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80SQ045N
首选设备
轴向引线整流器
这些装置采用了肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属重叠
接触。非常适合于用作低电压整流器,
高频逆变器,续流二极管和极性
保护二极管。
特点
http://onsemi.com
高电流能力
低存储电荷,多数载流子导电
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
保护环应力保护
低正向电压
高浪涌能力
这些无铅器件*
肖特基势垒
整流器器
8.0安培
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量:1.8克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
220 °C最大。 10秒, 1/16“的情况下,
极性:负极由带极性指示
ESD保护:人体模型> 4000 V( 3级)
机器型号> 400 V ( C类)
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向平均整流电流T
L
= 75°C
(PSI
JL
= 12 ° C / W , P.C。电路板安装,注2 )
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作和存储结温
TURE范围(反向电压应用)
变化的电压率(额定V
R
)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
最大
45
单位
V
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
风格1
标记图
80SQ
045N
YYWW
G
G
8.0
140
A
A
YY
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
T
J
, T
英镑
dv / dt的
-65到+125
10
°C
V / ns的
80SQ045N
80SQ045NG
80SQ045NRL
80SQ045NRLG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年5月 - 第3版
出版订单号:
80SQ045N/D
80SQ045N
热特性
特征
热阻,结到铅
(见注2 - 安装数据)
热阻,结到环境(见注2 - 安装数据)
符号
R
qJL
R
qJA
0.9英寸x 0.9
铜焊盘尺寸
13
50
6.75英寸x 6.75的
铜焊盘尺寸
12
40
单位
° C / W
电气特性
(T
L
= 25 ° C除非另有说明)
特征
最大正向电压(注1 )
(i
F
= 8.0 A,T
L
= 25°C)
最大瞬时反向电流@额定直流电压(注1 )
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比= 2.0 % 。
符号
v
F
0.55
i
R
1.0
50
mA
最大
单位
V
30
I
F
,瞬间向前
电流(安培)
10
I
F
,瞬间向前
电流(安培)
30
10
100°C
1
125°C
75°C
MBR845
1
100°C
125°C
25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
F
,瞬时电压(伏)
0.8
75°C
0.1
25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
F
,瞬时电压(伏)
0.8
0.1
图1.典型正向电压
I
R
,瞬时反向电流( AMPS )
图2.最大正向电压
1E01
125°C
100°C
75°C
10,000
C,电容(pF )
1E02
1E03
F = 1 MHz的
T
J
= 25°C
1000
1E04
25°C
1E05
1E06
100
0
5
10 15 20
25 30 35 40
V
R
,反向电压(伏)
45
50
0.1
1
10
V
R
,反向电压(伏)
100
图3.典型的反向电流
图4.典型电容
http://onsemi.com
2
80SQ045N
75
70
铜面积(平方英寸)
65
60
55
50
见注2
45
40
35
30
0
2
4
6
8
10
R
qJA
( ° C / W)
I
F
,平均正向
电流(安培)
9
8
dc
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
T
L
,焊接温度( ° C)
WAVE
R
qJL
= 12 ° C / W
图5.
qJA
与铜区
图6.电流降额 - 铅
4.5
注2 - 安装数据
4
P
FO
,平均功率
功耗(瓦)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
I
O
,平均正向电流(安培)
dc
WAVE
T
J
= 125°C
安装方法
P.C。董事会6.75平方英寸
铜表面上。
图7.前向功率耗散
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
P
( PK)
在铜面积= 0.271平方米。
R
qJA
= 61.8
° C / W
t
2
占空比D = T
1
/t
2
10
100
1000
t
1
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.001
0.1
吨,时间(秒)
图8.热响应,结到环境
http://onsemi.com
3
1.0
L = 3/8,
地平面
80SQ045N
包装尺寸
轴向引线
CASE 267-05
ISSUE摹
K
D
1
A
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
最大
0.287
0.374
0.189
0.209
0.047
0.051
1.000
MILLIMETERS
最大
7.30
9.50
4.80
5.30
1.20
1.30
25.40
B
K
风格1 :
PIN 1阴极(极性带)
2.阳极
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
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运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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电话:
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为了文学:
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4
80SQ045N/D
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联系人:李
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轴向
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联系人:朱
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轴向
全新原装现货,原厂代理。
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全新原装正品/质量有保证
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8212
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