M
特点
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
100 μA典型的读操作工作电流在2.5V
在2.5V 3 μA典型待机电流
ORG引脚可选的内存配置
128× 8或64× 16位的企业（ 93LC46 ）
256× 8或128 ×16位的企业（ 93LC56 ）
512 ×8或256 ×16位组织（ 93LC66 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦除/写设备状态信号
周期
连续读取功能
百万东/西次担保
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC
（ SOIC在JEDEC标准）
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
93LC46/56/66
描述
Microchip Technology Inc.的93LC46 / 56 / 66顷1K ，
2K和4K的低电压串行电可擦除
PROM的（ EEPROM）中。该设备的内存配置
为x8或x16位取决于列弗的外部逻辑
ELS的ORG引脚。先进的CMOS技术
使这些器件非常适用于低功耗的非易失性
内存的应用程序。该93LC系列是可
标准的8引脚PDIP和表面贴装SOIC封装
老少皆宜。旋转的引脚输出93LC46X / 56X / 66X是
在“ SN ”只是封装。
1K / 2K / 4K 2.5V微丝
串行EEPROM
封装类型
PDIP / SOIC
CS
CLK
DI
DO
ROTATED SOIC
NU
V
CC
CS
CLK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
V
SS
DO
DI
93LC46X
93LC56X
93LC66X
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NU
ORG
V
SS
93LC46
93LC56
93LC66
框图
V
CC
V
SS
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
计数器
产量
卜FF器
DO
数据寄存器
DI
ORG
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
注册
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第1页
93LC46/56/66
1.0
电气特性
绝对最大额定值？
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度。电源应用..........................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注意：
条件超过上述“最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC
极特
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
高电平输出电压
低电平输出电压
低电平输入电压
特征
高电平输入电压
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
—
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
—
—
3
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.3
—
—
±10
±10
7
3
1
500
—
100
30
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
A
A
条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= 2.5V
I
OL
= 400 μA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= 2.5V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V
（注1和2 ）
T
AMB
= 25 ° C，F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
（注2 ）
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 2.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 2.5V
ORG ， DI = V
SS
或V
CC
I
CC
写工作电流
I
CC
读
D10
I
CCS
注1 ：
此参数在T测试
AMB
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21712A第2页
2002年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
AC特性
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
符号
F
CLK
T
长实
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
民
—
—
250
250
50
0
250
100
100
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
8
16
—
最大
2
1
—
—
—
—
—
—
—
400
100
500
10
15
30
1M
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100 pF的
（注2 ）
CL = 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式（V
CC
=5V ±10%)
WRAL模式（V
CC
=5V ±10%)
相对于CLK
相对于CLK
条件
V
CC
≥
4.5V
V
CC
＆ LT ;
4.5V
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
耐力
1M
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式
（注3）
注1 ：
此参数在T测试
AMB
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序中估计耐用性
阳离子，请咨询可从Microchip网站获得的总耐力型号：
www.microchip.com 。
图1-1：
CS
V
IH
V
IL
CLK
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
同步数据时序
4
2
3
5
7
8
DI
9
尽诉
OH
（READ ）
V
OL
尽诉
OH
（写）
V
OL
9
10
11
状态有效
10
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第3页
93LC46/56/66
表1-1：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X
0 0 X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
25
9
9
9
25
25
9
表1-2：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
18
10
10
10
18
18
10
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
DS21712A第4页
2002年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第5页
不建议用于新设计 -
请使用93LC46C ， 93LC56C或93LC66C 。
93LC46/56/66
1K / 2K / 4K 2.5V Microwire串行EEPROM
产品特点：
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
100
A
在2.5V的典型有效的读电流
3
A
在2.5V的典型待机电流
ORG引脚可选的内存配置
128× 8或64× 16位的企业（ 93LC46 ）
256× 8或128 ×16位的企业（ 93LC56 ）
512 ×8或256 ×16位组织（ 93LC66 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦/写周期设备状态信号
连续读取功能
百万东/西循环保证
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC
（ SOIC在JEDEC标准）
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
PDIP / SOIC
CS
CLK
DI
DO
ROTATED SOIC
NU
V
CC
CS
CLK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
V
SS
DO
DI
93LC46X
93LC56X
93LC66X
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NU
ORG
V
SS
93LC46
93LC56
93LC66
框图
V
CC
V
SS
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
计数器
产量
卜FF器
DO
描述：
Microchip Technology Inc.的93LC46 / 56 / 66顷1K ，
2K和4K的低电压串行电可擦除
PROM的（ EEPROM）中。该设备的内存配置
为x8或x16位取决于外部逻辑
ORG引脚的电平。先进的CMOS技术
使这些器件非常适用于低功耗的非易失性
内存的应用程序。该93LC系列是可
标准的8引脚PDIP和表面贴装SOIC
包。旋转的引脚输出93LC46X / 56X / 66X是
在“ SN ”只是封装。
数据寄存器
DI
ORG
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
注册
2004年Microchip的科技公司
DS21712B第1页
93LC46/56/66
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注意：
条件超过上述“最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这
是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件超过上述表示
本规范的运作上市，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC
极特
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
高电平输出电压
低电平输出电压
低电平输入电压
特征
高电平输入电压
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
—
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
—
—
3
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.3
—
—
±10
±10
7
3
1
500
—
100
30
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
A
A
条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
A,
V
CC
= 2.5V
I
OL
= 400
A,
V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
A,
V
CC
= 2.5V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V
（注1和2 ）
T
A
= 25 ° C，F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
（注2 ）
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 2.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 2.5V
ORG ， DI = V
SS
或V
CC
I
CC
写工作电流
I
CC
读
D10
I
CCS
注1 ：
2:
此参数在T测试
A
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21712B第2页
2004年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
AC特性
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
注1 ：
2:
3:
符号
F
CLK
T
长实
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
耐力
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C
民
—
—
250
250
50
0
250
100
100
—
—
—
—
—
—
1M
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
8
16
—
最大
2
1
—
—
—
—
—
—
—
400
100
500
10
15
30
1M
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100 pF的
（注2 ）
CL = 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式（V
CC
=5V ±10%)
WRAL模式（V
CC
=5V ±10%)
相对于CLK
相对于CLK
条件
V
CC
≥
4.5V
V
CC
＆ LT ;
4.5V
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式
（注3）
此参数在T测试
A
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请查阅Total Endurance
可从Microchip网站获得的模型
于： www.microchip.com 。
图1-1：
CS
V
IH
V
IL
V
IH
CLK
V
IL
同步数据时序
4
2
3
5
7
V
IH
DI
V
IL
8
9
尽诉
OH
（READ ）
V
OL
尽诉
OH
（写）
V
OL
9
10
11
状态有效
10
2004年Microchip的科技公司
DS21712B第3页
93LC46/56/66
表1-1：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 XXXX
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 XXXX
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 XXXX
0 0 XXXX
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
25
9
9
9
25
25
9
表1-2：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXX
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXX
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXX
00XXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
18
10
10
10
18
18
10
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXX
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXX
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXX
00XXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXXX
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXXX
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXXX
00XXXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
DS21712B第4页
2004年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXX
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXX
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXX
00XXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXXX
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXXX
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXXX
00XXXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
2004年Microchip的科技公司
DS21712B第5页
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