93C76/86
8K / 16K 5.0V微丝
串行EEPROM
特点
5.0V单电源供电
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
ORG引脚可选的内存CON组fi guration
1024× 8或512× 16位的企业（ 93C76 ）
2048× 8或1024×16位组织（ 93C86 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦/写周期设备状态信号
连续读取功能
千万擦除/写周期保证
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC封装
支持的温度范围
- 商业（ C） ：
0
°
C至+70
°
C
- 工业
-40
°
C至+ 85
°
C
- 汽车（ E）
-40
°
C至+ 125
°
C
封装类型
DIP封装
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
ORG
V
SS
93C76/86
SOIC封装
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
CLK
DI
DO
V
CC
PE
ORG
V
SS
93C76/86
框图
V
CC
V
SS
描述
Microchip的93C76 / 86顷和8K
16K的低电压串行电可擦除PROM中。
该设备的内存CON组fi gured作为x8或x16位
根据ORG引脚设置。先进的CMOS
技术使这些器件非常适合低功耗
非易失性存储器中的应用程序。这些器件还
有一个程序使能（ PE ）引脚允许用户
写保护的存储器阵列中的全部内容。
在93C76 / 86是标准的8引脚DIP和8可
引脚表面贴装SOIC封装。
DI
内存
ARRAY
地址
解码器
地址
计数器
数据
注册
产量
卜FF器
DO
PE
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
发电机
MICROWIRE是美国国家半导体股份有限公司的注册商标。
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
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93C76/86
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
1.2
AC测试条件
AC波形：
V
LO
= 2.0V
V
HI
= VCC - 0.2V
V
HI
= 4.0V的
（注1 ）
（注2 ）
V
CC
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............... -0.6V至Vcc + 1.0V
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度。施加电源................. -65C至+ 125C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护............................................. ... 4千伏
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件，在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性条件
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：对于V
CC
≤
4.0V
2 ：对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
0.5 V
CC
0.5 V
CC
表1-1：
名字
CS
CLK
DI
DO
V
SS
ORG
PE
V
CC
引脚功能表
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
内存CON组fi guration
项目启用
电源
表1-2：
DC特性
可适用于如下建议的工作范围，除非另有说明：
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
商业（ C） ：
TAMB = 0
°
C TO -40
°
C
工业级（I ） ：
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
汽车（ E） ：
TAMB = -40
°
C至+ 125
°
C
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
工作电流
符号
V
IH1
V
IL1
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
I
LI
I
LO
C
INT
分钟。
2.0
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
-10
-10
—
马克斯。
V
CC
+1
0.8
0.4
0.2
—
—
10
10
7
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
—
—
I
OL
= 2.1毫安; V
CC
= 4.5V
I
OL
=100
A; V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400
A; V
CC
= 4.5V
I
OH
= -100
A; V
CC
= 4.5V.
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
（注意注意:)
TAMB = + 25°C ，女
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2 MHz的; V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 2 MHz的; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
I
CC
写
—
3
mA
I
CC
读
—
1.5
mA
待机电流
I
CCS
—
100
A
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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初步
1996年Microchip的科技公司
93C76/86
表1-3：
AC特性
可适用于如下建议的工作范围，除非另有说明：
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
商业（ C） ：
TAMB = 0
°
C TO -40
°
C
工业级（I ） ：
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
汽车（ E） ：
TAMB = -40
°
C至+ 125
°
C
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
符号
F
CLK
T
长实
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
分钟。
—
300
200
50
0
250
100
100
—
—
—
—
—
—
10M
马克斯。
2
—
—
—
—
—
—
—
400
100
500
10
15
30
—
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
周期
条件
VCC
≥
4.5V
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
C
L
= 100 pF的
（注1 ）
C
L
= 100 pF的
擦/写模式（注2 ）
ERAL模式
WRAL模式
25
°
C，V
CC
= 5.0V ，块模式
（注3）
耐力
注1：此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2 ：典型的计划周期为每字4毫秒。
3：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93C76 ： ORG = 1 （ x16组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X X
X A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X X
X A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X X
0 0 X X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
29
13
13
13
29
29
13
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93C76 ： ORG = 0 （ X8组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X X X
X A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X X X
X A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X X X
0 0 X X X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
22
14
14
14
22
22
14
1996年Microchip的科技公司
初步
DS21132C第3页
93C76/86
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93C86 ： ORG = 1 （ x16组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X X
0 0 X X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
29
13
13
13
29
29
13
表1-7 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93C86 ： ORG = 0 （ X8组织）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X X X
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X X X
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X X X
0 0 X X X X X X X X X
DATA IN
数据输出
所需物品。 CLK周期
22
14
14
14
22
22
14
—
D7 - D0
—
高-Z
—
（ RDY / BSY ）
—
（ RDY / BSY ）
D7 - D0 （ RDY / BSY ）
D7 - D0 （ RDY / BSY ）
—
高-Z
DS21132C第4页
初步
1996年Microchip的科技公司
93C76/86
2.0
操作原理
当ORG引脚连接到V
CC
，在X16奥尔加
nization被选中。当它被连接到地，所述
x8组织的选择。指令，地址
和写入数据移入的上升DI引脚
的时钟（CLK）的边缘。 DO引脚为常举行
在读取数据时，除了高Z状态
设备，或检查时， READY / BUSY状态能很好地协同
荷兰国际集团编程操作。该READY / BUSY台站
土族可以通过擦除/写操作时进行校验网络版
查询DO管脚; DO低表明编程
仍在进行中，而做高表示设备
准备好了。在DO将进入高阻抗状态
在CS的下降沿。
低所有的编程操作。一个读取执行
指令是独立于EWEN和
EWDS指令。
2.4
数据保护
在上电期间，所有的编程操作模式
被禁止，直到V
CC
已经达到一个电平大于
1.4V 。在掉电模式下，源数据保护
电路的作用是抑制所有的编程模式时，
V
CC
已经跌破1.4V 。
该EWEN和EWDS命令提供额外的亲
tection对去甲期间发生意外编程
MAL操作。
上电后，设备会自动在
EWDS模式。因此， EWEN指令必须是
任何擦除或写入指令之前执行的可
被执行。
2.1
启动条件
START位是由设备，如果CS和DI检测
都是高电平相对于CLK的上升沿
对于科幻RST时间。
之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI
在任何组合可以改变（除非是一
启动条件） ，而不会导致任何设备能操作
通报BULLETIN （读，写，擦除， EWEN ， EWDS ， ERAL ，
和WRAL ） 。当CS为高电平时，该装置是不
在待机模式下更长的时间。
一个指令到启动条件将只
执行，如果需要的操作码的数量，地址
和数据比特对于任何特定的指令的时钟
IN 。
在指令执行（即时钟或缩小后
最后需要的地址或数据位） CLK和DI
成为不在乎位，直到一个新的START条件
检测到。
2.2
DI / DO
它可以连接在数据输入和数据输出引脚
在一起。然而，随着这种配置，可以
对于“公交CON FL信通”出现的“假零”期间
之前的读操作中，如果A 0是一个逻辑高电平
的水平。在这种条件下的电压电平见于
数据输出是理解过程把音响奈德，并且将取决于相对
的数据输出阻抗与信号源的驱动
A0 。 A0，所述的较高的电流源能力
更高的数据输出引脚上的电压。
2.3
擦除/写使能和禁用
（ EWEN ， EWDS ）
在93C76 / 86上电时，在擦除/写禁止
（ EWDS ）状态。所有的编程模式必须预
通过擦除割让/写使能（ EWEN ）指令。
一旦EWEN指令被执行，编程
保持启用状态，直到EWDS指令被执行
或V
CC
从设备中删除。为了防止
数据的意外打扰的EWDS指令可以
使用禁用所有擦除/写功能，并应请遵循
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初步
DS21132C第5页
