903
高速比较器
V
CC
1
IN + 2
IN- 3
V
EE
4
+
8 V
DD
UT
7 O
ND
6 G
5 LATC
H
-
内存
F
EATURES
:
高速，低功耗电压比较器
R
AD
-P
AK
抗辐射抗
自然空间辐射
总剂量硬度： 100拉德（ Si）的典型;
依赖于轨道
典型为8ns传播延迟
18mW功率功耗（典型值在+ 5V ）
独立的模拟和数字电源
灵活的模拟电源： + 5V至+ 10V或± 5V
输入范围包括负供电轨
TTL兼容输出
TTL兼容的输入锁存器
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 903高速，低
电源电压比较器具有差分
模拟输入和TTL逻辑输出，
积极的内部上拉电阻。在903可以是pow-
从独立的模拟和数字电源ERED
电源或从一个单一的综合柔顺
电压。模拟输入的共模
范围包括负轨，使
从单电源时，地面感应
供应量。当从+ 5V ， 903 CON-供电
sumes 18mW功率。在903配备有一个TTL
兼容锁存输入。比较器的输出
当锁存输入被拉低锁存。
能存活的空间环境中，所述的
903是理想的卫星，飞船和空间
探测任务。麦克斯韦技术'巳
ented
R
AD
-P
AK
封装技术，新断路器
porates辐射屏蔽的微电路
封装。它消除了屏蔽盒，而亲
人们提供终身的轨道或太空任务。在
GEO轨道， RAD- PAK提供大于
100拉德（ Si）的辐射剂量率。本产品
可与筛选来上课S.
02年9月12日REV 1
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903
T
美东时间
高速比较
T
ABLE
3. AC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= +5V, V
EE
= -5V ，L
ATCH
= L
逻辑
H
室内运动场
, T
A
= T
分钟
T
最大
,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
锁存器来禁用
输出高延迟
锁存器来禁用
输出低延时
最小建立时间
最小保持时间
最小的锁
禁止脉冲宽度
1.设计保证。
S
YMBOL
TPD +
Tpd-
ts
th
TPW
C
ONDITIONS
2
S
UB
G
ROUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
M
IN
T
YP
10
12
2
1
10
M
AX
U
尼特
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
2
2
2.由于切换涉及闩测量的困难和重要的性质，这些参数不能
在生产环境中进行测试。列出的典型规格是从测量使用的是高取
速度测试夹具。
内存
T
ABLE
4.直流ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= +5V, V
EE
= -5V ，L
ATCH
= L
逻辑
H
室内运动场
, T
A
= T
分钟
T
最大
U
NLESS
O
THERWISE
S
PECIFIED
)
P
ARAMETER
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
S
YMBO
L
T
美东时间
C
ONDITIONS
V
CM
= 0V,
V
O
= 1.4V
I
IN +
还是我
IN-
V
CM
= 0V,
V
O
= 1.4V
1
S
UBGROUP
S
M
IN
--
--
--
V
EE
-
0.1
--
T
YP
2
6
200
--
120
M
AX
6
15
800
V
CC
-
2.25
500
U
尼特
mV
A
nA
V
V/V
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
-5V < V
CM
＆ LT ;
+2.75,
V
O
= 1.4V,
2
2
电源抑制比
输出高电压
输出低电压
锁存输入电压高
锁存输入电压低
锁存输入电流高
锁存输入电流低
PSRR
V
OH
V
OL
V
LH
V
LL
I
LH
I
LL
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
2.4
--
--
0.8
--
--
150
3.5
0.3
1.4
1.4
1
1
500
--
0.4
2.0
--
20
20
V/V
V
V
V
V
A
A
V
IN
>为250mV ，
I
SRC
= 1毫安
V
IN
>为250mV ，
I
SINK
= 8毫安
V
LH
= 3.0V
V
LL
= 0.3V
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1, 2, 3
1, 2, 3
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903
S
YMBO
L
高速比较
T
ABLE
4.直流ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= +5V, V
EE
= -5V ，L
ATCH
= L
逻辑
H
室内运动场
, T
A
= T
分钟
T
最大
U
NLESS
O
THERWISE
S
PECIFIED
)
P
ARAMETER
正模拟电源电流
负模拟电源电流
数字电源电流
功耗
T
美东时间
C
ONDITIONS
S
UBGROUP
S
M
IN
--
--
--
--
T
YP
2.5
2
1
18
M
AX
6
5
2.5
28
U
尼特
mA
mA
mA
mW
I
CC
I
EE
I
DD
P
D
V
CC
= V
DD
= +5V,
V
EE
= 0V
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1.输入共模电压或任一输入信号电压不应该被允许通过去负
以上低于V 0.2V
EE
。的共模电压范围的上限通常为V
CC
-0.2V ，但
任一个或两个输入端可以去最大V的
CC
+ 0.2V而不会损坏。
2.测试时间+ 4.75V<V
CC
< + 5.25V ，和-5.25V<V
EE
<-4.75V与V
DD
= + 5V ，但允许模拟
电源电压范围为+ 4.75V<V
CC
< + 10.5V与V单电源供电
EE
接地。
内存
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