TCST1230
日前，Vishay
半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
www.vishay.com
4 (7)
图8.集电极电流与集电极发射极电压
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
TCST1230
日前，Vishay
半导体
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
图11.相对集电极电流与位移
15
W
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
www.vishay.com
5 (7)
TCST1230
日前，Vishay
半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
www.vishay.com
4 (7)
图8.集电极电流与集电极发射极电压
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
TCST1230
日前，Vishay
半导体
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
图11.相对集电极电流与位移
15
W
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
www.vishay.com
5 (7)
TCST1230
日前，Vishay
半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
www.vishay.com
4 (7)
图8.集电极电流与集电极发射极电压
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
TCST1230
日前，Vishay
半导体
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
图11.相对集电极电流与位移
15
W
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
www.vishay.com
5 (7)
QQ：2880707522 复制
