OH
2
输入漏电流
I
LI
输出漏电流
I
LO
引脚电容
C
IN
, C
OUT
（所有输入/输出）
工作电流
I
CC
写
I
CC
读
待机电流
I
CCS
时钟频率
F
CLK
—
时钟高电平时间
T
长实
250
250
时钟低电平时间
T
CKL
片选建立时间
T
CSS
50
芯片选择保持时间
T
CSH
0
片选低电平时间
T
CSL
250
PRE建立时间
T
PRES
100
PE建立时间
T
PES
100
PRE保持时间
T
PREH
0
PE保持时间
T
PEH
500
数据输入建立时间
T
DIS
100
数据输入保持时间
T
DIH
100
数据输出的延迟时间
T
PD
—
数据输出禁止时间
T
CZ
—
注1 ：此参数在测试环境温度Tamb = 25°C和F
CLK
= 1兆赫。
2：该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100pF的（注2）
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93LCS56/66
表1-2：
直流和交流电气特性
（续）
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0 ° C至+ 70°C
工业级（I ） ：
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
参数
状态有效时间
项目周期
符号
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
民
最大
500
10
15
30
—
单位
ns
ms
ms
ms
周期
条件
CL = 100 pF的
擦/写模式（注3 ）
ERAL模式
WRAL模式
25 ° C， VCC = 5.0V ，块模式
（注4 ）
耐力
1M
3 ：典型的程序循环时间是每字4毫秒。
4 ：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序中估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
表1-3：
指令集93LCS56 * / 66
93LCS56 / 66 （ ×16组织）
指令操作码SB
读
EWEN
抹去
1
1
1
10
00
11
地址
A7 - A0
11XXXXXX
A7 - A0
DATA IN
—
—
—
数据输出
D15-D0
高-Z
（ RDY /
BSY ）
（ RDY /
BSY ）
（ RDY /
BSY ）
（ RDY /
BSY ）
高-Z
A7-A0
高-Z
PRE
0
0
PE
X
1
1
评论
读出存储在存储器中的数据，起动
荷兰国际集团在特定网络版地址（ 。注） 。
擦除/写使能必须在前面所有
编程模式。
删除在特定网络版地址数据
的位置，如果地址是不受保护
（注） 。
清除所有寄存器为“ FF” 。唯一有效的
当保护寄存器清零。
写寄存器，如果地址是外部器件了
tected 。
写所有的寄存器。仅当
保护寄存器清零。
擦除/写禁止解除所有
编程指令。
读取地址存储在保护
注册。
必须立即先
PRCLEAR ， PRWRITE和PRDS
指令。
清除保护寄存器，使得
所有的数据都没有写保护。
方案涉及到保护稳压
存器。此后，内存地址
大于或等于所述地址
在保护注册是写亲
tected 。
ONE TIME后才指令
该地址在保护
注册不能更改。
ERAL
写
WRAL
EWDS
PRREAD
PREN
1
1
1
1
1
1
00
01
00
00
10
00
10XXXXXX
A7 - A0*
01XXXXXX
00XXXXXX
XXXXXXXX
11XXXXXX
—
D15 - D0
D15 - D0
—
—
—
0
0
0
0
1
1
1
1
1
X
X
1
PRCLEAR
PRWRITE
1
1
11
01
11111111
A7 - A0*
—
—
（ RDY /
BSY ）
（ RDY /
BSY ）
1
1
1
1
PRDS
1
00
00000000
—
（ RDY /
BSY ）
1
1
注意：
地址A7位是“无关”的93LCS56 。
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93LCS56/66
2.0
功能说明
2.4
读
该93LCS56 / 66举办的128/256寄存器由
16位。指令，地址和写入数据
移入DI引脚上的时钟的上升沿
（CLK） 。在DO引脚处于高阻抗状态正常举行
从设备中读取数据时，或当除
编程过程中检查就绪/忙状态
操作。就绪/忙碌状态可在VERI网络版
通过查询DO管脚的擦除/写操作; DO低
表明编程仍在进行中，而
做高表示设备已准备就绪。 DO线进入
高Z状态在CS的下降沿。
READ指令输出的串行数据
在DO引脚寻址的存储器位置。一个虚拟
零位先于16位输出字符串。输出
数据位将切换在CLK的上升沿和
是特定网络版的延迟时间后稳定（T
PD
） 。 Sequen-
TiAl基读是可能的，当CS保持高电平。内存
数据会自动循环到下一个寄存器中，
输出顺序。
2.5
擦除/写使能和禁用
（ EWEN ， EWDS ）
2.1
启动条件
START位是由设备，如果CS和DI检测
都是高电平相对于CLK的上升沿
首次。
之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI
在任何组合可以改变（除非是一
启动条件） ，而不会导致任何设备能操作
通报BULLETIN （读，写，擦除， EWEN ， EWDS ， ERAL ，
WRAL ， PRREAD ， PREN ， PRCLEAR ， PRWRITE和
PRDS ） 。当CS为高电平时，所述设备不再
在待机模式。
一个指令到启动条件将只
执行，如果需要的操作码的数量，地址
和数据比特对于任何特定的指令被移入。
在指令执行（即时钟或缩小后
最后需要的地址或数据位） CLK和DI
成为不在乎位，直到一个新的START条件
检测到。
该93LCS56 / 66上电时，在擦除/写禁止
（ EWDS ）状态。所有的编程模式必须预
通过擦除割让/写使能（ EWEN ）指令。
在PE引脚必须保持“高”加载
EWEN指令。一旦EWEN指令是exe-
cuted ，编程保持启用状态，直到EWDS
指令执行或V
CC
从除去
装置。为了防止意外的数据干扰，在
EWDS指令可用来禁止所有的擦除/
写函数，并应遵守所有编程
操作。一个READ指令的执行是不知疲倦
吊灯既EWEN和EWDS指令。
2.6
抹去
2.2
DI / DO
ERASE指令强制光谱中的所有数据位
我科幻编地址到逻辑“1”状态。 CS为低电平
最后一个地址位的加载。这种下降
CS引脚的触发自定时编程
周期。 PE引脚必须在负载被锁定“高”
荷兰国际集团ERASE指令，而是成为一个“不关心”
后加载指令。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CLS
） 。 DO为逻辑“ 0”表示编程
明仍在进行中。 DO为逻辑“1 ”表示
在特定网络版地址的寄存器已被删除
并且该设备已准备好执行下一条指令。 ERASE
指令是有效的，如果特定网络版地址是不受保护的。
擦除周期需要每个字典型4毫秒。
它可以连接在数据输入和数据输出引脚
在一起。然而，随着这种配置，可以
一个“总线冲突， ”出现了“假零”时
那之前的读操作中，如果A 0是一个逻辑
高电平。在这种条件下的电压电平
可见，在数据输出是不确定的，将取决于
的数据输出相对阻抗与信号源
驾驶A0 。的更高的电流源能力
A 0，在数据输出引脚的电压越高。
2.7
写
2.3
数据保护
在上电期间，所有的编程操作模式
被禁止，直到V
CC
已经达到一个电平大于
1.4V 。在掉电模式下，源数据保护
电路的作用是抑制所有的编程模式时，
V
CC
已经跌破1.4V 。
该EWEN和EWDS命令提供额外的亲
tection对去甲期间发生意外编程
MAL操作。
上电后，设备会自动在
EWDS模式。因此， EWEN指令必须是
任何擦除或写入指令之前执行
可以被执行。
WRITE指令之后是16位的数据
其中被写入到指定的地址。后
最后一个数据位被放在DI引脚， CS必须带
低前CLK时钟的下一个上升沿。两
CS和CLK必须为低启动自定时自动
擦除和编程周期。在PE引脚必须
锁定“高”加载WRITE指令，但
变成了“不关心”之后。
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DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
(T
CSL
）和整个写周期的结束之前。 DO
在逻辑上的“ 0”表示编程仍在
进展情况。 DO为逻辑“1 ”表示在寄存器
在特定网络版地址已经写入数据
特定网络版和设备已准备好为另一个指令
化。 WRITE指令才有效，如果指定的地址
是不受保护的。
写周期需要每个字典型4毫秒。
2.10
保护寄存器读（ PRREAD ）
保护寄存器读取（ PRREAD ）指令输出
把存储在保护注册的地址
DO引脚。前置引脚必须保持为高负载时，
荷兰国际集团的指导和保持高电平，直到CS变
低。虚拟0位之前的8位输出
字符串。在存储器中的输出数据位保护稳压
存器将切换在CLK的如在上升沿
阅读模式。
2.8
清除所有（ ERAL ）
2.11
保护寄存器使能（ PREN ）
ERAL指令会删除存储器的全部
阵的逻辑“1” 。 ERAL周期是相同的
擦除周期除了不同的操作码。该
ERAL周期完全自定时的开始
在CS的下降沿。 PE引脚必须保持
“高”而载入指令而成为“不
关心“之后。 CLK引脚的时钟不neces-
该设备后，萨利已经进入自同步
模式。 ERAL指令保证在V
CC
= 4.5
至6V和有效的，只有当保护寄存器清零。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CSL
）和整个写周期的结束之前。
ERAL周期需要毫秒最多15个（ 8毫秒典型值） 。
保护寄存器使能（ PREN ）指令
用于启用PRCLEAR ， PRWRITE和PRDS
模式。之前的PREN模式可进入，所述
设备必须处于EWEN模式。职前和PE
引脚必须保持“高”，而加载指令。
该PREN指令必须立即先于
PRCLEAR ， PRWRITE ，或PRDS指令。
2.12
保护寄存器清零（ PRCLEAR ）
2.9
写入所有（ WRAL ）
保护寄存器清零（ PRCLEAR ）指令
清除存储在所述保护寄存器和地址，
因此，能够进行编程的所有寄存器
指令如ERASE ， ERAL ，写，
WRAL 。前期和PE引脚必须保持高电平
加载指令时。此后， PRE和PE
引脚变为“不关心” 。必须在PREN指令
立即先于PRCLEAR指令。
WRAL指令将写入整个内存
数组在命令中指定的数据。该
WRAL周期完全自定时的开始
在CS的下降沿。 PE引脚必须保持
“高”而载入指令而成为“不
关心“之后。 CLK引脚的时钟不neces-
该设备后，萨利已经进入自同步
模式。该WRAL命令不包括自动
全部擦除周期为设备。因此， WRAL
指令不需要ERAL指令，但
芯片必须处于EWEN状态。该WRAL指令
化保证在V
CC
= 4.5 6V ，只有有效
当保护寄存器清零。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CSL
).
该WRAL周期为30 ms以下（ 16毫秒典型
CAL ） 。
2.13
保护寄存器写（ PRWRITE ）
保护寄存器写入（ PRWRITE ）指令
写入保护寄存器的第一个连接的地址
寄存器得到保护。在此之后的指令是exe-
cuted ，所有寄存器的内存地址
大于或等于该地址指针特定网络连接在编
保护寄存器免受任何编程
明说明。注意， PREN指令必
一个PRWRITE指令之前执行，并且，在
保护注册必须清除（由PRCLEAR
指令）执行PRWRITE指令之前。
前期和PE引脚必须保持为高负载时
荷兰国际集团PRWRITE指令。之后的指令是
加载后，他们成为“不关心” 。
2.14
保护注册禁用（ PRDS ）
注意：
为了执行任何读， EWEN ，
ERAL ， WRITE ， WRAL ，或EWDS指令
中，请在保护寄存器使能（ PRE ）
引脚必须保持为低电平。
保护寄存器禁用（ PRDS ）指令是
仅一次指令永久设置
解决在保护注册特定网络版。任何企图
改变地址指针将被中止。预
和PE引脚必须保持为高，而加载PRDS
指令。该指令被加载后，就成为
“不关心” 。注意， PREN指令必须exe-
一个PRDS指令之前cuted 。
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