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侧面看包装
PIN光电二极管
描述
中期85H1C安装在特殊的光电二极管
暗塑料封装和适合的IRED
(为850nm / 880nm的)类型。
6.60
(.260)
4.00
(.160)
5.00
(.200)
MID-85H1C
包装尺寸
单位:mm (英寸)
4.00
(.160)
22.60 TYP 。
(.890)
16.00 MIN 。
(.630)
RADIANT敏感区
特点
l
l
l
l
l
高感光度照片
低结电容
高切频率-off
快速开关时间
适用于红外发光二极管的850nm / 880nm的类型
A
1.00MIN.
(.040)
2.54
(.100)
0.50典型。
(.020)
C
注意事项:
1.公差为±0.25毫米( 0.010" ),除非另有说明。
下法兰2.出刃树脂为1.0毫米( 0.040" )最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
绝对最大额定值
@ T
A
=25
o
C
参数
功耗
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
最大额定值
100
-55
o
C至+100
o
C
-55
o
C至+100
o
C
260
o
下5秒
单位
mW
东贝光电科技有限公司
02/04/2002
MID-85H1C
光电特性
@ T
A
=25
o
C
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
=0.1mA
Ee=0
反向暗电流
V
R
=10V
Ee=0
开路电压
λ=850nm
Ee=0.1mW/cm
2
上升时间
下降时间
光电流
V
R
=10V
λ=850nm
R
L
=50
V
R
=5V,
λ=850nm
Ee=0.1mW/cm
2
总电容
V
R
= 3V , F = 1MH
z
Ee=0
C
T
25
pF
Tr
Tf
I
L
50
50
9
A
V
OC
350
mV
I
D
30
nA
符号
V
( BR )R
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
纳秒
典型的光 - 电特性曲线
4000
100
暗电流IR - pA的
电容C - pF的
3000
80
60
40
20
0
2000
1000
0
0
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
反向Volatage - V
R
图1中的暗电流VS反向电压
TEMP=25
o
C, EE = 0毫瓦/平方厘米
2
反向电压 - V
R
图2电容比。反向电压
F = 1MHz的; EE = 0mW /厘米
2
总功率耗散毫瓦
200
150
1000
暗电流IR - NA
0
20
40
60
80
100
100
100
50
0
10
1
0.1
环境温度 - C
图3总功耗
- 环境温度
o
0
20
40
60
80
o
100
环境温度 - C
图4中的暗电流VS环境温度
V
R
= 10V , EE = 0毫瓦/平方厘米
2
东贝光电科技有限公司
02/04/2002
MID-85H1C
典型的光 - 电特性曲线
相对光谱灵敏度
100
80
60
1000
IP -
A
Photocurrnet
100
10
40
20
0
700
800
900 1000 1100 1200
1
0.1
0.01
0.1
1
2
10
波长纳米
图5相对光谱灵敏度
VS.波长
辐照夷(毫瓦/平方厘米)
图6光电流VS.
辐照度= 850纳米
0° 10° 20°
30°
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
90°
0.5 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6
相对灵敏度
图7灵敏度框图
东贝光电科技有限公司
02/04/2002
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