低偏移， 1到4差分复用/
LVCMOS - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
ICS8305
概述
该ICS8305是一种低歪斜， 1至4 ，差分/
LVCMOS到LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高成员
来自IDT高性能时钟解决方案。该
ICS8305有可选择的时钟输入端接受
差分或单端输入电平。时钟使能
内部同步以消除欠幅脉冲，对输出
在异步断言/时钟使能的无效
引脚。输出被强制为低电平时，时钟被禁止。一
独立的输出使能控制引脚的输出是否在
活性或高阻抗状态。
特点
四LVCMOS / LVTTL输出， 7
输出阻抗
可选的差分或LVCMOS / LVTTL时钟输入
CLK ， NCLK对可以接受以下差分输入级：
LVPECL ， LVDS ， LVHSTL ， HCSL ， SSTL
LVCMOS_CLK支持以下输入类型： LVCMOS ，
LVTTL
最大输出频率： 350MHz的
输出偏斜： 35ps （最大）
部分到部分偏斜： 700ps （最大）
附加相位抖动， RMS ： 0.04ps （典型值）
供电方式：
核心/输出
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
3.3V/1.8V
3.3V/1.5V
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
ICS
保证输出部分，以部分偏移特性使
ICS8305适合那些应用要求明确
性能和可重复性。
框图
CLK_EN
上拉
D
Q
LE
LVCMOS_CLK
下拉
CLK
下拉
NCLK
上拉/
下拉
引脚分配
GND
OE
V
DD
CLK_EN
CLK
NCLK
CLK_SEL
LVCMOS_CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
Q0
V
DDO
Q1
GND
Q2
V
DDO
Q3
GND
0
0
Q0
1
1
Q1
CLK_SEL
上拉
ICS8305
Q2
Q3
OE
上拉
16引脚TSSOP
4.4毫米X 3.0毫米X 0.925毫米
包体
G封装
IDT / ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
1
ICS8305AG REV 。
十月
23, 2008
ICS8305
低偏移， 1到4差分复用/ LVCMOS - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
表1.引脚说明
数
1, 9, 13
2
3
4
5
6
7
8
10, 12, 14, 16
11, 15
名字
GND
OE
V
DD
CLK_EN
CLK
NCLK
CLK_SEL
LVCMOS_CLK
Q3, Q2, Q1, Q0
V
DDO
动力
输入
动力
输入
输入
输入
输入
输入
产量
动力
上拉
下拉
上拉/
下拉
上拉
下拉
上拉
TYPE
描述
电源地
输出使能。低电平时，输出为高阻态。
高电平时，输出有效。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源引脚。
同步时钟使能。低电平时，输出时钟被禁止。
高电平时，输出时钟被启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
非反相差分时钟输入。
反相差分时钟输入。 VDD / 2时默认悬空。
时钟选择输入。当HIGH ，选择CLK ， NCLK输入。当低，
选择LVCMOS_CLK输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端时钟输出。 7
输出阻抗。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。参照表2 ，
引脚特性，
为典型值。
表2.引脚特性
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
R
OUT
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
51
51
11
7
最大
单位
pF
k
k
pF
IDT / ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
2
ICS8305AG REV 。 2008年10月23日
ICS8305
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功能表
表3.控制输入功能表
输入
OE
1
1
1
1
0
CLK_EN
0
0
1
1
X
CLK_SEL
0
1
0
1
X
选定的源
LVCMOS_CLK
CLK / NCLK
LVCMOS_CLK
CLK / NCLK
输出
Q0:Q3
残疾人;低
残疾人;低
启用
启用
高阻
CLK_EN开关之后，该时钟输出被禁用或启用了以下的上升沿和下降沿的输入时钟边沿，如图1 。
残
NCLK
CLK ，
LVCMOS_CLK
启用
CLK_EN
Q0:Q3
图1. CLK_EN时序图
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3
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绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这些评价只强调规范。产品在这些条件或超出任何条件的功能操作
在这些上市
直流特性和交流特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响产品的可靠性。
项
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
等级
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
89℃ / W （ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V ±5％或2.5V ±5％或1.8V ±0.5V或1.5V ±5％，
T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
参数
正电源电压
测试条件
最低
3.135
3.135
2.375
V
DDO
输出电源电压
1.65
1.425
I
DD
I
DDO
电源电流
输出电源电流
1.8
1.5
1.95
1.575
21
5
V
V
mA
mA
典型
3.3
3.3
2.5
最大
3.465
3.465
2.625
单位
V
V
V
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表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
IH
参数
输入高
电压
输入低
电压
输入
HIGH CURRENT
输入
低电流
CLK_EN ， CLK_SEL ， OE
LVCMOS_CLK
CLK_EN ， CLK_SEL ， OE
LVCMOS_CLK
CLK_EN ， CLK_SEL ， OE
LVCMOS_CLK
CLK_EN ， CLK_SEL ， OE
LVCMOS_CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
V
OH
输出高电压;注1
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.15V
V
DDO
= 1.5V ± 5%
V
DDO
= 3.3V ± 5%
V
OL
输出低电压;注1
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.15V
V
DDO
= 1.5V ± 5%
I
OZL
I
OZH
输出高阻电流低
输出高阻电流高
-5
5
-150
-5
2.6
1.8
1.5
V
DDO
- 0.3
0.5
0.5
0.4
0.35
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
IL
I
IH
I
IL
注1 ：输出端接50Ω到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息，
输出负载测试电路图。
表4C 。差分直流特性，
T
A
= -40 ° C至85°C
符号
I
IH
参数
NCLK
输入高电流
CLK
NCLK
I
IL
V
PP
V
CMR
输入低电平电流
CLK
峰 - 峰值电压;注1
共模输入电压;
注1,2
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
0.15
GND + 0.5
1.3
V
DD
– 0.85
最低
典型
最大
150
150
单位
A
A
A
A
V
V
注1 ： V
IL
应不低于-0.3V 。
注2 ：共模输入电压定义为V
IH
.
IDT / ICS
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QQ：2881677436 复制
