93AA46/56/66
1K / 2K / 4K 1.8V微丝
串行EEPROM
特点
单电源与编程操作下来
到1.8V
低功耗CMOS技术
- 70
一个典型的读操作工作电流在1.8V
- 2
在1.8V的典型待机电流
ORG引脚可选的内存CON组fi guration
- 128× 8或64× 16位的企业（ 93AA46 ）
- 256× 8或128 ×16位的组织
(93AA56)
- 512 ×8或256 ×16位组织（ 93AA66 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦/写周期设备状态信号
连续读取功能
千万次擦/写的保证
93AA56和93AA66
百万东/西循环的保证93AA46
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC
（ SOIC在JEDEC和EIAJ标准）
支持的温度范围
- 商业（ C） ：
0
°
C至+70
°
C
封装类型
DIP
CS
CLK
DI
DO
1
8
V
CC
NU
ORG
V
SS
93AA46
93AA56
93AA66
2
3
4
7
6
5
SOIC
CS
CLK
DI
DO
1
8
V
CC
NU
ORG
V
SS
93AA46
93AA56
93AA66
2
3
4
7
6
5
SOIC
NU
VCC
CS
CLK
1
8
ORG
VSS
DO
DI
93AA46X
93AA56X
93AA66X
2
3
4
7
6
5
描述
Microchip Technology Inc.的93AA46 / 56 / 66顷1K ，
2K和4K的低电压串行电可擦除
PROM中。该设备的内存CON连接gured为x8或x16
根据ORG引脚设置位。先进
CMOS技术使这些器件非常适用于低
功率的非易失性存储器的应用程序。该93AA
系列是标准的8引脚DIP和表面可用
贴SOIC封装。旋转的引脚输出93AA46X /
56X / 66X是在“ SN ”只是封装。
框图
V
CC
V
SS
内存
ARRAY
地址
解码器
地址
计数器
数据寄存器
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
DO
ORG
CS
CLK
时钟
发电机
MICROWIRE是美国国家半导体股份有限公司的注册商标。
1996年Microchip的科技公司
DS20067G第1页
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
93AA46/56/66
1.0
1.1
电气特性
最大额定值
表1-1：
名字
CS
CLK
DI
DO
V
SS
ORG
NU
V
CC
引脚功能表
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
内存CON组fi guration
不使用
电源
V
CC
............................................................................ 7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.......... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度................................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用...........- 65°C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ........ + 300°C
所有引脚的ESD保护......................................... 4千伏
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件，在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
表1-2：
直流和交流电气特性
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
A
A
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安; V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
A; V
CC
= 1.8V
I
OH
= -400
A; V
CC
= 4.5V
I
OH
= -100
A; V
CC
= 1.8V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V （注1 & 2）
TAMB = + 25°C ，女
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2 MHz的; V
CC
= 5.5V （注2）
F
CLK
= 2 MHz的; V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 1 MHz的; V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 1 MHz的; V
CC
= 1.8V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 1.8V
V
CC
≥
4.5V
V
CC
＆ LT ; 4.5V
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
I
CC
写
I
CC
读
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
-10
-10
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
70
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
—
10
10
7
3
1
500
100
30
2
2
1
250
250
50
0
250
100
100
400
100
500
10
15
30
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
工作电流
待机电流
I
CCS
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
F
CLK
T
长实
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100pF的（注2）
CL = 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式（ VCC = 5V
±
10%)
WRAL模式（ VCC = 5V
±
10%)
4
8
16
耐力
93AA46
—
1M
—
1M
—
25
°
C， VCC = 5.0V ，块模式
93AA56/66
—
10M
—
10M
—
（注3）
注1 ：此参数在测试环境温度Tamb = 25
°
C和F
CLK
= 1兆赫。
2：该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
DS20067G第2页
1996年Microchip的科技公司
93AA46/56/66
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93AA46 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X
0 0 X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
25
9
9
9
25
25
9
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93AA46 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
18
10
10
10
18
18
10
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93AA56 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93AA56 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
20
12
12
12
20
20
12
表1-7 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93AA66 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-8 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93AA66 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK周期
20
12
12
12
20
20
12
1996年Microchip的科技公司
DS20067G第3页
93AA46/56/66
2.0
功能说明
2.4
读
当ORG引脚连接到V
CC
的（ X16 ）奥尔加
nization被选中。当它被连接到地，
在（ X8 ）的组织被选中。
说明，
地址和写入数据的移入在DI引脚
的时钟（CLK）的上升沿。 DO引脚属于正常
马利在高Z状态，除了举办读取数据时，
从设备上，或检查时准备好/忙
在编程操作期间的状态。就绪/
忙碌的状态可以在擦除/写能操作进行校验网络版
ATION通过查询DO管脚; DO低表明亲
编程仍在进行中，而做高表示
该设备已准备就绪。在DO将进入高阻态
在CS的下降沿。
READ指令输出的串行数据
在DO引脚寻址的存储器位置。一个虚拟
零位之前的16位（ x16组织）或8位
（ x8组织的）输出字符串。的输出数据位将
切换在CLK的上升沿和所追求的稳定
在特定网络版时间延迟（T
PD
） 。连续读取是POS-
sible当CS保持高电平。在内存中的数据会自动
matically周期到下一个寄存器和输出
顺序。
2.5
擦除/写使能和禁用
（ EWEN ， EWDS ）
2.1
启动条件
START位是由设备，如果CS和DI检测
都是高电平相对于CLK的上升沿
对于科幻RST时间。
之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI
在任何组合可以改变（除非是一
启动条件） ，而不会导致任何设备能操作
通报BULLETIN （读，写，擦除， EWEN ， EWDS ， ERAL ，
和WRAL ） 。当CS为高电平时，该装置是不
在待机模式下更长的时间。
一个指令到启动条件将只
执行，如果需要的操作码的数量，地址
和数据比特对于任何特定的指令被移入。
在指令执行（即时钟或缩小后
最后需要的地址或数据位） CLK和DI
成为不在乎位，直到一个新的START条件
检测到。
该93AA46 /六十六分之五十六电源在擦除/写禁止
（ EWDS ）状态。所有的编程模式必须预
通过擦除割让/写使能（ EWEN ）指令。
一旦EWEN指令被执行，编程
保持启用状态，直到EWDS指令被执行
或V
CC
从设备中删除。为了防止
数据的意外打扰的EWDS指令可以
使用禁用所有擦除/写功能，并应请遵循
低所有的编程操作。一个读取执行
指令是独立于EWEN和
EWDS指令。
2.6
抹去
ERASE指令强制光谱中的所有数据位
我科幻编地址到逻辑“1”状态。 CS为低电平
最后一个地址位的加载。这种下降
CS引脚的触发自定时编程
周期。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CSL
） 。 DO为逻辑“ 0”表示编程
明仍在进行中。 DO为逻辑“1 ”表示
在特定网络版地址的寄存器已被删除
并且该设备已准备好执行下一条指令。
擦除周期需要每个字典型4毫秒。
2.2
DI / DO
它可以连接在数据输入和数据输出引脚
在一起。然而，随着这种配置，可以
对于“公交CON FL信通”出现的“假零”期间
之前的读操作中，如果A 0是一个逻辑高电平
的水平。在这种条件下的电压电平见于
数据输出是理解过程把音响奈德，并且将取决于相对
的数据输出阻抗与信号源的驱动
A0 。 A0较高的电流源的能力，
在数据输出引脚上的电压越高。
2.7
写
2.3
数据保护
在上电期间，所有的编程操作模式
被禁止，直到V
CC
已经达到一个电平大于
1.4V 。在掉电模式下，源数据保护
电路的作用是抑制所有的编程模式时，
V
CC
已经跌破1.4V标称条件。
该EWEN和EWDS命令提供额外的亲
tection对去甲期间发生意外编程
MAL操作。
上电后，设备会自动在
EWDS模式。因此， EWEN指令必须是
任何擦除或写入指令之前执行的可
被执行。
WRITE指令之后是16比特（或8个
比特）的数据将写入到所述特定网络连接编
地址。在最后一个数据位被放在DI引脚， CS
的下一个上升沿之前，必须拉低
CLK时钟。 CS的下降沿启动自
定时自动擦除和编程周期。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CSL
）和整个写周期的结束之前。
DO为逻辑“ 0”表示编程仍在
进展情况。 DO为逻辑“1 ”表示在寄存器
在特定网络版地址已经写入数据
特定网络版和设备已准备好为另一个指令
化。
写周期需要每个字典型4毫秒。
DS20067G第4页
1996年Microchip的科技公司
93AA46/56/66
2.8
清除所有（ ERAL ）
2.9
写入所有（ WRAL ）
ERAL指令会删除存储器的全部
阵的逻辑“1”状态。 ERAL周期是相同的
要擦除周期除了不同的操作码。该
ERAL周期完全自定时的，开始于
在CS的下降沿。 CLK引脚的时钟不
该设备后，需要进入自动计时
模式。 ERAL指令保证在5V
±
10%.
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CSL
）和整个写周期的结束之前。
ERAL周期需要（ 8毫秒典型值） 。
WRAL指令将写入整个存储器阵列
在命令中的数据特定网络版。该WRAL
周期完全自定时的，开始于
掉落在CS的边缘。 CLK引脚的时钟不
该设备后，需要进入自动计时
模式。该WRAL命令还带有一个自动
马蒂奇ERAL周期为设备。因此， WRAL
指令不需要ERAL指令，但
芯片必须处于EWEN状态。该WRAL指令
化定能在5V
±
10%.
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低（T
CSL
).
该WRAL周期为16 ms的典型。
图2-1：
同步数据时序
V
IH
CS
V
IL
V
IH
CLK
V
IL
T
DIS
V
IH
DI
V
IL
T
PD
DO
（READ ）
V
OH
V
OL
T
SV
状态有效
T
CZ
T
PD
T
CZ
T
DIH
T
CSS
T
长实
T
CKL
T
CSH
尽诉
OH
（ PROGRAM ）
V
OL
图2-2：
CS
读时序
T
CSL
CLK
DI
1
1
0
一个
A0
DO
三州
三态“
0
Dx
D0
DX *
D0
DX *
D0
三州是美国国家半导体股份有限公司的注册商标。
1996年Microchip的科技公司
DS20067G第5页
QQ：2880707522 复制
