低偏移， 1 ： 6晶体用于─ LVCMOS / LVTTL
扇出缓冲器
ICS83905
数据表
概述
该ICS83905是一种低歪斜， 1至6 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
来自IDT的解决方案。低阻抗
LVCMOS / LVTTL输出设计用于驱动50Ω
串联或并联端接的传输线。有效
扇出可以从6增加到12利用的能力
输出驱动两个串联端接线路。
特点
六LVCMOS / LVTTL输出
输出能够驱动12个串联端接线路
晶体振荡器接口
晶振输入频率范围： 10MHz至40MHz的
输出偏斜： 80ps （最大）
RMS相位抖动@ 25MHz的， （为100Hz - 1MHz的） ： 0.26ps （典型值） ，
V
DD
= V
DDO
= 2.5V
OFFSET
噪声功率
100Hz的.................- 129.7 dBc的/赫兹
1kHz时...................- 144.4 dBc的/赫兹
10kHz的.................- 147.3 dBc的/赫兹
100kHz的...............- 157.3 dBc的/赫兹
ICS
该ICS83905的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，混合
3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作电源
模式。保证输出部分，以部分偏移特性
随着1.8V输出能力使得ICS83905理想
为高性能，单端应用程序，还需要一个
限制输出电压。
5V容限的使能输入
同步输出使
操作电源模式：
全3.3V ， 2.5V ， 1.8V
混合3.3V核心/ 2.5V输出工作电源
混合3.3V核心/ 1.8V输出工作电源
混合2.5V核心/ 1.8V输出工作电源
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
XTAL_OUT
ENABLE2
ENABLE1
XTAL_IN
引脚分配
ICS83905
20引脚VFQFN
采用4mm x 4mm X 0.925毫米
包体
套餐
顶视图
20 19 18 17 16
GND 1
GND 2
BCLK0 3
V
DDO
4
BCLK1 5
6
GND
15 BCLK5
14 V
DDO
13 BCLK4
12 GND
11 GND
7
GND
8
BCLK2
9 10
BCLK3
V
DD
nc
框图
BCLK0
XTAL_OUT
ENABLE2
GND
BCLK0
V
DDO
BCLK1
GND
BCLK2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
XTAL_IN
ENABLE1
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
BCLK3
V
DD
BCLK1
XTAL_IN
BCLK2
XTAL_OUT
ICS83905
16引脚SOIC ， 150英里
3.9毫米X 9.9毫米X 1.38毫米包体
男包
顶视图
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.925毫米包体
G封装
顶视图
BCLK3
BCLK4
启用1
同步
BCLK5
启用2
同步
ICS83905AM版本B 2009年7月20日
1
2009集成设备技术有限公司
ICS83905数据表
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
表1.引脚说明
名字
XTAL_OUT
XTAL_IN
ENABLE1 ， ENABLE2
BCLK0 ， BCLK1 ， BCLK2 ，
BCLK3 ， BCLK4 ， BCLK5
GND
V
DD
V
DDO
nc
TYPE
产量
输入
输入
产量
动力
动力
动力
未使用
描述
晶体振荡器接口。 XTAL_OUT是输出。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
时钟使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3 。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
电源引脚。
输出电源引脚。
无连接。
表2.引脚特性
符号
C
IN
参数
输入电容
V
DDO
= 3.465V
C
PD
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2.0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
功能表
表3.时钟使能功能表
控制输入
启用1
0
0
1
1
ENABLE2
0
1
0
1
输出
BCLK [0： 4]
低
低
切换
切换
BCLK5
低
切换
低
切换
BCLK5
BCLK0 ： 4
ENABLE2
ENABLE1
图1.启用时序图
ICS83905AM版本B 2009年7月20日
2
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ICS83905数据表
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这些评价只强调规范。产品在这些条件或超出任何条件的功能操作
在这些上市
直流特性和交流特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响产品的可靠性。
项
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
16引脚SOIC封装
16引脚TSSOP封装
20铅VFQFN包
贮藏温度，T
英镑
等级
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
78.8 ℃/ W（ 0 MPS ）
100.3 ℃/ W（ 0 MPS ）
57.5 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE [ 1:2 ] = 00
ENABLE [ 1:2 ] = 00
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
5
单位
V
V
mA
mA
表4B 。直流电源的特点，
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE [ 1:2 ] = 00
ENABLE [ 1:2 ] = 00
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
8
4
单位
V
V
mA
mA
表4C 。直流电源的特点，
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE [ 1:2 ] = 00
ENABLE [ 1:2 ] = 00
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
5
3
单位
V
V
mA
mA
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3
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低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
表4D 。直流电源的特点，
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE [ 1:2 ] = 00
ENABLE [ 1:2 ] = 00
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
4
单位
V
V
mA
mA
表4E 。直流电源的特点，
3.3V ± 5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE [ 1:2 ] = 00
ENABLE [ 1:2 ] = 00
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
3
单位
V
V
mA
mA
表4F 。直流电源的特点，
V
DD
= 2.5V ± 5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE [ 1:2 ] = 00
ENABLE [ 1:2 ] = 00
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
8
3
单位
V
V
mA
mA
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4
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ICS83905数据表
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
表4G 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
参数
ENABLE1,
ENABLE2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
IH
输入高电压
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
IL
输入低电压
ENABLE1,
ENABLE2
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65 * V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2.0
1.8
V
DDO
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
V
V
V
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
0.35 * V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50Ω到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息，
输出负载测试电路图。
表5.水晶特点
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
10
测试条件
最低
典型
基本
40
50
7
1
兆赫
最大
单位
pF
mW
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5
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