8TQ...GSPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 8的
特点
BASE
阴极
2
175 ° （C T）
J
手术
低正向压降
??高频工作
可用的
RoHS指令*
柔顺
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
1
3
阳极
D
2
PAK
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和工业级合格
N / C
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
8A
80/100 V
该8TQ肖特基整流器系列已被优化的低
反向漏电流在高温下。专有的阻隔
向上技术允许可靠运行至175 ℃的结
温度。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
特征
方波
范围
t
p
= 5 μs的正弦
8 APK ，T
J
= 125 °C
范围
值
8
80/100
850
0.58
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
8TQ080GSPbF
80
8TQ100GSPbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 157 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
8
850
A
230
7.50
0.5
mJ
A
单位
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 0.5 A ， L = 60毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94264
修订： 17 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
8TQ...GSPbF
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
8A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
16 A
8A
16 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.72
0.88
0.58
0.69
0.28
7
500
8.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器， 8的
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
案例D型
2
PAK
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
见图。 4
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 55 175
2
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
打标设备
8TQ100GS
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94264
修订： 17 -APR- 08
8TQ...GSPbF
肖特基整流器， 8的
日前，Vishay高功率产品
1000
100
T
J
= 175 °C
I
R
- 反向电流（mA ）
10
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
100
T
J
= 150 °C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94264
修订： 17 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
8TQ...GSPbF
日前，Vishay高功率产品
180
肖特基整流器， 8的
7
允许外壳温度（ ℃）
170
165
160
155
150
145
DC
平均功耗（ W）
175
6
5
4
3
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
DC
2
1
0
见注（ 1 ）
140
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和
同
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
(1)
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94264
修订： 17 -APR- 08
8TQ...GSPbF
肖特基整流器， 8的
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
8
1
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
T
2
Q
3
100
4
G
5
S
6
TRL的PbF
7
8
额定电流（ 8 = 8 A）
T = TO- 220
O =肖特基“ Q”系列
电压额定值
G =肖特基代
S =
2
PAK
无=管（ 50件）
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
080 = 80 V
100 = 100 V
8
-
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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包装信息
SPICE模型
http://www.vishay.com/doc?95046
http://www.vishay.com/doc?95058
http://www.vishay.com/doc?95032
http://www.vishay.com/doc?95291
文档编号： 94264
修订： 17 -APR- 08
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5
VS- 8TQ080GSPbF ， VS- 8TQ100GSPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 8的
特点
BASE
阴极
2
D
2
PAK
1
N / C
3
阳极
175 ° （C T）
J
手术
低正向压降
高频率运行
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020规范，无铅最高峰
260 °C
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
符合RoHS指令2002/95 / EC
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
8A
80 V/100 V
描述
在VS- 8TQ ...肖特基整流器系列进行了优化
用于低反向漏电流在高温下。该专利
屏障技术允许可靠运行达175 ℃的
结温。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
特征
方波
范围
t
p
= 5 μs的正弦
8 APK ，T
J
= 125 °C
范围
值
8
80/100
850
0.58
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-8TQ080GSPbF
80
VS-8TQ100GSPbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 157 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
8
850
A
230
7.50
0.5
mJ
A
单位
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 0.5 A ， L = 60毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
文档编号： 94264
修订： 23 -MAR- 10
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1
VS- 8TQ080GSPbF ， VS- 8TQ100GSPbF
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
8A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
16 A
8A
16 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.72
0.88
0.58
0.69
0.28
7
500
8.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器， 8的
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
案例D型
2
PAK
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
见图。 4
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 55 175
2
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
8TQ080GS
8TQ100GS
单位
°C
安装力矩
打标设备
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2
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
文档编号： 94264
修订： 23 -MAR- 10
VS- 8TQ080GSPbF ， VS- 8TQ100GSPbF
肖特基整流器， 8的
日前，Vishay高功率产品
1000
100
T
J
= 175 °C
I
R
- 反向电流（mA ）
10
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
100
T
J
= 150 °C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94264
修订： 23 -MAR- 10
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
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3
VS- 8TQ080GSPbF ， VS- 8TQ100GSPbF
日前，Vishay高功率产品
180
肖特基整流器， 8的
7
允许外壳温度（ ℃）
170
165
160
155
150
145
DC
平均功耗（ W）
175
6
5
4
3
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
DC
2
1
0
见注（ 1 ）
140
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和
同
为V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+ V
d
= 25 V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
(1)
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如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
文档编号： 94264
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VS- 8TQ080GSPbF ， VS- 8TQ100GSPbF
肖特基整流器， 8的
订购信息表
器件代码
日前，Vishay高功率产品
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
8
2
T
3
Q
4
100
5
G
6
S
7
TRL的PbF
8
9
HPP产品后缀
额定电流（ 8 = 8 A）
T = TO- 220
Q =肖特基“ Q”系列
电压额定值
G =肖特基代
S =
2
PAK
无=管（ 50件）
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
080 = 80 V
100 = 100 V
9
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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SPICE模型
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www.vishay.com/doc?95058
www.vishay.com/doc?95032
www.vishay.com/doc?95291
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