【ST93CS46ST93CS471K （ 64 ×16 ），串行EEPROM MICROWIRE不适】,IC型号93CS46,93CS46 PDF资料,93CS46经销商,ic,电子元器件-51电子网

ST93CS46

ST93CS47

1K （ 64 ×16 ），串行EEPROM MICROWIRE

不适用于新设计

100万次擦/写，带

40年数据保留

自定时编程周期

自动擦除

期间READY / BUSY信号

程序设计

单电源电压

- 3V至5.5V的ST93CS46

- 2.5V至5.5V的ST93CS47

用户自定义写保护区

页写模式（ 4个字）

连续读操作

5ms的典型时间

ST93CS46和ST93CS47被取代

在M93S46

PSDIP8 （ B）

0.4毫米框架

SO8 （M ）

150mil宽度

图1.逻辑图

描述

该ST93CS46和ST93CS47是1K位Electri-

美云可擦除可编程存储器（EEPROM）

制作与SGS - THOMSON的高耐用性

单多晶硅CMOS技术。内存

通过串行输入D和输出Q.访问

在1K位存储器由64 ×16位

字。存储器是由一组指令的存取

系统蒸发散，其中包括读，写，页写，写

所有和指令用来设置内存保护

化。读取指令加载的地址

第一个字被读入一个内部地址

指针。

表1.信号名称

PRE

片选输入

串行数据输入

串行数据输出

串行时钟

保护启用

写使能

电源电压

地

VCC

PRE

ST93CS46

ST93CS47

VSS

AI00884B

1997年6月

这是一个产品信息仍然不推荐在新德标牌生产BU吨。

1/16

ST93CS46 ， ST93CS47

图2A 。 DIP引脚连接

图2B中。 SO引脚连接

ST93CS46

ST93CS47

AI00885B

ST93CS46

ST93CS47

VCC

PRE

VSS

AI00886C

VCC

PRE

VSS

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

英镑

领导

ESD

参数

工作环境温度

储存温度

焊接温度，焊接

（ SO8封装）

（ PSDIP8包）

40秒

10秒

价值

-40到85

-65到150

215

260

-0.3到V

+0.5

-0.3 6.5

(2)

单位

°C

输入或输出电压（Q = V

或Hi -Z ）

电源电压

静电放电电压（人体模型）

静电放电电压（机器型号）

(3)

3000

500

注意事项：

1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他

超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他

相关的质量文件。

2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100pF的， 1500

3. EIAJ IC- 121 （条件C ）（ 200pF的， 0

描述

（续）

然后将数据同步输出串行。地址

指针数据后自动递增

被输出，并且如果片选输入端（ S）被保持

高， ST93CS46 / 47可输出一个顺序

的数据字流。在这种方式中，存储器可以

被读作16的数据流中，以1024比特，或

连续的地址计数器自动

翻转到00时的最高地址是

抵达。内通过编程所需的时间

明周期（T

），至多4个字可被写入

页写指令的帮助;全

存储器也可以被删除，或者设定为predeter-

开采的图案，通过使用写入所有指令。

内的存储器中，用户定义的区域可以是

防止进一步的写指令。该

此区域的大小由一个内容定义

2/16

保护寄存器，位于所述存储器的外

数组。作为最终保护步骤中，数据可以是per-

通过编程一次性manently保护

位编程（ OTP位）的锁定保护

寄存器的内容。

编程是内部自定时（外

在C输入时钟信号可以被断开或左

一个写入周期开始之后运行）和不

不需要之前写指令擦除周期

化。写指令写入16位在同一时间

成64个字中的一个，所述页写指令

写入到4个字的16位的顺序某些地区

系统蒸发散，假设在这两种情况下，所有的地址

是写保护区之外。

编程周期开始后，

就绪/忙信号，可在数据输出

（ Q），当片选（ S）输入引脚驱动

高。

ST93CS46 ， ST93CS47

图3. AC测试输入输出波形

AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序

参考电压

≤

为20ns （10％至90％）的

0.4V至2.4V

0.8和2V

0.2VCC

0.8VCC

0.7VCC

0.3VCC

AI00825

注意，输出高阻被定义为点数据

不再驱动。

表3.电容

(1)

= 25

°C,

F = 1 MHz）的

符号

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

= 0V

OUT

= 0V

民

最大

单位

注意：

1.采样只，而不是100 ％测试。

表4.直流特性

= 0至70℃或-40至85℃ ; V

= 3V至5.5V的ST93CS46和

= 2.5V至5.5V的ST93CS47 ）

符号

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流（ TTL输入）

电源电流（ CMOS输入）

CC1

电源电流（待机）

输入低电压（ ST93CS46,47 ）

输入低电压（ ST93CS46 ）

输入低电压（ ST93CS47 ）

输入高电压（ ST93CS46,47 ）

输入高电压（ ST93CS46 ）

输入高电压（ ST93CS47 ）

输出低电压

测试条件

≤

OUT

≤

在高阻Q

S = V

， F = 1兆赫

S = V

， F = 1兆赫

S = V

，C = V

4.5V

≤

5.5V

≤

5.5V

2.5V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

≤

5.5V

2.5V

≤

5.5V

= 2.1毫安

= 10

输出高电压

= –400A

= –10A

2.4

– 0.2

–0.1

0.8 V

民

最大

±2.5

0.8

0.2 V

+ 1

0.4

0.2

单位

3/16

ST93CS46 ， ST93CS47

表5. DC特性

= 0至70℃或-40至85℃ ; V

= 3V至5.5V的ST93CS46和

= 2.5V至5.5V的ST93CS47 ）

符号

PRVCH

WVCH

SHCH

DVCH

CHDX

CHQL

CHQV

CLPRX

slwx

CLSL

SLSH

SHQV

SLQZ

CHCl 3

CLCH

ALT

PRES

PES

CSS

DIS

DIH

PD0

PD1

PREH

PEH

CSH

圣公会

SKL

参数

保护使能有效到时钟高

写使能有效到时钟高

芯片选择高到时钟高

输入有效到时钟高

时钟由高到低的输入转换

时钟高电平输出低电平

时钟高到输出有效

时钟低保护启用过渡

片选低到写使能转换

时钟低到芯片选择转型

片选低到芯片选择高

芯片选择高到输出有效

芯片选择低输出高阻

时钟高电平到时钟低

时钟低到高时钟

擦除/写周期时间

时钟频率

注2

250

注1

250

500

300

测试条件

民

100

500

最大

单位

兆赫

注意事项：

1.片选必须拉低了至少250纳秒（T

SLSH

）连续的指令周期之间。

2.时钟频率规范要求的1的最小时钟周期

的定时吨因此总和

CHCl 3

+ t

CLCH

必须大于或等于1的

例如，当t

CHCl 3

是250纳秒，则T

CLCH

必须至少为750毫微秒。

图4.同步时序，启动和操作码输入

PRE

tPRVCH

tWVCH

tSHCH

tDVCH

开始

操作码

tCHDX

操作码

TCLCH

TCHCL

OP CODE输入

开始

AI00887

4/16

ST93CS46 ， ST93CS47

图5.同步时序，读或写

tCLSL

tDVCH

tCHQL

Q15/Q7

tCHDX

tSLQZ

tCHQV

tSLSH

高阻

地址输入

数据输出

AI00820C

PRE

tCLPRX

tSLWX

tCLSL

tSLSH

tDVCH

tCHDX

A0/D0

tSHQV

高阻

忙

地址/数据输入

写周期

AI00888B

tSLQZ

准备

5/16