江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
8550S
晶体管（ PNP
）
TO—92
特征
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
I
CM
: -0.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: -40
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
1.EMITTER
2.收集
3.BASE
1 2 3
除非
TEST
否则
民
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
-0.1
-0.1
-0.1
条件
IC = -100
μＡ
, I
E
=0
IC = -0.1毫安，
I
E
= -100
μ
A，
V
CB
= -40 V ,
V
CE
= -20 V ,
V
EB
= - 3
V，
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
-40
-25
-5
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
= -1 V，I
C
= -50m一
V
CE
= -1 V，I
C
= -500m一
I
C
= -500mA ，我
B
= -50毫安
I
C
= -500mA ，我
B
= -50毫安
V
CE
=- 6 V,
I = -20mA
C
85
50
300
-0.6
-1.2
V
V
跃迁频率
f
T
f =
30MHz
150
兆赫
分类h及
FE
(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
8550S
晶体管（ PNP
）
TO—92
特征
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
I
CM
: -0.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: -40
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
1.EMITTER
2.收集
3.BASE
1 2 3
除非
TEST
否则
民
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
-0.1
-0.1
-0.1
条件
IC = -100
μＡ
, I
E
=0
IC = -0.1毫安，
I
E
= -100
μ
A，
V
CB
= -40 V ,
V
CE
= -20 V ,
V
EB
= - 3
V，
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
-40
-25
-5
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
= -1 V，I
C
= -50m一
V
CE
= -1 V，I
C
= -500m一
I
C
= -500mA ，我
B
= -50毫安
I
C
= -500mA ，我
B
= -50毫安
V
CE
=- 6 V,
I = -20mA
C
85
50
300
-0.6
-1.2
V
V
跃迁频率
f
T
f =
30MHz
150
兆赫
分类h及
FE
(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
TO-92
8550S
晶体管（ PNP ）
特征
优秀
FE
线性
塑料封装晶体管
TO-92
1.
2.
3.
辐射源
集热器
BASE
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
结温和存储温度
价值
-40
-25
-5
-500
625
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
1 2 3
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE
（SAT）
f
T
V
CE
= - 1V ， IC = -500mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= - 6V ，我
C
=-20mA
F = 30MHz的
150
50
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
TEST
条件
民
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
85
400
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
I
C
= -100uA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100uA ，我
C
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
CE
= -20V ，我
B
=0
V
EB
= - 3V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
8550S
低压大电流
小信号PNP
晶体管
特点
*集电极电流高达700mA
*集电极 - 发射极电压高达20 V
*免费为8550S
PNP硅晶体管
3
2
1
SOT-23
1
TO-92
*无铅电镀产品编号： 8550SL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
8550S-x-AE3-R
8550SL-x-AE3-R
8550S-x-T92-B
8550SL-x-T92-B
8550S-x-T92-K
8550SL-x-T92-K
包
SOT-23
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
C
B
E
C
B
填料
带盘
磁带盒
体积
8550SL-x-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23 ， T92 ： TO- 92
（3 ）× ：指h的分类
FE2
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
（对于SOT- 23封装）
B9
铅电镀
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2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R206-002,D
8550S
绝对最大额定值
（ TA = 25
℃
)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散（ TA = 25
℃
)
SOT-23
TO-92
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
C
PNP硅晶体管
等级
-30
-20
-5
单位
V
V
V
350
mW
1
W
集电极电流
I
C
-700
mA
结温
T
J
+150
°
C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°
C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
测试条件
Ic=-100
A，I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100
A,Ic=0
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
EB
=-5V,Ic=0
V
CE
=-1V,Ic=-1mA
V
CE
= - 1V ， IC = -150毫安
V
CE
=-1V,Ic=-500mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-10mA
V
CE
=-10V,Ic=-50mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
民
-30
-20
-5
典型值
最大单位
V
V
V
-1
uA
-100
nA
400
-0.5
-1.2
-1.0
100
9.0
V
V
V
兆赫
pF
100
120
40
分类h及
FE2
秩
范围
C
120-200
D
160-300
E
280-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R206-002,D
8550S
■
PNP硅晶体管
典型特征
静态特性
0.5
直流电流增益
3
10
I
B
=-3.0mA
I
B
=-2.5mA
I
B
=-2.0mA
集电极电流IC （MA ）
V
CE
=-1V
直流电流增益，H
FE
2.0
0.4
2
10
0.3
I
B
=-1.5mA
0.2
I
B
=-1.0mA
I
B
=-0.5mA
1
10
0.1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
集电极 - 发射极电压（ V）
集电极电流IC （MA ）
基射极电压上
2
10
10
4
饱和电压
Ic=10*I
B
集电极电流IC （MA ）
1
10
饱和电压（MV ）
V
CE
=-1V
10
3
V
BE （SAT）
0
10
10
2
V
CE （ SAT ）
1
-1
10
10
0
1
10
10
2
3
10
-1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
基极 - 发射极电压（V）的
集电极电流IC （MA ）
电流增益-bandwidth
产品
电流增益带宽积，
f
T
（兆赫）
3
10
3
10
集电极输出电容
V
CE
=-10V
2
10
电容，COB （PF ）
2
10
f=1MHz
I
E
=0
1
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
0
10
10
1
10
2
10
3
集电极电流Ic （ mA）的
,
集电极 - 基极电压（ V）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 4
QW-R206-002,D
8550S
PNP硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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4 4
QW-R206-002,D
PNP晶体管
-0.5A
8550S
功耗： 0.625W
集电极电流： -0.5A
集电极 - 基极电压： -45V
TO-92
最大额定值和电气特性
（
Ta=25
℃）
参数
符号最小典型最大单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压BVceo下
V
Ic=-0.1mA
-25
集电极 - 基极击穿电压
BVCBO
-45
V
Ic=-100
u
A
发射极 - 基极击穿电压
BVEBO
V
-5
Ie=-100
μ
A
集电极 - 基极漏
ICBO
-0.1
uA
Vcb=-40V
集电极 - 射极漏泄
ICEO
-0.1
uA
Vce=-20V
发射极 - 基泄漏
IEBO
-0.1
uA
Veb=-5V
集电极 - 发射极饱和电压Vce （坐
)
-0.6
V
IC = -500mA ， IB = -50mA
基Emiiter饱和电压
VBE （ SAT ）
-1.2
V
IC = -500mA ， IB = -50mA
直流电流增益
Hfe1
85
Vce=-1V,Ic=-50mA
300
Hfe2
50
Vce=-1V,Ic=-500mA
集电极电流
Ic
-0.5
A
峰值集电极电流
ICP
-8 A （脉冲）
电流增益带宽
f
T
兆赫
VCB = -6V ， IC = -20mA
150
输出电容
COB
32
pF
Vcb=-20V,Ie=0,f=1MHz
功耗
Pc
0.625
W
结温
Tj
150
℃
储存温度
TSTG
-55
150
℃
hFE1分类
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
电话： （ 650 ） 9389294传真： （ 650 ） 9389295
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
8550S
晶体管（ PNP
）
TO—92
特征
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
I
CM
: -0.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: -40
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
1.EMITTER
2.收集
3.BASE
1 2 3
除非
TEST
否则
民
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
-0.1
-0.1
-0.1
条件
IC = -100
μＡ
, I
E
=0
IC = -0.1毫安，
I
E
= -100
μ
A，
V
CB
= -40 V ,
V
CE
= -20 V ,
V
EB
= - 3
V，
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
-40
-25
-5
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
= -1 V，I
C
= -50m一
V
CE
= -1 V，I
C
= -500m一
I
C
= -500mA ，我
B
= -50毫安
I
C
= -500mA ，我
B
= -50毫安
V
CE
=- 6 V,
I = -20mA
C
85
50
300
-0.6
-1.2
V
V
跃迁频率
f
T
f =
30MHz
150
兆赫
分类h及
FE
(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
QQ：2881677436 复制
