89LV1632
16兆位（ 512K ×32位）
低电压SRAM MCM
16兆位（ 512K ×32位） SRAM MCM
CS 1-4
地址
OE ， WE
89LV1632
动力
4MB SRAM
4MB SRAM
4MB SRAM
4MB SRAM
地
MCM
内存
I / O 0-7
I / O 8-15
I / O 16-23
I / O 24-31
逻辑图
F
EATURES
:
四个512K ×8 SRAM芯片
R
AD
-P
AK
技术变硬对自然空间辐射
化技术
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应：
- SEL > 101MeV厘米
2
/毫克
- SEU阈值= 3兆电子伏特厘米
2
/毫克
- SEU饱和截面： 8E- 9厘米
2
/位
封装： 68引脚四方扁平封装
完全静态存储器 - 无时钟或定时选通
需要
内部旁路电容
高速硅栅CMOS技术
3.3 V± 10 ％电源
平等的地址和芯片使能存取时间
三态输出
所有输入和输出为TTL兼容
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 89LV1632高性能的16兆
位的多芯片模块（ MCM）的静态随机存取存储器
拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受性，
根据太空任务。四个4兆位的SRAM芯片
和旁路电容器被掺入了高可靠
密封四方扁平封装陶瓷封装。凭借高性
曼斯硅栅CMOS技术， 89LV1632降低
功耗，并且消除了对外部
时钟或定时选通。它配备有输出使能
（ OE ）和四个字节的芯片使能（ CS1 - CS4 ）输入允许
更大的系统灵活性。当OE输入为高电平时，输出为
强制为高阻抗。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
包装提供了更大的
超过100拉德（ Si）的总辐射剂量的耐受性，依赖性
在太空任务。它省去了框屏蔽
同时提供了所需的辐射屏蔽，用于在一生
轨道或太空任务。本产品可用
筛选了麦克斯韦技术自定义类K.
05年8月18日REV 3
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版权所有。
16兆位（ 512K ×32位）低电压SRAM MCM
T
ABLE
1. P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
34-28, 42-36, 62-64, 7, 8
65
66
3-6
43-46, 48-51,53-56, 58-61,
9-12, 14-17, 19-22, 24-27
2, 67, 68
1, 18, 35, 52
13, 23, 47, 57
S
YMBOL
A0-A18
WE
OE
CS1 - CS4
I/O0-I/O31
NC
V
CC
V
SS
D
ESCRIPTION
地址启用
WriteEnable
OUTPUT ENABLE
芯片使能
数据输入/输出
无连接
+ 3.3V电源
地
89LV1632
T
ABLE
2. 89LV1632一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
(V
OLTAGE参考
V
SS
= 0V)
P
ARAMETER
电源电压相到V
SS
电压相对于V
SS
对于任何引脚除V
CC
重量
热阻
功耗
工作温度
储存温度
F
JC
P
D
T
A
T
S
--
-55
-65
S
YMBOL
V
CC
V
IN
, V
OUT
M
IN
-0.5
-0.5
M
AX
+7.0
V
CC
+0.5
42
3.6
4.0
+125
+150
U
尼特
V
V
克
°
C / W
内存
W
°
C
°
C
T
ABLE
3. 89LV1632
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V AC（脉冲宽度为10ns < ） ，因为我< 80毫安。
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流; （脉冲宽度< 20纳秒）为我< 80毫安。
S
YMBOL
V
CC
V
IH
V
IL
M
IN
3.0
2.2
-0.5
(2)
M
AX
3.6
V
CC
+ 0.5
(1)
0.8
U
尼特
V
V
V
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16兆位（ 512K ×32位）低电压SRAM MCM
T
ABLE
4. 89LV1632
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC
I
SB
I
SB1
I
LI
V
ARIATIONL
所述的值，在表5 + 10％
所述的值，在表5 + 10％
所述的值，在表5 + 10％
所述的值，在表5 + 10％
89LV1632
T
ABLE
5. 89LV1632 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
平均工作电流
周期时间：
35纳秒
待机电源电流
CMOS备用电源
当前
输出低电压
输出高电压
输入电容
1
CS1 - CS4 ，
OE ， WE
I / O0-7 ， I / O8-15 ， I / O16-23 ，
I/O24-31
A0 - A18
输出电容
1
1.设计保证。
S
YMBOL
T
美东时间
C
ONDITIONS
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
= 0至V
CC
CS = V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比， CS = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS = V
IH
，最小周期
CS > V
CC
- 0.2V ， F = 0兆赫，V
IN
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V或
V
IN <
0.2V
I
OL
= + 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
V
IN
= 0 V
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
--
M
IN
-8.0
-8.0
T
YP
--
--
--
640
240
40
mA
mA
M
AX
+8.0
+8.0
U
尼特
uA
uA
内存
mA
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
C
IN
1, 2, 3
1, 2, 3
4, 5, 6
--
2.4
--
--
0.4
--
7
28
7
7
28
V
V
pF
C
OUT
V
I / O
= 0 V
4, 5, 6
8
pF
T
ABLE
6. 89LV1632 AC
操作摄像机
C
ONDITIONS和
C
极特
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入脉冲电平
输出定时测量参考电平
05年8月18日REV 3
M
IN
0.0
--
T
YP
--
--
M
AX
3.0
1.5
U
尼特
V
V
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(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入的上升/下降时间
输入定时测量参考电平
M
IN
--
--
T
YP
--
--
89LV1632
M
AX
3.0
1.5
U
尼特
ns
V
T
ABLE
6. 89LV1632 AC
操作摄像机
C
ONDITIONS和
C
极特
T
ABLE
7. 89LV1632
EAD
C
YCLE
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
读周期时间
-30
地址访问时间
-30
芯片选择输出
-30
输出使能输出
-30
输出使能为低阻抗输出
-30
芯片使能为低阻抗输出
-30
输出禁止到高阻输出
-30
芯片禁用到高阻输出
-30
从地址变更输出保持
-30
芯片的选择上电时间
-30
芯片选择功率停机
-30
S
YMBOL
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
OLZ
t
LZ
t
OHZ
t
HZ
t
OH
T
PU
T
PD
S
UBGROUPS
9, 10, 11
30
9, 10, 11
--
9, 10, 11
--
9, 10, 11
--
9, 10, 11
--
9, 10, 11
--
9, 10, 11
--
9, 10, 11
--
9, 10, 11
3
9, 10, 11
9, 10, 11
--
--
--
0
20
--
--
--
ns
ns
8
--
ns
8
--
ns
3
--
ns
0
--
ns
--
-
--
30
--
30
ns
--
--
ns
M
IN
T
YP
M
AX
U
尼特
ns
内存
ns
14
ns
T
ABLE
8. 89LV1632 F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
CS
H
L
L
L
1， X =无关。
05年8月18日REV 3
WE
X
1
H
H
L
OE
X
1
H
L
X
1
M
ODE
不选择
输出禁用
读
写
I / O P
IN
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
S
UPPLY
C
光凭目前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
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16兆位（ 512K ×32位）低电压SRAM MCM
T
ABLE
9. 89LV1632 W
RITE
C
YCLE
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
写周期时间
-30
片选写的结束
-30
地址建立时间
-30
地址有效到写结束
-30
把脉冲宽度（ OE高）
-30
把脉冲宽度（ OE低）
-30
写恢复时间
-30
写入输出高阻
-30
数据写入时间重叠
-30
从时间写数据保持
-30
结束写入到输出低Z
-30
S
YMBOL
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
S
UBGROUPS
9, 10, 11
30
9, 10, 11
20
9, 10, 11
0
9, 10, 11
20
9, 10, 11
20
9, 10, 11
30
9, 10, 11
0
9, 10, 11
--
9, 10, 11
14
9, 10, 11
0
9, 10, 11
--
3
9
M
IN
T
YP
89LV1632
M
AX
--
U
尼特
ns
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
ns
--
内存
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