产品speci fi cation
PE83503
产品说明
该PE83503是一个高性能的单芯片
的UltraCMOS
与预分频器8.它的工作频率固定的分频比
范围为1.5 GHz至3.5 GHz的。该PE83503运行在一个
标称3V的供电，并提请只有12 mA的电流。它被封装在一个
小型8引脚MSOP封装，非常适用于微波PLL合成
的解决方案。
该PE83503制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能示意图
3.5 GHz的低功耗的UltraCMOS
分频分频器8
军用工作温度范围
特点
高频率工作：
1.5 GHz至3.5 GHz的
8个固定的分频比
低功耗：12 mA典型
@ 3 V电压频率
小型封装： 8引脚MSOP封装
低成本
图2.封装类型
8引脚MSOP
D
IN
前置放大器
Q
D
Q
D
Q
OUT
产量
卜FF器
CLK QB
CLK QB
CLK QB
表1.电气规格
(Z
S
= Z
L
= 50
)
2.85 V
≤
V
DD
≤
3.15 V ; -55°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明
参数
电源电压
电源电流
输入频率（f
IN
)
输入功率（P
IN
)
条件
最低
2.85
典型
3.0
13
最大
3.15
19
3.5
+10
+10
单位
V
mA
GHz的
DBM
DBM
DBM
1.5
1500兆赫
≤
F
in
≤
2800兆赫
2800兆赫< F
in
≤
3500兆赫
-5
0
0
输出功率
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第1页8
PE83503
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
1
8
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
V
DD
GND
IN
2
7
OUT
PE350
PE83503
DEC
3
3
6
GND
GND
4
5
GND
表2.引脚说明
针
号
1
2
针
名字
V
DD
IN
描述
电源引脚。旁路是必须的。
输入信号引脚。应该再加上一个
电容器（如15pF的）
电源去耦引脚。一个地方
电容器尽可能靠近并连接
直接到地平面（例如10nF的和
10 pF的） 。
接地引脚。在电路板上接地图案
应尽可能宽，以减少
接地阻抗。
接地引脚。
接地引脚。
分频的输出引脚。该引脚
应该再加上一个电容（如100
pF的） 。
接地引脚。
设备功能的思考
该
PE83503
取输入信号的频率
从1.5千兆赫至3.5千兆赫，并产生一个输出
信号频率的八分之一即所提供的
输入。为了使预分频器正常工作，
几个条件必须得到遵守。这是
至关重要的是， 3脚与旁路供电
电容接地。此外，输入和
输出信号（引脚2 & 7 ，分别地）需要
被AC通过外部电容连接如图2
在测试电路如图7所示。
电路板上的接地图案应
尽可能宽，以减少地面
阻抗。
3
DEC
4
5
6
7
8
GND
GND
GND
OUT
GND
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
T
ST
T
OP
V
ESD
P
INMAX
参数/条件
电源电压
储存温度
范围
工作温度
范围
ESD电压（人
人体模型）
最大输入功率
民
最大
4.0
单位
V
°C
°C
V
DBM
-65
-55
150
125
250
15
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。曝光
以长时间的绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE83503
产品speci fi cation
图4.测试电路框图
VDD
3 V +/- 0.15 V
+
-
10 pF的
1000 pF的
1
8
7
100 pF的
50
50
15 pF的
2
PE83503
3
信号发生器
4
5
6
SPECTRUM
分析仪
10 nF的
10 pF的
图5.高频系统中的应用
的动作的宽带频率
PE83503
使得它用于在使用的理想部
DBS下变频器系统。
投入
星展1
ST
IF
BPF
SAW
AGC
FM
解调
基带
产量
DIVIDE-BY-8
PE3291
PE83503
低
噪音
低
噪音
PLL
PLL SYNTH
SYNTH
LPF
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PE83503
产品speci fi cation
典型性能数据： V
DD
= 3.0 V
图6.输入灵敏度
图7.器件电流
图8.输出功率
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE83503
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评估套件
评估套件操作
该MSOP预分频器评估板设计
帮助客户评估
PE83503
Divide-by-8
预分频器。在此板上，该设备输入端（引脚2）是
连接通过50连接到连接器J1的
传输
线。串联电容（ C3 ）提供了必要的
DC块设备的输入。要注意的是非常重要的
这个电容的值将影响
该装置的性能。为15pF的价值被发现
是最佳的这样的电路板布局;其他应用程序
可能需要不同的值。
器件输出（引脚7 ）被连接到连接器J3的
通过50
传输线。串联电容
（C ）提供了必要的DC块为设备
输出。注意，该电容必须被选择到
具有所希望的输出频率的低阻抗
该设备。 100pF电容的值的选择来提供
宽工作范围的评估板。
该板构成的2层FR4材料的
以0.031的总厚度“ 。底层
提供接地的RF传输线。该
输电线路采用共面设计
波导地上平面模特与走线宽度
0.030 “ ，追溯了0.007的差距” ，介质厚度
0.028 “ ，金属厚度0.0014 ”，并
ε
r
4.4 。记
的占主导地位的模式为这些传输线
是共面波导。
J 2提供直流电源的装置。从起始
左下针，第二针向右（ J2-3 ）为
连接到该设备VDD端子（1） 。两个解耦
电容（ 10pF的1000 pF的）都包含在此跟踪。
这是客户的责任确定
适当的电源去耦为他们设计的应用程序。
DEC的销（3）必须连接到低
交流阻抗的接地器件正常工作。上
董事会，二去耦电容（ C6 = 10nF的， C4 =
10 pF的） ，位于主板的背面，执行此
功能。
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者如果你
有问题的应用程序调用（ 858 ） 731-9400 ，并
要求应用程序的支持。您也可以与我们联系
通过传真或电子邮件：
传真：
(858) 731-9499
电子信箱：
help@psemi.com
图9.评估板布局
百富勤规格101/0035
图10.评估板电路图
百富勤规格102/0200
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PE83503
军用工作温度范围
产品说明
该PE83503是一种高性能的单片CMOS
预分频器与8其经营固定分频比
频率范围为1.5千兆赫至3.5千兆赫。该PE83503
运行在标称3 V电源，并提请只有12 mA的电流。
它被封装在一个小型8引脚MSOP封装，非常适合
微波PLL合成解决方案。
该PE83503是百富勤公司的专利制造
超薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供了
砷化镓与经济一体化的表现
传统的CMOS 。
RR
3.5 GHz的低功耗CMOS
分频分频器8
特点
高频率工作：
1.5 GHz至3.5 GHz的
8个固定的分频比
低功耗工作： 12毫安
典型@ 3 V电压频率
小型封装： 8引脚MSOP封装
低成本
图1.功能示意图
图2.封装图
3.05
2.85
D
IN
前置放大器
Q
D
Q
D
Q
OUT
产量
卜FF器
8引脚MSOP
5.05
4.75
CLK QB
CLK QB
CLK QB
表1.电气规格
(Z
S
= Z
L
= 50
)
2.85V
≤
V
DD
≤
3.15 V ; -55°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明
参数
电源电压
电源电流
输入频率（f
IN
)
输入功率（P
IN
)
条件
最低
2.85
典型
3.0
13
最大
3.15
19
3.5
+10
+10
单位
V
mA
GHz的
DBM
DBM
DBM
1.5
1500兆赫
≤
F
in
≤
2800兆赫
2800兆赫< F
in
≤
3500兆赫
-5
0
0
输出功率
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版权
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产品speci fi cation
典型性能数据： V
DD
= 3.0V
图4.输入灵敏度
图5.设备电流
图6.输出功率
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PE83503
产品speci fi cation
图10.评估板原理图
J2-7
图11.评估板布局
10 pF的
1000 pF的
VDD
GND
IN
J1
C1
C3
DEC
10 nF的
10 pF的
GND
OUT
C1
NC
C2
J3
GND
J4
J5
评估套件操作
该MSOP预分频器评估板
旨在帮助客户评估
PE83503
除以8预分频器。在此板，该装置
输入端（引脚2）通过连接到连接器J1的
50
传输线。串联电容（ C3 ）
提供了必要的DC块为设备
输入。要注意的是很重要的，其值
电容会影响的表现
装置。为15pF的值被认为是最适合于
这款主板的布局;其它应用可能需要一个
不同的值。
器件输出（引脚7）被连接到连接器
通过50 J3
传输线。一系列
电容器（C1）提供了必要的DC块
该装置的输出。注意，该电容必须是
选择具有低阻抗，所期望的
输出频率的装置。 100pF的价值
被选择，以提供较宽的工作范围
评估板。
该板构成的2层FR4的
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用上述共面波导设计
地平面模型的0.030迹宽度“ ，跟踪
0.007的差距“ ，介质厚度0.028 ”金属
的0.0014 “的厚度并
ε
r
4.4 。需要注意的是
为主模式，这些传输线是
共面波导。
J 2提供直流电源的装置。起价
左下销，所述第二销向右（ J2-3 ）
连接到所述设备VDD端子（1） 。两
去耦电容（ 10pF的， 1000 pF）的有
包括在此跟踪。它的责任
客户确定适当的电源去耦
其设计的应用程序。
DEC的销（3）必须连接到低
交流阻抗的接地器件正常工作。
在船上，两名去耦电容（ C6 = 10
NF， C4 = 10 pF）的，位于电路板的背面，
执行此功能。
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有问题的应用程序调用（ 858 ） 455-0660
并要求应用程序的支持。您可能还
联系我们通过传真或电子邮件：
传真：
(858) 455-0770
电子信箱：
help@peregrine-semi.com
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军用工作温度范围
产品说明
该PE83503是一种高性能的单片CMOS
预分频器与8其经营固定分频比
频率范围为1.5千兆赫至3.5千兆赫。该PE83503
运行在标称3 V电源，并提请只有12 mA的电流。
它被封装在一个小型8引脚MSOP封装，非常适合
微波PLL合成解决方案。
该PE83503是百富勤公司的专利制造
超薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供了
砷化镓与经济一体化的表现
传统的CMOS 。
RR
3.5 GHz的低功耗CMOS
分频分频器8
特点
高频率工作：
1.5 GHz至3.5 GHz的
8个固定的分频比
低功耗工作： 12毫安
典型@ 3 V电压频率
小型封装： 8引脚MSOP封装
低成本
图1.功能示意图
图2.封装图
3.05
2.85
D
IN
前置放大器
Q
D
Q
D
Q
OUT
产量
卜FF器
8引脚MSOP
5.05
4.75
CLK QB
CLK QB
CLK QB
表1.电气规格
(Z
S
= Z
L
= 50
)
2.85V
≤
V
DD
≤
3.15 V ; -55°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明
参数
电源电压
电源电流
输入频率（f
IN
)
输入功率（P
IN
)
条件
最低
2.85
典型
3.0
13
最大
3.15
19
3.5
+10
+10
单位
V
mA
GHz的
DBM
DBM
DBM
1.5
1500兆赫
≤
F
in
≤
2800兆赫
2800兆赫< F
in
≤
3500兆赫
-5
0
0
输出功率
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产品speci fi cation
典型性能数据： V
DD
= 3.0V
图4.输入灵敏度
图5.设备电流
图6.输出功率
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产品speci fi cation
图10.评估板原理图
J2-7
图11.评估板布局
10 pF的
1000 pF的
VDD
GND
IN
J1
C1
C3
DEC
10 nF的
10 pF的
GND
OUT
C1
NC
C2
J3
GND
J4
J5
评估套件操作
该MSOP预分频器评估板
旨在帮助客户评估
PE83503
除以8预分频器。在此板，该装置
输入端（引脚2）通过连接到连接器J1的
50
传输线。串联电容（ C3 ）
提供了必要的DC块为设备
输入。要注意的是很重要的，其值
电容会影响的表现
装置。为15pF的值被认为是最适合于
这款主板的布局;其它应用可能需要一个
不同的值。
器件输出（引脚7）被连接到连接器
通过50 J3
传输线。一系列
电容器（C1）提供了必要的DC块
该装置的输出。注意，该电容必须是
选择具有低阻抗，所期望的
输出频率的装置。 100pF的价值
被选择，以提供较宽的工作范围
评估板。
该板构成的2层FR4的
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用上述共面波导设计
地平面模型的0.030迹宽度“ ，跟踪
0.007的差距“ ，介质厚度0.028 ”金属
的0.0014 “的厚度并
ε
r
4.4 。需要注意的是
为主模式，这些传输线是
共面波导。
J 2提供直流电源的装置。起价
左下销，所述第二销向右（ J2-3 ）
连接到所述设备VDD端子（1） 。两
去耦电容（ 10pF的， 1000 pF）的有
包括在此跟踪。它的责任
客户确定适当的电源去耦
其设计的应用程序。
DEC的销（3）必须连接到低
交流阻抗的接地器件正常工作。
在船上，两名去耦电容（ C6 = 10
NF， C4 = 10 pF）的，位于电路板的背面，
执行此功能。
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有问题的应用程序调用（ 858 ） 455-0660
并要求应用程序的支持。您可能还
联系我们通过传真或电子邮件：
传真：
(858) 455-0770
电子信箱：
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