MATRA MHS
80C32/80C52
CMOS 0至44 MHz的单芯片8位微控制器
描述
MHS的80C52和80C32是高性能CMOS
在八千零三十二分之八千零五十二NMOS单芯片8位的版本
C.
在MHS 80C52 / 80C32的全静态设计使
通过使以降低系统的功耗
时钟频率降低到任何值，即使直流，而不损失
的数据。
在80C52保留了8052的所有功能：为8K字节
的ROM ; 256字节的RAM ; 32个I / O口线; 3个16位
定时器; 6源， 2级中断结构;全
全双工串行口;和片上振荡器和时钟
电路。此外， 80C52具有2个软件可选
减少活动的进一步降低功耗模式
消费。在空闲模式下，CPU被冻结，而
上述RAM，定时器，串行口和中断
系统继续运作。在掉电模式
RAM保存等所有功能都不起作用。
的80C32是相同的80C52 ，只是它没有
片上ROM 。 MHS的80C52 / 80C32制造
使用SCMOS过程，使它们能够从0
高达44 MHz的VCC = 5V。
MHS的80C52和80C32 ，也可在16 MHz的
与2.7 V < V
CC
< 5.5 V.
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80C32 ：无ROM版的80C52
D
80C32 / 80C52 - L16 ：低功率版
VCC： 2.7 - 5.5 V
频率： 0-16兆赫
D
80C32 / 80C52-12 ： 0 12 MHz的
D
80C32 / 80C52-16 ： 0到16 MHz
D
80C32 / 80C52-20 ： 020 MHz的
D
80C32 / 80C52-25 ： 0 25 MHz的
D
80C32 / 80C52-30 ：0至30兆赫
80C32 / 80C52-36 ：0至36兆赫
80C32-40 ：0至40兆赫*
80C32-42 ： 0 42 MHz的*
80C32-44 ：0至44兆赫*
* 0至70℃的温度范围内。
对于其他的速度和温度范围内的可用性，请咨询您
销售网络的CE 。
特点
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功率控制模式
256字节的RAM
8字节的ROM （ 80C52 ）
32个可编程I / O线
三个16位定时器/计数器
的64K程序存储空间
64 K个数据存储空间
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全静态设计
0.8μ CMOS工艺
布尔处理器
6个中断源
可编程串行端口
温度范围：商业，工业，汽车，
军事
可选
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揭秘ROM ：加密
D
揭秘TAG ：识别号码
版本E（ 31/08/95 ）
1
80C32/80C52
引脚说明
VSS
电路地电位。
MATRA MHS
VCC
在正常，空闲和掉电电源电压
操作。
内存使用16位地址（ MOVX @ DPTR ） 。在
这个应用程序，它使用强大的内部上拉时，
发光1的。在外部数据存储器访问
使用8位地址（ MOVX @Ri ） ，端口2发出的
的P2特殊功能寄存器的内容。
它也接收高位地址位和控制
期间在80C52程序验证信号。端口2
可以吸入/源的三LS TTL输入。它可以驱动CMOS
输入，无需外部上拉电阻。
端口0
P0口是一个8位漏极开路双向I / O口。端口0
有1的写信给他们自由浮动，并在该状态引脚
可作为高阻抗输入。
P0口还复低位地址和数据
公交车在访问外部程序和数据
内存。在这种应用中，它使用强大的内部上拉
发射时为1。 P0口还输出代码字节
期间在80C52程序验证。外
在程序的验证，需要上拉电阻。端口0
可驱动8个LS TTL输入。
端口3
端口3是一个8位双向I / O和内部端口
上拉电阻。 P3口具有1的书面给他们听，
拉高由内部上拉，并在该状态下可以
被用作输入。作为输入使用时， P3口是外部
被拉低时将输出电流（ ILL ，对数据
板材由于上拉的） 。它还提供了功能
各种特殊功能的MHS 51家的，如上市
下文。
端口引脚
P3.0
P3.1
P3.2
P3.3
P3.4
P3.5
P3.6
P3.7
备用功能
RXD （串行输入端口）
TXD （串行输出端口）
INT0 （外部中断0 ）
INT1 （外部中断1 ）
TD （定时器0外部输入）
T1（定时器1外部输入）
WR （外部数据存储器写选通）
RD （外部数据存储器读选通）
端口1
端口1是一个8位双向I / O和内部端口
上拉电阻。 P1口具有1的书面给他们听，
拉高由内部上拉，并在该状态下可以
被用作输入。作为输入使用时， P1口是外部
被拉低时将输出电流（ IIL ，对数据
表由于内部电阻的） 。
端口1期间也接收低位地址字节
程序验证。在80C52 ，端口1可以下沉/
源的三LS TTL输入。它可以驱动CMOS输入
无需外部上拉电阻。
也使用2个输入端口1的定时器/计数器2 ：
P1.0 [ T2 ] ：外部时钟输入定时器/计数器2 P1.1
[ T2EX ] ：一个触发器输入的定时/计数器2 ，要
重载或捕获导致定时器/计数器2
中断。
端口3可吸收/源的三LS TTL输入。它可以驱动
CMOS输入，无需外部上拉电阻。
RST
高水平的这个两个机器周期，而
振荡器运行复位设备。内部
下拉电阻允许只使用一个上电复位
电容器连接到V
CC
。一旦复位
施加（输入电压） ，端口1 ， 2和3被连接到一个。这
操作是异步实现即使
振荡器不启动。
端口2
端口2是一个8位双向I / O和内部端口
上拉电阻。 P2口具有1的写信给他们的
拉高由内部上拉，并在该状态下可以
被用作输入。作为输入使用时， P2口是外部
被拉低时将输出电流（ ILL ，对数据
表由于内部电阻的） 。端口2发出的
在从外部取高位地址字节
程序存储器，并在外部的数据访问
ALE
地址锁存使能输出锁存的低字节
地址期间访问外部存储器。 ALE是
以恒定的速率为这个目的，就好像被激活
1/6振荡器的频率，除了外部时
数据存储器访问，此时在ALE脉冲是
跳过。 ALE可以吸入/源8 LS TTL输入。它可以
驱动CMOS输入，无需外部上拉电阻。
4
版本E（ 31/08/95 ）
MATRA MHS
PSEN
程序存储允许输出是读选通到外部
程序存储器。 PSEN被激活每一台机器的两倍
在从外部程序存储器取指周期。
（但是，在执行外部程序时出
内存方面， PSEN两个激活过程中被跳过
每次访问外部数据存储器） 。 PSEN不
在从内部程序存储器取激活。
PSEN可以吸入/源8 LS TTL输入。它可以驱动
CMOS输入，无需外部上拉电阻。
80C32/80C52
1 FFFH ） 。当EA保持低电平时，CPU只执行了
外部程序存储器。 EA不能浮起。
XTAL1
输入到反相放大器构成的振荡器。
接收外部振荡器信号，当外部
振荡器。
XTAL2
输出反相放大器器构成的振荡器。
当外部振荡器是该引脚应浮动
使用。
EA
当EA保持高电平时，CPU执行了内部
程序存储器（除非程序计数器超过
空闲和掉电操作
科幻gure 3
显示了内部空闲和掉电时钟
配置。如图所示，关机操作
振荡器停振。空闲模式操作允许
中断，串行端口，和定时器块继续
功能，而CPU时钟被切断。
这些特殊模式是由软件通过激活
特殊功能寄存器PCON 。它的硬件地址是
87H 。 PCON是不是位寻址。
图3.空闲和掉电硬件。
符号
SMOD
位置
PCON.7
名称和功能
双倍波特率位。当设置为
1 ，波特率时翻了一倍
串行端口在使用
无论模式1,2或3 。
（保留）
（保留）
（保留）
通用标志位。
通用标志位。
掉电位。设置此位
激活断电操作。
空闲模式位。设置此位
激活空闲模式操作。
–
–
–
GF1
GF0
PD
IDL
PCON.6
PCON.5
PCON.4
PCON.3
PCON.2
PCON.1
PCON.0
如果1的被写入到PD和IDL的同时。 PD
需要，优先级。 PCON的复位值是
(000X0000).
空闲模式
它设置PCON.0的指令是最后的指令
执行前的空闲模式下被激活。一旦进入
空闲模式下， CPU状态的全部被保留：在
堆栈指针，程序计数器，程序状态字，
蓄能器， RAM和所有其它寄存器保持其
空闲时的数据。
表1
描述的状态
在空闲模式下外部引脚。
PCON ：电源控制寄存器
（MSB）
SMOD
–
–
–
GF1
GF0
PD
（ LSB ）
IDL
版本E（ 31/08/95 ）
5
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