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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符8型号页 > 首字符8的型号第175页 > 8ETL06SPBF
VS- 8ETL06SPbF , VS- 8ETL06-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
VS-8ETL06SPbF
VS-8ETL06-1PbF
特点
基准超低正向压降
超高速恢复时间
低漏电流
175 ° C的工作结温
BASE
阴极
2
2
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
符合RoHS指令2002/95 / EC
1
N / C
3
阳极
1
N / C
3
阳极
AEC- Q101标准
D
2
PAK
TO-262
描述
最先进的技术,超低V
F
,软开关超快
整流器的连续优化(严重)模式( DCM )
功率因数校正( PFC ) 。
的最小的导通损耗,优化存储的电荷
和低恢复电流最小化开关损耗和
降低了损耗在开关元件和
缓冲器。
该装置还打算用作续流二极管
在电源和其它电源开关应用。
产品概述
V
F
(典型值)
I
F( AV )
V
R
0.96 V
8A
600 V
应用
AC / DC开关电源70瓦到400瓦
例如笔记本电脑和打印机的电源适配器,台式电脑,电视和
显示器,游戏单元和DVD的交流 - 直流电源。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 160 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
马克斯。
600
8
175
16
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压,
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A,T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.96
0.81
0.05
20
17
8.0
马克斯。
-
1.05
0.86
5
100
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号: 94029
修订: 11 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1
VS- 8ETL06SPbF , VS- 8ETL06-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ,二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 8的,二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
60
150
170
250
15
20
1.3
2.6
马克斯。
100
250
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
μC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻,
结每腿区分
热阻,
每个路口站到环境
热阻,
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面,平整,光滑,
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
1.4
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
2
70
-
-
-
12
(10)
8ETL06S
8ETL06-1
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
° C / W
单位
°C
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94029
修订: 11 -MAR- 10
VS- 8ETL06SPbF , VS- 8ETL06-1PbF
超低V
F
超快整流器
日前,Vishay高功率产品
不连续模式PFC , 8的FRED铂
100
100
T
J
= 175 °C
I
F
- 正向
电流(A )
I
R
- 反向电流( μA )
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.001
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降( V)
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
100
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94029
修订: 11 -MAR- 10
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www.vishay.com
3
VS- 8ETL06SPbF , VS- 8ETL06-1PbF
日前,Vishay高功率产品
180
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
450
400
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
允许外壳温度( ℃)
175
350
170
300
t
rr
(纳秒)
250
200
150
100
50
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
1000
165
DC
160
155
见注( 1 )
150
0
2
4
6
8
10
12
14
方波( D = 0.50 )
为V
R
应用的
0
100
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
12
RMS限制
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
5000
4500
4000
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
平均功耗( W)
10
8
3500
Q
rr
( NC )
6
4
2
0
0
2
4
6
8
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
3000
2500
2000
1500
1000
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
10
12
500
100
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94029
修订: 11 -MAR- 10
VS- 8ETL06SPbF , VS- 8ETL06-1PbF
超低V
F
超快整流器
日前,Vishay高功率产品
不连续模式PFC , 8的FRED铂
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号: 94029
修订: 11 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
5
8ETL06SPbF/8ETL06-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
TM
8ETL06SPbF
8ETL06-1PbF
特点
基准超低正向压降
超快恢复时间
低漏电流
175 ° C的工作结温
铅(Pb ) -free ( “的PbF ”后缀)
设计和合格的Q101级
可用的
RoHS指令*
柔顺
BASE
阴极
2
2
描述
最先进的技术,超低V
F
,软交换超快整流器
对于连续优化(严重)模式( DCM )电源
因数校正(PFC ) 。
的最小的导通损耗,优化存储的电荷和
低恢复电流最小化开关损耗和
降低了损耗在开关元件和
缓冲器。
该装置还打算用作续流二极管
在电源和其它电源开关应用。
1
N / C
3
阳极
1
N / C
3
阳极
D
2
PAK
TO-262
产品概述
V
F
(典型值)
I
F( AV )
V
R
0.96 V
8A
600 V
应用
AC- DC开关电源70瓦到400瓦
例如笔记本电脑和打印机的电源适配器,台式电脑,电视和
监控,游戏单位和DVD的AC -DC电源。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 160 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
马克斯。
600
8
175
16
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压,
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 A
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A,T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.96
0.81
0.05
20
17
8.0
马克斯。
-
1.05
0.86
5
100
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 94029
修订: 21 08年5月
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
8ETL06SPbF/8ETL06-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
TM
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ,二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 8的,二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
60
150
170
250
15
20
1.3
2.6
马克斯。
100
250
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
C
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻,
结每腿区分
热阻,
每个路口站到环境
热阻,
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面,平整,光滑,
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
1.4
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
2
70
-
-
-
12
(10)
8ETL06S
8ETL06-1
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
° C / W
单位
°C
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94029
修订: 21 08年5月
8ETL06SPbF/8ETL06-1PbF
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
TM
100
日前,Vishay高功率产品
100
T
J
= 175 °C
I
F
- 正向
电流(A )
I
R
- 反向电流( μA )
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.001
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降( V)
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
100
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94029
修订: 21 08年5月
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
8ETL06SPbF/8ETL06-1PbF
日前,Vishay高功率产品
180
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
TM
450
400
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
允许外壳温度( ℃)
175
350
170
300
t
rr
(纳秒)
250
200
150
100
50
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
1000
165
DC
160
155
见注( 1 )
150
0
2
4
6
8
10
12
14
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
0
100
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
12
RMS限制
5000
4500
4000
I
F
= 16 A
I
F
=
8
A
平均功耗( W)
10
8
3500
Q
rr
( NC )
6
4
2
0
0
2
4
6
8
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
3000
2500
2000
1500
1000
V
R
= 390
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
10
12
500
100
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94029
修订: 21 08年5月
8ETL06SPbF/8ETL06-1PbF
超低V
F
超快整流器
不连续模式PFC , 8的FRED铂
TM
V
R
= 200
V
日前,Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
曲线定义
by
t
rr
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号: 94029
修订: 21 08年5月
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
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5
初步
公告PD- 21075转。一个11/06
8ETL06SPbF
8ETL06-1PbF
超低V
F
超快整流器不连续模式PFC
特点
基准的超低正向压降
超快恢复时间
低漏电流
175 ° C工作结温
无铅( "PbF"后缀)
V
F
= 0.96V (典型值) 。
I
F( AV )
= 8Amp
V
R
= 600V
描述
最先进的技术,超低V
F
,为连续优化软开关超高速整流器(严重)模式( DCM )
功率因数校正( PFC ) 。
的最小的导通损耗,优化的存储电荷和低恢复电流最小化开关损耗和
降低了损耗在开关元件和缓冲电路。
该装置还适合用作电源中一个续流二极管和其它功率开关
应用程序。
应用
AC-DC开关电源70W -400W
例如笔记本&打印机AC适配器,台式电脑,电视&监视器,游戏单位和DVD的AC -DC电源。
绝对最大额定值
参数
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
反向重复峰值电压
平均正向电流整流@ T
C
= 160°C
非重复峰值浪涌电流@ T
J
= 25°C
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
最大
600
8
175
16
- 65 175
单位
V
A
°C
表壳款式
8ETL06SPbF
8ETL06-1PbF
BASE
阴极
2
2
1
3
1
3
N / C
阳极
N / C
阳极
D
2
PAK
www.irf.com
TO-262
1
8ETL06SPbF , 8ETL06-1PbF
公告
PD- 21075转。一个11/06
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
BR
, V
r
V
F
击穿电压,
阻断电压
正向电压
最小值典型值最大值单位测试条件
600
-
-
-
-
V
V
V
μA
μA
pF
nH
I
R
= 100μA
I
F
= 8A ,T
J
= 25°C
I
F
= 8A ,T
J
= 150°C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150℃ ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 600V
测铅铅从封装体5毫米
0.96 1.05
0.81 0.86
0.05
20
17
8.0
5
100
-
-
I
R
反向漏电流
-
-
C
T
L
S
结电容
串联电感
-
-
动态恢复特性@ T
C
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
t
rr
反向恢复时间
最小值典型值最大值单位测试条件
-
-
-
-
60
150
170
250
15
20
1.3
2.6
100
250
-
-
-
-
-
-
μC
A
ns
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 30V
I
F
= 8A ,二
F
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 30V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 8A
di
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 390V
I
RRM
峰值恢复电流
-
-
Q
rr
反向恢复电荷
-
-
热 - 机械特性
参数
T
J
T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
热电阻,案件散热器
重量
安装力矩
每腿
每腿
- 65
- 65
-
-
-
-
-
6.0
5.0
典型值
-
-
1.4
-
0.5
2.0
0.07
-
-
最大
175
175
2
70
-
-
-
12
10
单位
°C
° C / W
g
(盎司)
公斤 - 厘米
lbf.in
2
打标设备
8ETL06S
8ETL06-1
案例D型白
机箱样式TO- 262
典型的插座安装
安装表面平整,光滑和脂润滑
2
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8ETL06SPbF , 8ETL06-1PbF
公告
PD- 21075转。一个11/06
100
100
10
1
0.1
0.01
TJ = 175℃
150C
125C
100C
75C
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
T = 175℃
J
T = 150℃
J
中T = 25℃
J
反向电流 - I
R
(μA)
0.001
100
200
300
400
500
600
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
100
1
结电容 - C
T
(PF )
T J = 25°C
0.1
0.4
10
0.8
1.2
1.6
2
0
100
200
300
400
500
600
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 典型正向压降特性
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
10
热阻抗Z
thJC
( ° C / W)
1
0.1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
(热电阻)
注意事项:
P
DM
t1
t2
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.001
0.01
0.1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特征
0.0001
1
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3
8ETL06SPbF , 8ETL06-1PbF
公告
PD- 21075转。一个11/06
180
允许外壳温度( ℃)
平均功耗(瓦)
12
10
8
6
4
2
0
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
175
170
165
160
155
见说明( 3 )
DC
方波( D = 0.50 )
额定Vr的应用
RMS限制
150
0
2
4
6
8
10
12
14
平均正向电流 - I
F
(AV)
(A)
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流 - I
F
(AV)
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
450
400
350
300
QRR ( NC )
TRR ( NS )
IF = 16 A
如果= 8的
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
V
R
= 390V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
IF = 16 A
如果= 8的
250
200
150
100
50
0
100
di
F
/ DT ( A / μs)内
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
1000
500
100
V
R
= 390V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
1000
1000
di
F
/ DT ( A / μs)内
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(3)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
; PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
@ (I
F( AV )
/
D) (参照图8) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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8ETL06SPbF , 8ETL06-1PbF
公告
PD- 21075转。一个11/06
反向恢复电路
V
R
= 200V
0.01
Ω
L = 70μH
D.U.T.
DIF / DT
调整
di
F
/ DT
D
G
IRFP250
S
图。 9-反向恢复参数测试电路
3
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
4
Q
rr
2
I
RRM
0.5 I
RRM
二( REC )M / DT
0.75 I
RRM
5
1
di
F
/ DT
f
4. Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
RRM
t
rr
X我
RRM
Q
rr
=
2
5.迪
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
1.迪
F
/ DT - 率的电流变化,通过零
路口
2. I
RRM
- 峰值反向恢复电流
3. t
rr
- 从零测量的反向恢复时间
负向我的交叉点
F
以点
线路途经0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推至零电流
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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IR
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联系人:刘经理
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600
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全新原装正品/质量有保证
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