8ETX06PbF/8ETX06FPPbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
8一个FRED铂
TM
特点
8ETX06PbF
8ETX06FPPbF
超高速恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
全隔离封装（V
插件
= 2500 V
RMS
)
UL E78996批准
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和工业级合格
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
BASE
阴极
2
1
阴极
3
阳极
1
阴极
3
阳极
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段，在
开关电源，逆变器或随心所欲的AC- DC部分
二极管。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
TO-220AC
TO- 220全白
产品概述
t
rr
（典型值）
I
F（ AV ）
V
R
15纳秒
8A
600 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
FULL- PAK
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 143 °C
T
C
= 106 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
600
8
110
18
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 A
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.3
1.4
0.3
35
17
8.0
马克斯。
-
3.0
1.7
50
500
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
I
R
C
T
L
S
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94032
修订： 08 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
8ETX06PbF/8ETX06FPPbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
8一个FRED铂
TM
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 8的，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
t
rr
I
RRM
Q
rr
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 600 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
15
16
17
40
2.3
4.5
20
100
31
12
195
马克斯。
19
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
反向恢复时间
峰值恢复电流
反向恢复电荷
nC
ns
A
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结到外壳
每腿
（ FULL - PAK ）每腿
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试Condtions
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
机箱样式TO- 220AC
机箱样式TO- 220 FULL- PAK
典型值。
-
1.4
3.4
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
2
4.3
70
-
-
-
12
(10)
8ETX06
8ETX06FP
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94032
修订： 08 - 08
8ETX06PbF/8ETX06FPPbF
超快整流器，
8一个FRED铂
TM
100
1000
T
J
= 175 °C
日前，Vishay高功率产品
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
.
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94032
修订： 08 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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3
8ETX06PbF/8ETX06FPPbF
日前，Vishay高功率产品
10
超快整流器，
8一个FRED铂
TM
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
0.1
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性（ FULL -PAK ）
允许外壳温度（ ℃）
180
180
160
140
120
100
80
60
见注（ 1 ）
40
0
2
4
6
8
10
12
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
DC
允许外壳温度（ ℃）
170
160
DC
150
140
130
见注（ 1 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
I
F（ AV ）
（ A）平均正向电流
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
20
18
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ FULL- PAK ）
平均功耗（ W）
16
14
12
10
8
6
4
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
RMS限制
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 8 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D）的（参见图8） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
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文档编号： 94032
修订： 08 - 08
8ETX06PbF/8ETX06FPPbF
超快整流器，
8一个FRED铂
TM
50
300
250
40
I
F
=
8
A
I
F
= 16 A
200
V
R
= 390
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
日前，Vishay高功率产品
Q
rr
（ NC ）
t
rr
（纳秒）
30
V
R
= 390
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A
150
100
I
F
= 16 A
I
F
=
8
A
20
I
F
= 16 A
50
I
F
=
8
A
I
F
=
8
A
10
100
1000
0
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 10 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
V
R
= 200
V
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 11 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
下
曲线定义
by
t
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 12 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 94032
修订： 08 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
5
公告PD- 20878转。一个10/06
8ETX06PbF
8ETX06FPPbF
超快整流器
特点
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C工作结温
UL E78996批准
无铅（ "PbF"后缀）
t
rr
= 15ns的典型值。
I
F（ AV ）
= 8Amp
V
R
= 600V
说明/应用
本领域超高速恢复二极管的状态设计的正向电压降，超高速优化的性能
恢复时间和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制保证了最佳的整体性能，耐用性
和可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段在开关电源，逆变器，或作为续流的交流 - 直流部
二极管。
红外极其优化的存储电荷和低恢复电流减小开关损耗，并降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
反向重复峰值电压
平均正向电流整流@ T
C
= 143°C
@ T
C
= 106 ° C（ FULLPACK ）
非重复峰值浪涌电流@ T
J
= 25°C
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
110
18
- 65 175
°C
最大
600
8
单位
V
A
表壳款式
8ETX06PbF
8ETX06FPPbF
BASE
阴极
2
1
1
3
3
阴极
阳极
阴极
阳极
TO-220AC
www.irf.com
的TO-220 FULLPACK
1
VS- 8ETX06PbF ， VS- 8ETX06FPPbF
威世半导体
超快整流器， 8的FRED铂
特点
超高速恢复时间
基准超低正向压降
175 ° C的工作结温
TO-220AC
BASE
阴极
2
TO- 220全白
低漏电流
全隔离封装（V
插件
= 2500 V
RMS
)
UL E78996待定
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
1
阴极
3
阳极
1
阴极
3
阳极
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段，在
开关电源，逆变器，或作为续流的交流/直流部
二极管。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
VS-8ETX06PbF
VS-8ETX06FPPbF
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO- 220AC ， TO- 220FP
8A
600 V
3.0 V
15纳秒
175 °C
单芯片
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
FULL- PAK
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 143 °C
T
C
= 106 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
600
8
110
18
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.3
1.4
0.3
35
17
8.0
马克斯。
-
3.0
1.7
50
500
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 94032
修订： 28 -APR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 8ETX06PbF ， VS- 8ETX06FPPbF
威世半导体
超快整流器， 8的FRED铂
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 8的，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
t
rr
I
RRM
Q
rr
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 600 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
15
16
17
40
2.3
4.5
20
100
31
12
195
马克斯。
19
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
反向恢复时间
峰值恢复电流
反向恢复电荷
nC
ns
A
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结到外壳
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装表面平整，光滑和脂润滑
测试Condtions
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
机箱样式TO- 220AC
机箱样式TO- 220 FULL- PAK
典型值。
-
1.4
3.4
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
2
4.3
70
-
-
-
12
(10)
8ETX06
8ETX06FP
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
（ FULL - PAK ）
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
100
1000
T
J
= 175 °C
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
文档编号： 94032
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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2
VS- 8ETX06PbF ， VS- 8ETX06FPPbF
超快整流器， 8的FRED铂
威世半导体
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
.
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
0.1
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性（ FULL -PAK ）
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威世半导体
180
超快整流器， 8的FRED铂
20
18
允许外壳温度（ ℃）
170
平均功耗（ W）
16
14
12
10
8
6
4
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
RMS限制
160
DC
150
140
130
见注（ 1 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I
F（ AV ）
（ A）平均正向电流
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
180
160
140
120
100
80
60
见注（ 1 ）
40
0
2
4
6
8
10
12
10
100
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
40
50
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 8 - 正向功率损耗特性
允许外壳温度（ ℃）
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
t
rr
（纳秒）
DC
30
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
1000
20
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ FULL- PAK ）
300
250
200
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
Q
rr
（ NC ）
150
100
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
I
F
= 16 A
50
0
100
I
F
= 8 A
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 10 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D）的（参见图8） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 11 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 12 - 反向恢复波形和定义
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