SMD型
SMD型
晶体管
IC
晶体管
二极管
产品speci fi cation
KC846A,B/KC847A,B,C/KC848A,B,C
(BC846A,B/BC847A,B,C/BC848A,B,C)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
对于开关和AF放大器应用
1
2
+0.1
1.3
-0.1
非常适合自动插入
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
KC846
集电极 - 基极电压
KC847
KC848
KC846
集电极 - 发射极电压
KC847
KC848
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
V
首席执行官
V
CBO
符号
等级
80
50
30
65
45
30
6
0.1
200
150
-65到+150
V
A
mW
V
V
单位
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0-0.1
1第3
SMD型
SMD型
晶体管
IC
晶体管
二极管
产品speci fi cation
KC846A,B/KC847A,B,C/KC848A,B,C
(BC846A,B/BC847A,B,C/BC848A,B,C)
电气特性TA = 25
参数
KC846
集电极 - 基极击穿电压
KC847
KC848
KC846
集电极 - 发射极击穿电压
KC847
KC848
发射极 - 基极击穿电压
KC846
集电极 - 基极截止电流
KC847
KC848
KC846
集电极 - 发射极截止电流
KC847
KC848
发射基截止电流
KC846A,847A,848A
直流电流增益
KC846B,847B,848B
KC847C,848C
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
C
ob
f
T
V
CB
=10V,f=1MHz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F =
100
100兆赫
h
FE
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
V
EBO
I
E
= 10 IA ，我
C
= 0
V
CB
= 70 V，I
E
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 70V ，我
B
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
110
200
420
0.1
220
450
800
0.5
1.1
4.5
V
V
pF
兆赫
A
0.1
A
0.1
A
V
首席执行官
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
V
CBO
I
C
= 10 IA ，我
E
= 0
符号
Testconditons
民
80
50
30
65
45
30
6
V
V
V
典型值
最大
单位
记号
号
记号
号
记号
号
记号
KC846A
1A
KC847A
1E
KC848A
1J
KC846B
1B
KC847B
1F
KC848B
1K
KC847C
1G
KC848C
1L
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KC846A,B/KC847A,B,C/KC848A,B,C
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典型特征
图1静态特性
图2传输特性
图3直流电流增益
图4电流增益带宽积
图5基极发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图6输出电容
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