VS - 8E2TX06 -E , VS - 8E2TX06 -M , VS - 8E2TX06FP -E
威世半导体
超快整流器, 8的FRED铂
特点
超快恢复时间,极低的Q
rr
175°C最高工作结温
对于CCM PFC操作
真正的2引脚封装
低正向压降
低漏电流
全隔离封装(V
插件
= 2500 V
RMS
)
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
设计和工业级合格
2L TO- 220AC
BASE
阴极
2
2L TO- 220 FULL- PAK
1
阴极
3
阳极
1
阴极
2
阳极
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能,超快
恢复时间,和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制保证了最佳的整体性能,耐用性
和可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段,在
开关电源,逆变器,或作为续流的交流 - 直流部
二极管。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
VS-8E2TX06
VS-8E2TX06FP
产品概述
包
I
F( AV )
V
R
V
F
在我
F
t
rr
(典型值)。
T
J
马克斯。
二极管的变化
2L的TO- 220AC ,2L的TO-220的FP
8A
600 V
3.2 V
13纳秒
175 °C
单芯片
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
FULL- PAK
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 129 °C
T
C
= 71 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
600
8
77
16
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压,
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A,T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.5
1.6
0.3
30
6
8
马克斯。
-
3.2
2.0
40
400
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号: 93171
修订: 18 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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1
VS - 8E2TX06 -E , VS - 8E2TX06 -M , VS - 8E2TX06FP -E
威世半导体
超快整流器, 8的FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ,二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V
I
F
= 8.0 A ,二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 600 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 600 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 600 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
13
14
16
35
25
2.3
3.8
10
16
62
131
马克斯。
18
23
-
-
-
-
-
A
-
-
-
nC
-
ns
单位
T
J
= 25 °C
峰值恢复电流
I
RRM
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
反向恢复电荷
Q
rr
T
J
= 125 °C
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻,
结到外壳
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面,平整,光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
-
6
(5)
封装类型TO- 220
机箱样式TO- 220 FULL- PAK
典型值。
-
2
5
-
0.5
2
0.07
-
马克斯。
175
2.4
5.5
70
-
-
-
12
(10)
8E2TX06
8E2TX06FP
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
° C / W
单位
°C
FULL- PAK
热阻,
每个路口站到环境
典型热阻,
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
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文档编号: 93171
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VS - 8E2TX06 -E , VS - 8E2TX06 -M , VS - 8E2TX06FP -E
超快整流器, 8的FRED铂
威世半导体
I
F
- 正向电流(A )
100
1000
I
R
- 反向电流(mA )
100
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 50 °C
10
T
J
= 175 °C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 75 °C
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.2
T
J
= 25 °C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
93171_02
0
10
20
30
40
50
93171_01
V
F
- 正向压降( V)
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
100
C
T
- 结电容(pF )
10
1
0
93171_03
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
0.1
1
单身
脉冲
(热电阻)
0.1
0.00001
0.0001
0.001
93171_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性( TO-220 )
文档编号: 93171
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威世半导体
超快整流器, 8的FRED铂
10
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
1
单身
脉冲
(热电阻)
0.1
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
93171_05
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性( FULL -PAK )
允许外壳温度( ℃)
允许外壳温度( ℃)
180
170
160
DC
150
140
130
120
SEE
注(1)
110
0
2
4
6
8
10
12
方
波( D = 0.50 )
80 %为V
R
应用的
170
150
130
DC
110
90
70
50
SEE
注(1)
30
0
2
4
6
8
10
12
方
波( D = 0.50 )
80 %为V
R
应用的
93171_06
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流( TO- 220 )
25
93171_07
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流( FULL- PAK )
平均功耗( W)
20
15
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
0
2
4
6
8
10
12
10
5
0
93171_08
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 8 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
转
)个R
thJC
; PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
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超快整流器, 8的FRED铂
威世半导体
40
40
35
30
I
F
= 8 A,T
J
= 125 °C
30
I
F
= 8 A,T
J
= 125 °C
Q
rr
( NC )
20
I
F
= 8 A,T
J
= 25 °C
t
rr
(纳秒)
25
20
I
F
= 8 A,T
J
= 25 °C
15
10
100
93171_09
1000
10
100
93171_10
1000
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 10 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 11 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 12 - 反向恢复波形和定义
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修订: 18 - 8 - 10
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5