LM119 / LM219 / LM319高速双比较器
1999年5月
LM119/LM219/LM319
高速双比较器
概述
该LM119系列精密高速双compara-
器制造的单芯片。他们是否变形
签署到一个宽范围的电源电压工作在向下
单一5V逻辑电源和地。另外，它们具有
高增益和低输入电流不是像设备
LM710 。输出级的未提交的集电极
使得与RTL ， DTL和TTL的LM119兼容，以及
作为能够驱动灯和继电器的电流达25
毫安。
该LM319A提供了改进的精度超过标准
LM319 ，对偏移电压更小的公差，偏移电流
房租，电压增益。
n
采用单5V电源
n
通常为80纳秒的响应时间
±
15V
n
最低扇出的2每侧
n
1 μA过温最大输入电流
n
输入和输出可以从系统地隔离
n
高共模转换速率
虽然主要设计用于需要操作的应用
从化数字逻辑电源时， LM119系列是完全
电源提供高达指定
±
15V 。它具有更快的再
sponse比LM111在更高的功率显示为代价
sipation 。然而，高速，宽的工作电压
范围和低包计数使LM119更多
多才多艺的不是像LM711的旧设备。
该LM119是从-55℃至+ 125℃的LM219是
从-25℃至+ 85℃ ，并且LM319A和LM319指定
从0°C被指定为+ 70°C 。
特点
n
两个独立的比较
接线图
双列直插式封装
DS005705-4
注1 ：
也可每SMD ＃ 8601401或JM38510 / 10306
顶视图
订单号LM119J ， LM119J / 883
（注1 ） ，
LM219J ， LM319J ， LM319AM ， LM319M ，
LM319AN或LM319N
见NS包装数J14A ， M14A或N14A
1999美国国家半导体公司
DS005705
www.national.com
绝对最大额定值
（注8）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压（注2 ）
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联
100 pF的）
功率耗散（注3 ）
输出短路持续时间
存储温度范围
36V
36V
25V
18V
±
5V
±
15V
800V
500毫瓦
10秒
-65_C到150_C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
260C
小外形封装
气相（60秒）
215C
红外（15秒）
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
工作温度范围
LM119
LM219
-55 ° C至125°C
-25℃至85℃
电气特性
（注4 ）
参数
输入失调电压（注5 ）
输入失调电流（注5 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注6）
饱和电压
输出漏电流
输入失调电压（注5 ）
输入失调电流（注5 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
V
S
=
±
15V
V
+
= 5V, V
= 0
V
+
≥
4.5V, V
= 0
V
IN
≤
-6 mV时，我
SINK
≤
3.2毫安
T
A
≥
0C
T
A
≤
0C
输出漏电流
差分输入电压
正电源电流
正电源电流
负电源电流
T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
4.3
8
3
11.5
4.5
V
IN
≥
为5 mV ，V
OUT
= 35V,
V
= V
GND
= 0V
1
0.23
0.4
0.6
10
V
V
A
V
mA
mA
mA
12
1
条件
民
T
A
= 25 ° C，R
S
≤
5k
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25 （注7 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
IN
≤
-5 mV时，我
OUT
= 25毫安
T
A
= 25C
V
IN
≥
为5 mV ，V
OUT
= 35V
T
A
= 25C
R
S
≤
5k
10
LM119/LM219
典型值
0.7
30
150
40
80
0.75
0.2
1.5
2
7
100
1000
最大
4.0
75
500
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
A
mV
nA
nA
V
V
单位
±
13
+12
3
±
5
注2 ：
对于电源电压低于
±
15V的绝对最大输入电压等于电源电压。
注3 ：
该LM119的最高结温为150℃，而在LM219的为110℃ 。在H10运行在升高的温度下，设备
包必须基于160C / W ，结到环境或19C / W ，结到外壳的热阻降额。该J14和N14的热阻
套餐为100℃ / W ，结到环境。
注4 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和接地引脚在地面上，和-55
≤
T
A
≤
+ 125℃ ，除非另有说明。与LM219 ，然而，所有
温度规范限制在-25℃
≤
T
A
≤
+ 85℃。失调电压，失调电流和偏置电流参数适用于从任何电源电压
单5V供电最高达
±
15V电源。不要超过16V地面操作设备到V
S
.
注5 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
注6 ：
指定（见定义）的反应时间为5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注7 ：
输出上拉至15V通过一个1.4 kΩ的电阻。
注8 ：
请参阅RETS119X为LM119H / 883和LM119J / 883规格。
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2
绝对最大额定值
LM319A/319
（注8）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压（注9 ）
功率耗散（注10 ）
输出短路持续时间
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联
100 pF的）
36V
36V
25V
18V
±
5V
±
15V
500毫瓦
10秒
800V
存储温度范围
-65_C到150_C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（10秒）
260C
小外形封装
气相（ 60秒）
215C
红外（15秒）。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
工作温度范围
LM319A ， LM319
0 ° C至70℃
电气特性
（注11 ）
参数
输入失调电压（注12 ）
输入失调电流（注12 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注13 ）
饱和电压
输出漏电流
输入失调电压（注12 ）
输入失调电流（注12 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
差分输入电压
正电源电流
正电源电流
负电源电流
T
A
= 25 ，V = 5V ，V = 0
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
+
条件
民
T
A
= 25 ° C，R
S
≤
5k
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25 ° C（注14 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
IN
≤
-10 mV时，我
OUT
= 25毫安
T
A
= 25C
V
IN
≥
为10 mV ，V
OUT
= 35V,
V
= V
GND = 0V ，T
A
= 25C
R
S
≤
5k
20
LM319A
典型值
0.5
20
150
40
80
0.75
0.2
1.5
10
10
300
1000
最大
1.0
40
500
8
民
LM319
典型值
2.0
80
250
40
80
0.75
0.2
1.5
10
10
300
1200
最大
8.0
200
1000
单位
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
A
mV
nA
nA
V
3
V
V
V
mA
12.5
5
mA
mA
0.4
V
S
=
±
15V
V
+
= 5V, V
= 0
V
+
≥
4.5V, V
= 0
V
IN
≤
-10 mV时，我
SINK
≤
3.2毫安
±
13
1
0.3
3
0.4
1
±
13
0.3
±
5
4.3
8
3
12.5
5
4.3
8
3
±
5
注9 ：
对于电源电压低于
±
15绝对最大输入电压等于电源电压。
注10 ：
该LM319A和LM319的最高结温为85℃。对于在升高的温度下操作，在H10包装设备必须被去
基于160C / W ，结到环境或19C / W ，结到外壳的热阻评级。在N14和J14封装的热阻为100℃/ W，
结到环境。 M14的封装的热阻为115℃ / W，结点到环境温度。
注11 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和0°C
≤
T
A
≤
70°C ，除非另有说明。偏置电压，偏置电流和偏置电流的规格
最多申请单5V电源的任何电源电压
±
15V电源。不要超过16V地面操作设备到V
S
.
注12 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
注13 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注14 ：
输出上拉至15V通过一个1.4 kΩ的电阻。
3
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典型性能特性
电源电流
电源电流
LM119A / LM119 / LM219 （续）
输出限制
特征
DS005705-19
DS005705-20
DS005705-21
典型性能特性
输入电流
电源电流
LM319A ， LM319
传输功能
DS005705-22
DS005705-23
DS005705-24
响应时间各种
输入过驱动
响应时间各种
输入过驱动
输入特性
DS005705-25
DS005705-26
DS005705-27
5
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LM119QML
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SNOSAN3B - 2008年7月 - 修订2013年3月
LM119QML高速双比较器
检查样品：
LM119QML
1
特点
可用放射保证
- 高剂量率100拉德（SI ）
- ELDRS免费100拉德（SI ）
两个独立的比较
采用单5V电源
通常为80纳秒，在± 15V响应时间
最低扇出的2每侧
1最大输入电流
μA
过度
温度
输入和输出可以从分离
系统接地
高共模转换速率
描述
该LM119是一个精密高速双
比较器制造的单芯片。它
被设计为工作在很宽的范围内供给的
电压下降到一个单一5V逻辑电源和
地面上。此外，其具有较高的增益和较低的输入
电流比，如LM710设备。该
输出级的未提交的集电极使得
LM119与RTL ， DTL和TTL兼容，以及
能够驱动灯和继电器的电流高达
25毫安。
虽然主要设计用于需要应用
从数字逻辑电源操作时， LM119是
电源提供高达±15V充分说明。它
功能比LM111的响应速度更快
费用较高的功耗。然而，该
高的速度，工作电压范围宽，低
包计数使LM119更加灵活
不是像LM711的旧设备。
2
连接图
CDIP套餐
N / C
N / C
LCCC封装
N / C
N / C
N / C
3
GND 1
N / C
IN + 1
N / C
IN- 1
4
5
6
7
8
9
2
1
20
19
18
17
16
15
14
输出1
N / C
V+
N / C
IN- 2
10
11
12
13
V-
输出2 N / C
GND 2
IN + 2
图1.顶视图
包装数量J0014A
TO- 100封装
图2.顶视图
包装数量NAJ0020A
情况下连接到引脚5 （V
).
图3.顶视图
包装数量LME0010C
1
图4.顶视图
包号NAD0010A ， NAC0010A
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2008-2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM119QML
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原理图
*不要超过16V工作GND和V之间的LM119
+
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
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LM119QML
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(1)
绝对最大额定值
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压
(2)
(3)
36V
36V
25V
18V
±5V
±15V
500毫瓦
10秒
65°C ≤
T
A
≤
150°C
55°C ≤
T
A
≤
125°C
150°C
260°C
功耗
输出短路持续时间
存储温度范围
工作环境温度范围
最高结温（T
J
)
引线温度（焊接， 10秒）
热阻
θ
JA
LCCC封装
LCCC封装
TO- 100封装
TO- 100封装
CDIP套餐
CDIP套餐
CLGA套餐
CLGA套餐
CLGA套餐
CLGA套餐
θ
JC
LCCC封装
TO- 100封装
CDIP套餐
CLGA套餐
CLGA套餐
包装重量
LCCC封装
TO- 100封装
CDIP套餐
CLGA套餐
CLGA套餐
ESD额定值
(1)
(4)
（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
89°C/W
63°C/W
162°C/W
88°C/W
94°C/W
52°C/W
215°C/W
132°C/W
215°C/W
132°C/W
5°C/W
31°C/W
11°C/W
13°C/W
13°C/W
待定
待定
待定
待定
225mg
800V
（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
(2)
(3)
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能，但不保证特定的性能极限。为保证规范和测试条件，请参阅
电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
为供给电压小于±15V的绝对最大输入电压等于电源电压。
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（包结到环境的热阻）和T
A
（环境温度） 。在任何的最大允许功耗
温度为P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
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LM119QML
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表1.质量一致性检验
(1)
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
(1)
MIL-STD -883方法5005 - 第5组
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
4
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LM119QML
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LM119QML
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SNOSAN3B - 2008年7月 - 修订2013年3月
LM119 / 883的电气特性直流参数
以下条件适用，除非另有规定。
符号
+I
CC
-I
CC
I
泄漏
参数
正电源电流
负电源电流
输出漏电流
V
CM
= 0V
笔记
民
最大
11
11.5
-4.2
-4.5
1.8
9.5
10.0
0.47
5
0.95
0.47
5
.95
-3.8
-6.8
-3.8
-6.8
-3.8
-6.8
-3.8
-6.8
-75
-100
-75
-100
-75
-100
-75
-100
3.8
6.8
3.8
6.8
3.8
6.8
3.8
6.8
75
100
75
100
75
100
75
100
1.5
(1)
(1)
(2) (3)
条件
±V
CC
= ±15V, V
O
= LOW
V
+
= 5.6V直通1.4KΩ
±V
CC
= ±15V, V
O
= LOW
V
+
= 5.6V直通1.4KΩ
+
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
A
A
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
K
K
K
K
K
SUB -
群体
1
2
1
2
1
2
3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1, 2
3
4
5, 6
4
5
6
V
CC
= 15V,
-
V
CC
= -1V,
V
GND
= 0V, V
O
= 35V,
V
I
=为5mV
±V
CC
= ±15V
I
IB
输入偏置电流
V
CC
= 5V,
V
CC
= 0V,
V
CM
= 1.5V
+
V
IO
输入失调电压
+
V
CC
= 5V, V
CC
= 0V,
V
CM
= 1V ，R
S
≤
5K
+
V
CC
= 5V, V
CC
= 0V,
V
CM
= 3V ，R
S
≤
5K
±V
CC
= ±15V, V
CM
= 12V,
R
S
≤
5K
±V
CC
= ±15V, V
CM
= -12V,
R
S
≤
5K
I
IO
输入失调电流
+
V
CC
= 5V,
V
CC
= 0V, V
CM
= 1V
V
CC
= 5V, V
CC
= 0V, V
CM
= 3V
+
±V
CC
= ±15V, V
CM
= 12V
±V
CC
= ±15V, V
CM
= -12V
V
SAT
输出饱和电压
±V
CC
= -15V ，我
O
= 25毫安，
V
I
= -5mV
V
CC
= 5V,
V
CC
= 0V,
I
O
= 4.0毫安
+
0.4
0.6
10.5
10
8.0
5.0
5.8
A
V
电压增益
±V
CC
= ± 15V ，台达V
O
= 12V,
R
L
= 1.4K
V
CC
= 5V,
V
CC
= 0V,
台达V
O
= 4.5V ，R
L
= 1.4K
+
,
,
,
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(2) (3)
(2) (4)
(2) (4)
(2) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
输出是通过测量V监控
I
用从0限制为6mV在所有温度下
K = V / mV的。
增益计算与输出摆幅在+ 13.5V至+ 1.5V 。
增益计算与输出摆幅在+ 5.0V至+ 0.5V 。
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