低偏移, 1到6 ,差分至
LVDS扇出缓冲器
ICS854S006I
数据表
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS854S006I是一个低偏移,高perfor-
曼斯1至6差分至LVDS扇出缓冲器。
HiPerClockS
在CLK , NCLK对可以接受最标准的昼夜温差
髓鞘的输入电平。该ICS854S006I是字符
terized来,无论是从2.5V或3.3V操作
电源。保证输出偏斜特性S
使ICS854S006I适合那些时钟分配
苛刻的良好定义的性能和应用
重复性。
F
EATURES
六差分LVDS输出
一个差分时钟输入对
CLK , NCLK对可以接受以下差异
输入电平: LVDS , LVPECL , LVHSTL , SSTL , HCSL
最大输出频率: 1.7GHz的
任何转换单端输入信号LVDS电平
与NCLK输入电阻偏置
输出偏斜: 55ps的(最大)
传播延迟: 850ps (最大)
附加相位抖动, RMS : 0.067ps (典型值)
全3.3V或2.5V电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可用两个标准( RoHS指令5 )和无铅( RoHS指令6 )
套餐
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
nQ0
CLK
上拉
NCLK
下拉
Q1
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
P
IN
A
SSIGNMENT
NCLK
CLK
V
DD
V
DDO
Q0
nQ0
GND
Q1
nQ1
V
DDO
Q2
nQ2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
GND
V
DD
V
DDO
nQ5
Q5
GND
nQ4
Q4
V
DDO
nQ3
Q3
ICS854S006I
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.925毫米包体
G封装
顶视图
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1
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ICS854S006I数据表
低偏移, 1到6 ,差分至LVDS扇出缓冲器
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3, 22
4, 10, 15, 21
5, 6
7, 18, 23, 24
8, 9
11, 12
13, 14
16, 17
19, 20
名字
NCLK
CLK
V
DD
V
DDO
Q0 , nQ0
GND
Q1 , NQ1
Q2 , NQ2
Q3 , nQ3
Q4 , nQ4
Q5 , nQ5
输入
输入
动力
动力
产量
动力
产量
产量
产量
产量
产量
TYPE
上拉
描述
非INVER婷差分时钟输入。
正电源引脚。
输出电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
电源接地。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
下拉铟(Inver)婷差分时钟输入。
注意:
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
T
ABLE
3. C
LOCK
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
CLK
0
1
0
1
偏见;注1
偏见;注1
NCLK
1
0
偏见;注1
偏见;注1
0
1
Q0:Q5
低
高
低
高
高
低
输出
nQ0 : nQ5
高
低
高
低
低
高
输入到输出模式
差分至差分
差分至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
极性
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
INVER婷
INVER婷
注1 :请参考应用信息, "Wiring的差分输入接受单端Levels" 。
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低偏移, 1到6 ,差分至LVDS扇出缓冲器
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
DD
输入,V
I
输出,我
O
( LVDS )
连续电流
浪涌电流
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
10mA
15mA
注:如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗,
θ
JA
70 ℃/ W( 0 MPS )
贮藏温度,T
英镑
(结到环境)
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
55
105
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
55
102
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
CLK
I
IH
输入高电流
NCLK
CLK
I
IL
输入低电平电流
NCLK
峰 - 峰值输入电压;注1
共模输入电压;
V
CMR
注1,2
注1 : V
IL
应不低于-0.3V
注2 :共模电压定义为V
IH
.
V
PP
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ,
V
IN
= 0V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ,
V
IN
= 0V
-150
-10
0.15
GND + 0.5
1. 3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
10
150
单位
A
A
A
A
V
V
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ICS854S006I数据表
低偏移, 1到6 ,差分至LVDS扇出缓冲器
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
1.28
测试条件
最低
326
典型
最大
526
50
1.44
50
单位
mV
mV
V
mV
注:请参考参数测量信息的输出信息。
T
ABLE
4E 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
1.1
测试条件
最低
305
典型
最大
505
50
1.45
50
单位
mV
mV
V
mV
V
OS
幅度变化
Δ
V
OS
注:请参考参数测量信息的输出信息。
注:最大值是一家集设计目标规格。
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2 , 3
缓冲添加剂相位抖动,
RMS ;请参考附加相位
抖动节
输出上升/下降时间
300
测试条件
最低
典型
最大单位
1.7
850
55
622.08MHz,
积分范围: 12kHz的 - 20MHz的
20 %至80%
50
0.067
250
GH
ps
ps
ps
ps
t
PD
t
SK ( O)
t
JIT
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
≤
1.2GHz
47
53
%
注:电气参数都保证在规定的工作温度范围,这是建立
当装置被安装在一个测试插座保持横向气流大于500 LFPM 。该装置将满足
在这些条件下已经达到热平衡后的规格。
注1 :从差动输入交叉点到差动输出交叉点测定。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。
从测得的输出差分交叉点。
注3 :此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2 , 3
缓冲添加剂相位抖动,
RMS ;请参考附加相位
抖动节
输出上升/下降时间
300
测试条件
最低
典型
最大
1.7
800
55
622.08MHz,
积分范围: 12kHz的 - 20MHz的
20 %至80%
≤
1.2GHz
50
47
0.067
250
53
单位
GH
ps
ps
ps
ps
%
t
PD
t
SK ( O)
t
JIT
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
对于Notes ,见表5A 。
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ICS854S006I数据表
低偏移, 1到6 ,差分至LVDS扇出缓冲器
A
DDITIVE
P
HASE
J
伊特尔
在一个特定的频带内的频谱纯度从偏移
基本相对于基波的功率被称为
该
dBc的相位噪声。
此值通常表示用
相位噪声图,是最常在许多特定的情节
应用程序。相位噪声定义为噪声功率之比
目前在1Hz的乐队在指定从根本上失调
频率与基波的功率值。这个比例是
以分贝( dBm的)或功率在1Hz的一个比
频带中的根本动力。当所需要的偏移量
被指定时,相位噪声被称为
dBc的
值,这只是
是指在dBm的从根本上指定的偏移量。通过
在频域调查抖动,我们得到一个更好的
其效果超过了所需要的应用程序理解
信号的整个时间记录。这在数学上是可能的
计算给定的相位噪声图的预期的误码率。
输入/输出添加剂相位抖动
@
622.08MHz的( 12kHz至20MHz )
= 0.067ps (典型值)
SSB P
HASE
N
OISE
dBc的/ H
Z
O
FFSET
F
只读存储器
C
ARRIER
F
Characteristic低频
(H
Z
)
与大多数时序规范,相位噪声测量
具有与上述设备的限制的问题。通常情况下,
该设备的本底噪声比的噪声本底高
装置。这上面的说明。该设备符合本底噪声
的所显示的,但实际上可以更低。相位噪声
取决于输入信号源和测量设备。
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