93AA76A / B / C ， 93LC76A / B / C ，
93C76A/B/C
8K的Microwire兼容串行EEPROM
器件选型表
产品型号
93AA76A
93AA76B
93LC76A
93LC76B
93C76A
93C76B
93AA76C
93LC76C
93C76C
V
CC
范围
1.8-5.5
1.8-5-5
2.5-5.5
2.5-5.5
4.5-5.5
4.5-5.5
1.8-5.5
2.5-5.5
4.5-5.5
ORG引脚
No
No
No
No
No
No
是的
是的
是的
PE引脚
No
No
No
No
No
No
是的
是的
是的
字长
8-bit
16-bit
8-bit
16-bit
8-bit
16-bit
8位或16位
8位或16位
8位或16位
温度范围
I
I
I，E
I，E
I，E
I，E
I
I，E
I，E
套餐
OT
OT
OT
OT
OT
OT
P， SN ， ST ， MS ， MC
P， SN ， ST ， MS ， MC
P， SN ， ST ， MS ， MC
产品特点：
低功耗CMOS技术
ORG引脚选择为“ 76℃ ”的版本字长
1024 ×8位的组织'A'设备（无ORG ）
512 ×16位组织'B'设备（无ORG ）
程序使能引脚进行写保护整个
阵列（' 76C '版本）
自定时擦/写周期（包括
自动擦除）
自动ERAL前WRAL
电源开/关数据保护电路
行业标准的3线串行I / O
设备状态信号（ READY / BUSY ）
连续读取功能
百万东/西次
数据保留> 200年
无铅并符合RoHS标准
工作温度范围支持：
- 工业级（I ）
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） -40 ° C至+ 125°C
描述：
Microchip Technology Inc.的93XX76A / B / C器件
是8K位，低电压，串行电可擦除
PROM的（ EEPROM）中。字选择型设备如
该93XX76C取决于外部的逻辑电平
驾驶ORG引脚设置文字的大小。在SOT- 23
封装， 93XX76A设备提供专用的8位
内存组织，而93XX76B设备
提供专用的16位存储器组织。一
编程使能（ PE）引脚允许用户在写保护
整个存储器阵列。先进的CMOS技术
使这些器件非常适用于低功耗，非易失性
内存的应用程序。该93XX系列是可
标准封装，包括8引脚PDIP和SOIC封装，
和先进的封装包括8引脚MSOP ， 6引脚
SOT - 23 ， 8引脚2×3 DFN和8引线TSSOP封装。所有
包无铅并符合RoHS标准。
封装类型（不按比例）
PDIP / SOIC
（P ， SN ）
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
ORG
V
SS
DO
V
SS
DI
SOT-23
（ OT ）
1
2
3
6
5
4
DFN
（MC）的
V
CC
PE
ORG
V
SS
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
ORG
V
SS
V
CC
CS
CLK
引脚功能表
名字
CS
CLK
DI
DO
V
SS
PE
ORG
V
CC
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
项目启用
内存配置
电源
功能
TSSOP / MSOP
（ ST ， MS ）
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
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DS21796H第1页
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1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 2.5V至5.5V
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
- 0.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
500
—
—
100
—
—
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
—
±1
±1
7
3
—
1
500
—
1
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
mA
μA
mA
μA
μA
μA
μA
条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
μA,
V
CC
= 2.5V
I
OH
= -400
μA,
V
CC
= 4.5V
I
OH
= -100
μA,
V
CC
= 2.5V
V
IN
= V
SS
或V
CC
V
OUT
= V
SS
或V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V
（注1 ）
T
A
= 25 ° C，F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 3兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 2.5V
F
CLK
= 3兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 2.5V
我 - 温度
ê - 温度
CLK = CS = 0V
ORG = DI = PE = V
SS
或V
CC
（注2） （注3）
（注1 ）
93AA76A / B / C ， 93LC76A / B / C
93C76A/B/C
所有参数适用于在特定网络版
的范围内，除非另有说明。
参数。
符号
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容（所有输入/
输出）
I
CC
写写电流
I
CC
读取读取电流
D10
I
CCS
待机电流
D11
V
POR
V
CC
电压检测
—
—
1.5
3.8
—
—
V
V
注1 ：
2:
3:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
ORG和PE引脚不是“A”或“B”版本。
READY / BUSY状态必须从DO中清除，请参阅
第3.4节“数据输出（ DO ） ” 。
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表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 2.5V至5.5V
民
—
最大
3
2
1
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
条件
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 2.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 2.5V
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ， CL = 100 pF的
2.5V
≤
V
CC
< 4.5V ， CL = 100 pF的
1.8V
≤
V
CC
< 2.5V ， CL = 100 pF的
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V ，
（注1 ）
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ， CL = 100 pF的
2.5V
≤
V
CC
< 4.5V ， CL = 100 pF的
1.8V
≤
V
CC
< 2.5V ， CL = 100 pF的
擦除/写模式（ AA和LC
版本）
擦/写模式
（ 93版）
ERAL模式， 4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
WRAL模式， 4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
所有参数适用于在特定网络版
的范围内，除非另有说明。
参数。
符号
号
A1
F
CLK
参数
时钟频率
A2
T
长实
时钟高电平时间
200
250
450
100
200
450
50
100
250
0
250
50
100
250
50
100
250
—
A3
T
CKL
时钟低电平时间
—
A4
T
CSS
片选建立时间
—
A5
A6
A7
T
CSH
T
CSL
T
DIS
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
—
—
—
A8
T
DIH
数据输入保持时间
—
A9
T
PD
数据输出的延迟时间
100
250
400
100
200
200
300
500
5
2
6
15
—
A10
A11
T
CZ
T
SV
数据输出禁止时间
状态有效时间
—
—
A12
A13
A14
A15
A16
注1 ：
2:
T
WC
T
WC
T
EC
T
WL
—
项目周期
—
—
—
—
耐力
1M
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V,
（注2 ）
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
此应用程序没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
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图1-1：
CS
V
IH
V
IL
V
IH
CLK
V
IL
T
DIS
V
IH
DI
V
IL
T
PD
DO
（READ ）
DO
（ PROGRAM ）
V
OH
V
OL
V
OH
状态有效
V
OL
T
SV
是相对于CS 。
T
CZ
T
SV
T
PD
T
CZ
T
DIH
T
CSS
T
长实
T
CKL
T
CSH
同步数据时序
注意：
表1-3：指令集×16组织（ 93XX76B或93XX76C有ORG =
1)
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
X
1
X
1
X
0
0
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
DATA IN
—
—
—
—
D15-D0
D15-D0
—
数据输出
D15-D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
29
13
13
13
29
29
13
表1-4：指令集×8组织（ 93XX76A或93XX76C有ORG =
0)
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
X
1
X
1
X
0
0
地址
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
DATA IN
—
—
—
—
D7-D0
D7-D0
—
数据输出
D7-D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
22
14
14
14
22
22
14
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2.0
功能说明
2.2
数据输入/输出（ DI / DO ）
ORG引脚（ 93XX76C ）连接到V
CC
,
的（ X16 ）的组织被选中。当它连接
到地上， （ X8 ）的组织被选中。指令
，地址和要写入的数据被移入DI
销上的时钟（CLK）的上升沿。 DO引脚为
在高Z状态正常举行读书时除外
从设备的数据，或者检查就绪时/
在编程操作期间BUSY状态。该
READY / BUSY状态可以在擦除验证/
写经查询DO引脚工作; DO低指示
该程序仍在进行中，而做高
表示该设备已准备就绪。 DO将进入高-Z
国家对CS的下降沿。
它可以连接在数据输入和数据输出引脚
在一起。然而，随着这种配置，可以
一个“总线冲突， ”出现了“假零”时
那之前的读操作时，如果A0为逻辑高
的水平。在这种条件下的电压电平见于
数据输出是不确定的，并且将取决于相对
的数据输出阻抗与信号源的驱动
A0 。的较高电流源输出能力
驱动，较高的数据输出引脚上的电压。在
命令，以限制该电流，电阻器应
连接DI和DO之间。
2.3
数据保护
2.1
启动条件
起始位的检测设备，如果CS和DI是
兼具高相对于CLK的用于正边缘
第一次。
之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI
在任何组合可以改变（除非是一
启动条件） ，而不会导致任何设备
操作（读，写，擦除， EWEN ， EWDS ， ERAL
或WRAL ） 。当CS为高电平时，该装置是不
在待机模式下更长的时间。
一个指令到启动条件将只
执行，如果需要的操作码，地址和数据位
对于任何特定指令被移入。
注意：
当准备发送的指令，
无论是CLK或DI信号电平必须是
在逻辑低是CS引脚翻转为高电平。
所有工作模式下被抑制时， V
CC
以下是
1.5V为“ 93AA ”和“ 93LC ”设备的典型电压
或者3.8V为“ 93 ”的设备。
该EWEN和EWDS命令授予其他
保护过程中发生意外编程
正常操作。
注意：
为增加保护，一个EWDS
命令应之后进行
每个写操作和一个外部10
k下拉电阻的保护应该是
添加到CS引脚。
开机后，设备会自动处于EWDS
模式。因此，一个
EWEN
指令必须是
前的初始执行
抹去
or
写
指令
可以被执行。
注意：
为了防止意外写入阵列中
在93XX76C设备，设置PE引脚到
逻辑低电平。
框图
V
CC
V
SS
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
计数器
数据寄存器
DI
ORG *
CS
PE *
CLK
时钟
注册
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
DO
* ORG和PE的投入不提供
A / B设备。
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