7MBR35UA120
IGBT模块（ U系列）
1200V / 35A / PIM
IGBT模块
特点
低V
CE
（SAT）
·小型封装
· P.C。板载模块
·转换器二极管桥式动态制动电路
应用
·逆变器Motoe驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
I
CP
-I
C
收藏家功率disspation
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
符号
V
CES
V
GES
I
C
条件
等级
1200
±20
连续
1ms
逆变器
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
35
25
70
50
35
70
160
1200
单位
V
V
A
-I
C
脉冲
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
1ms
1设备
W
V
V
A
连续
1ms
1设备
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
±20
25
15
50
30
115
1200
1600
收藏家功率disspation
反向重复峰值电压
反向重复峰值电压
平均输出电流
浪涌电流（不重复）
I
2
t
（不重复）
变流器
P
C
V
RRM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
2
t
W
V
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
N·m的
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 150 ° C， 10毫秒
半正弦波
35
260
338
+150
-40到+125
AC 2500
AC 2500
3.5 *
1
T
j
工作结温
T
英镑
储存温度
终端与铜基*之间的隔离2 V
ISO
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
AC ：11分钟
* 1值得推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
* 2所有接线端子应连接在一起时，隔离测试将完成。
* 3的两个热敏电阻器端子应连接在一起，彼此终端应
连接在一起，并以短底板时，隔离测试将完成。
IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
60
VGE = 20V 15V
50
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
40
30
20
10
8V
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
5
0
0
1
2
12V
50
40
30
60
VGE=20V
7MBR35UA120
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
15V
12V
10V
10V
20
10
8V
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
60
50
集电极电流IC [ A]
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
Tj=25°C
Tj=125°C
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
8
6
4
Ic=50A
Ic=25A
IC = 12.5A
2
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
10.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 35A ， TJ = 25°C
资本投资者入境计划
VGE
1.0
卓越中心
CRES
0.1
0
10
20
30
0
0
30
60
VCE
90
120
150
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
IGBT模块
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 43Ω ， TJ = 25°C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10000
7MBR35UA120
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 43Ω ， TJ = 125°C
1000
吨
tr
花花公子
100
tf
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
0
10
20
30
40
50
集电极电流IC [ A]
10
0
10
20
30
40
50
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 35A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
tr
吨
花花公子
1000
14
12
10
8
6
4
2
0
10.0
100.0
门极电阻： RG [
]
1000.0
0
10
20
[逆变器]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 43Ω
Eon(125°C)
Eon(25°C)
100
tf
Eoff(125°C)
Eoff(25°C)
Err(125°C)
Err(25°C)
10
30
40
50
60
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 35A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
20
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
80
[逆变器]
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 43Ω ， TJ < = 125°C
宙
集电极电流IC [ A]
1000.0
15
60
10
40
5
EOFF
20
ERR
0
10.0
100.0
门极电阻： RG [
]
0
0
400
800
1200
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
[逆变器]
正向电流与正向电压（ TY页）
芯片
60
T J = 25°C
50
T J = 125°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
正向电流IF [ A]
1000
7MBR35UA120
[逆变器]
反向恢复特性（ TY页）
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 43
40
TRR （ 125°C ）
100
TRR （ 25 ° C）
30
20
10
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
10
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
0
10
20
30
40
50
正向电流IF [ A]
[转换]
正向电流与正向电压（ TY页）
芯片
60
50
T J = 25°C
正向电流IF [ A]
40
T J = 125°C
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
正向电压： VFM [ V]
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
100
瞬态热阻抗（最大）
10.000
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
1.000
Conv.Diode
IGBT [逆变器]
电阻值：R [ kΩ的]
1.000
FWD [逆变器]
IGBT [制动]
10
0.100
1
0.010
0.001
0.010
0.100
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
脉冲宽度：P W [秒]
温度[° C]
QQ：2880707522 复制
