7MBR25SC120
PIM /内置转换器，可控硅
和制动器（ S系列）
1200V / 25A / PIM
特点
低V
CE
（SAT）
·小型封装
· P.C。板载模块
·转换器二极管桥式动态制动电路
IGBT模块
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25°C ，除非没有指定）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
-I
C
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
收藏家功率disspation
反向重复峰值电压（二极管）
P
C
V
RRM
V
DRM
V
RRM
I
T（ AV ）
I
TSM
T
jw
V
RRM
I
O
I
FSM
It
T
j
T
英镑
V
ISO
2
条件
等级
1200
±20
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
35
25
70
50
25
180
1200
±20
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
25
15
50
30
110
1200
1600
1600
25
290
125
1600
25
260
338
+150
-40到+125
AC 2500
AC 2500
1.7 *
1
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
V
A
A
°C
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
V
N·m的
连续
1ms
集电极电流
收藏家功率disspation
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
1设备
连续
1ms
1设备
晶闸管
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
平均通态电流
0N浪涌通态电流（不重复）
结温
反向重复峰值电压
平均输出电流
浪涌电流（不重复）
It
2
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 125°C ， 10ms的半正弦波
变流器
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 150 ° C， 10毫秒
半正弦波
（不重复）
结温（除晶闸管）
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 2
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
AC ：11分钟
* 1值得推荐值： 1.3 1.7 N·m的（ M4 ）
* 2所有接线端子应连接在一起时，隔离测试将完成。
* 3端子8和9 ，应连接在一起。终端1至7和10至26中
应连接在一起，并缩短到铜底板。
IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
60
60
7MBR25SC120
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125°C （典型值）。
VGE = 20V
15V
12V
50
50
VGE = 20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
40
集电极电流IC [ A]
40
10V
30
30
10V
20
20
10
10
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
60
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
TJ = 25°C
50
TJ = 125°C
40
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
集电极电流IC [ A]
6
30
4
IC = 50A
2
IC = 25A
IC = 12.5A
20
10
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
10000
1000
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 25A ， TJ = 25°C
25
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
资本投资者入境计划
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
600
15
1000
400
10
卓越中心
CRES
100
0
5
10
15
20
25
30
35
200
5
0
0
50
100
150
200
0
250
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
IGBT模块
7MBR25SC120
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
， TJ = 25°C
1000
1000
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
， TJ = 125°C
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
500
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
花花公子
500
吨
吨
tr
tr
tf
100
100
tf
50
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 25A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
5000
7
[逆变器]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
6
Eon(125°C)
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
5
1000
4
Eon(25°C)
500
3
Eoff(125°C)
花花公子
吨
tr
100
tf
50
10
50
100
500
2
Eoff(25°C)
Err(125°C)
1
Err(25°C)
0
0
10
20
30
40
50
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 25A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
20
300
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
250
15
宙
200
SCSOA
（非重复脉冲）
10
150
100
5
EOFF
50
RBSOA
ERR
0
10
50
100
500
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
门极电阻： RG [
]
IGBT模块
7MBR25SC120
[逆变器]
正向电流与正向电压（典型值）。
60
300
[逆变器]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
Tj=125°C
50
Tj=25°C
trr(125°C)
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
正向电流IF [ A]
40
100
trr(25°C)
30
20
Irr(125°C)
10
Irr(25°C)
0
0
1
2
3
4
10
0
10
20
30
40
正向电压： VF [ V]
正向电流IF [ A]
[转换]
正向电流与正向电压（典型值）。
60
100
[可控硅]
通态电流与通态电压（典型值）。
TJ = 25°C
50
TJ = 125°C
TJW = 125°C
正向电流IF [ A]
40
30
10
20
10
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电压： VFM [ V]
瞬态热阻
5
200
100
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
FWD [逆变器]
1
IGBT [制动]
晶闸管
CONV 。二极管
IGBT [逆变器]
电阻值：R [K
]
10
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
脉冲宽度：密码[秒]
温度[° C]
7MBR25SC120
PIM /内置转换器，可控硅
和制动器（ S系列）
1200V / 25A / PIM
特点
低V
CE
（SAT）
·小型封装
· P.C。板载模块
·转换器二极管桥式动态制动电路
IGBT模块
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25°C ，除非没有指定）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
-I
C
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
收藏家功率disspation
反向重复峰值电压（二极管）
P
C
V
RRM
V
DRM
V
RRM
I
T（ AV ）
I
TSM
T
jw
V
RRM
I
O
I
FSM
It
T
j
T
英镑
V
ISO
2
条件
等级
1200
±20
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
35
25
70
50
25
180
1200
±20
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
25
15
50
30
110
1200
1600
1600
25
290
125
1600
25
260
338
+150
-40到+125
AC 2500
AC 2500
1.7 *
1
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
V
A
A
°C
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
V
N·m的
连续
1ms
集电极电流
收藏家功率disspation
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
1设备
连续
1ms
1设备
晶闸管
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
平均通态电流
0N浪涌通态电流（不重复）
结温
反向重复峰值电压
平均输出电流
浪涌电流（不重复）
It
2
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 125°C ， 10ms的半正弦波
变流器
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 150 ° C， 10毫秒
半正弦波
（不重复）
结温（除晶闸管）
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 2
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
AC ：11分钟
* 1值得推荐值： 1.3 1.7 N·m的（ M4 ）
* 2所有接线端子应连接在一起时，隔离测试将完成。
* 3端子8和9 ，应连接在一起。终端1至7和10至26中
应连接在一起，并缩短到铜底板。
IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
60
60
7MBR25SC120
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125°C （典型值）。
VGE = 20V
15V
12V
50
50
VGE = 20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
40
集电极电流IC [ A]
40
10V
30
30
10V
20
20
10
10
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
60
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
TJ = 25°C
50
TJ = 125°C
40
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
集电极电流IC [ A]
6
30
4
IC = 50A
2
IC = 25A
IC = 12.5A
20
10
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
10000
1000
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 25A ， TJ = 25°C
25
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
资本投资者入境计划
600
15
1000
400
10
卓越中心
CRES
100
0
5
10
15
20
25
30
35
200
5
0
0
50
100
150
200
0
250
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
门 - 发射极电压VGE [ V]
IGBT模块
7MBR25SC120
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
， TJ = 25°C
1000
1000
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
， TJ = 125°C
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
500
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
花花公子
500
吨
吨
tr
tr
tf
100
100
tf
50
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 25A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
5000
7
[逆变器]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
6
Eon(125°C)
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
5
1000
4
Eon(25°C)
500
3
Eoff(125°C)
花花公子
吨
tr
100
tf
50
10
50
100
500
2
Eoff(25°C)
Err(125°C)
1
Err(25°C)
0
0
10
20
30
40
50
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 25A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
20
300
[逆变器]
反向偏置安全工作区
+ VGE = 15V ， -VGE< = 15V ， Rg> = 51
， Tj< = 125°C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
250
15
集电极电流IC [ A]
宙
200
SCSOA
（非重复脉冲）
10
150
100
5
EOFF
50
RBSOA
（重复脉冲）
ERR
0
10
50
100
500
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
门极电阻： RG [
]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
7MBR25SC120
[逆变器]
正向电流与正向电压（典型值）。
60
300
[逆变器]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
Tj=125°C
50
Tj=25°C
trr(125°C)
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
正向电流IF [ A]
40
100
trr(25°C)
30
20
Irr(125°C)
10
Irr(25°C)
0
0
1
2
3
4
10
0
10
20
30
40
正向电压： VF [ V]
正向电流IF [ A]
[转换]
正向电流与正向电压（典型值）。
60
100
[可控硅]
通态电流与通态电压（典型值）。
TJ = 25°C
50
TJ = 125°C
TJW = 125°C
TJW = 25°C
40
30
瞬时通态电流[A]
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电流IF [ A]
10
20
10
0
0.0
2
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电压： VFM [ V]
瞬时导通状态电压[ V]
瞬态热阻
5
200
100
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
FWD [逆变器]
1
IGBT [制动]
晶闸管
CONV 。二极管
IGBT [逆变器]
电阻值：R [K
]
10
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
脉冲宽度：密码[秒]
温度[° C]
7MBR25SC120
PIM /内置转换器，可控硅
和制动器（ S系列）
1200V / 25A / PIM
特点
低V
CE
（SAT）
·小型封装
· P.C。板载模块
·转换器二极管桥式动态制动电路
IGBT模块
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25°C ，除非没有指定）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
-I
C
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
收藏家功率disspation
反向重复峰值电压（二极管）
P
C
V
RRM
V
DRM
V
RRM
I
T（ AV ）
I
TSM
T
jw
V
RRM
I
O
I
FSM
It
T
j
T
英镑
V
ISO
2
条件
等级
1200
±20
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
35
25
70
50
25
180
1200
±20
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
25
15
50
30
110
1200
1600
1600
25
290
125
1600
25
260
338
+150
-40到+125
AC 2500
AC 2500
1.7 *
1
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
V
A
A
°C
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
V
N·m的
连续
1ms
集电极电流
收藏家功率disspation
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
1设备
连续
1ms
1设备
晶闸管
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
平均通态电流
0N浪涌通态电流（不重复）
结温
反向重复峰值电压
平均输出电流
浪涌电流（不重复）
It
2
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 125°C ， 10ms的半正弦波
变流器
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 150 ° C， 10毫秒
半正弦波
（不重复）
结温（除晶闸管）
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 2
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
AC ：11分钟
* 1值得推荐值： 1.3 1.7 N·m的（ M4 ）
* 2所有接线端子应连接在一起时，隔离测试将完成。
* 3端子8和9 ，应连接在一起。终端1至7和10至26中
应连接在一起，并缩短到铜底板。
IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
60
60
7MBR25SC120
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125°C （典型值）。
VGE = 20V
15V
12V
50
50
VGE = 20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
40
集电极电流IC [ A]
40
10V
30
30
10V
20
20
10
10
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
60
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
TJ = 25°C
50
TJ = 125°C
40
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
集电极电流IC [ A]
6
30
4
IC = 50A
2
IC = 25A
IC = 12.5A
20
10
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
10000
1000
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 25A ， TJ = 25°C
25
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
资本投资者入境计划
600
15
1000
400
10
卓越中心
CRES
100
0
5
10
15
20
25
30
35
200
5
0
0
50
100
150
200
0
250
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
门 - 发射极电压VGE [ V]
IGBT模块
7MBR25SC120
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
， TJ = 25°C
1000
1000
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
， TJ = 125°C
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
500
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
花花公子
500
吨
吨
tr
tr
tf
100
100
tf
50
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 25A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
5000
7
[逆变器]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
6
Eon(125°C)
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
5
1000
4
Eon(25°C)
500
3
Eoff(125°C)
花花公子
吨
tr
100
tf
50
10
50
100
500
2
Eoff(25°C)
Err(125°C)
1
Err(25°C)
0
0
10
20
30
40
50
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 25A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
20
300
[逆变器]
反向偏置安全工作区
+ VGE = 15V ， -VGE< = 15V ， Rg> = 51
， Tj< = 125°C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
250
15
集电极电流IC [ A]
宙
200
SCSOA
（非重复脉冲）
10
150
100
5
EOFF
50
RBSOA
（重复脉冲）
ERR
0
10
50
100
500
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
门极电阻： RG [
]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
7MBR25SC120
[逆变器]
正向电流与正向电压（典型值）。
60
300
[逆变器]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 51
Tj=125°C
50
Tj=25°C
trr(125°C)
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
正向电流IF [ A]
40
100
trr(25°C)
30
20
Irr(125°C)
10
Irr(25°C)
0
0
1
2
3
4
10
0
10
20
30
40
正向电压： VF [ V]
正向电流IF [ A]
[转换]
正向电流与正向电压（典型值）。
60
100
[可控硅]
通态电流与通态电压（典型值）。
TJ = 25°C
50
TJ = 125°C
TJW = 125°C
TJW = 25°C
40
30
瞬时通态电流[A]
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电流IF [ A]
10
20
10
0
0.0
2
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电压： VFM [ V]
瞬时导通状态电压[ V]
瞬态热阻
5
200
100
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
FWD [逆变器]
1
IGBT [制动]
晶闸管
CONV 。二极管
IGBT [逆变器]
电阻值：R [K
]
10
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
脉冲宽度：密码[秒]
温度[° C]
QQ：2880707522 复制
