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7MBR100SB060
IGBT模块( S系列)
600V / 100A / PIM
IGBT模块
特点
低V
CE
(SAT)
·小型封装
· P.C。板机接口
·转换器二极管桥,动态制动电路
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值(TC = 25°C ,除非没有指定)
集电极 - 发射极电压
逆变器
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
集电极 - 发射极电压
刹车
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
反向重复峰值电压
反向重复峰值电压
平均输出电流
浪涌电流(不重复)
I
2
t
(不重复)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
-I
C
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
V
RRM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
2
t
T
j
连续
1ms
1设备
条件
鼠ING
600
±20
100
200
100
400
600
±20
50
100
200
600
800
100
700
2450
+150
-40到+125
AC :11分钟
AC 2500
AC 2500
3.5 *
1
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
V
N·m的
连续
1ms
1设备
变流器
为50Hz / 60Hz的正弦波
TJ = 150 ° C, 10毫秒
半正弦波
工作结温
储存温度
T
英镑
终端与铜基*之间的隔离2 V
ISO
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
* 1值得推荐值: 2.5 3.5 N·m的( M5 )
* 2所有接线端子应连接在一起时,隔离测试将完成。
* 3端子8和9 ,应连接在一起。终端1至7和10至24个
应连接在一起,并缩短到铜底板。
IGBT模块
电气特性( TJ = 25 ° C除非另有说明)
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
C
IES
t
on
t
r
t
r(下ⅰ)
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
t
on
t
r
t
关闭
t
f
I
RRM
V
FM
I
RRM
R
B
条件
分钟。
V
CE
=600V, V
GE
=0V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ,我
C
=100mA
V
GE
= 15V , IC = 100A芯片
终奌站
V
GE
=0V, V
CE
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
=300V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=24
I
F
=100A
I
F
=100A
V
CES
=600V, V
GE
=0V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
I
C
= 50A ,V
GE
= 15V芯片
终奌站
开启时间
打开-O FF时间
反向电流
正向电压上
反向电流
阻力
B值
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
R
G
=51
V
R
=600V
I
F
=100A
V
R
=800V
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
465
3305
芯片
终奌站
5.5
7MBR100SB060
特征
典型值。
马克斯。
1.0
0.2
8.5
2.6
1.2
0.6
1.0
0.35
V
2.7
0.3
1.0
0.2
1.8
2.05
0.45
0.25
0.40
0.05
芯片
终奌站
1.1
1.2
5000
495
3375
2.5
1.2
0.6
1.0
0.35
1.0
1.5
1.0
520
3450
K
s
mA
A
V
s
pF
s
单位
mA
A
V
V
7.8
1.8
2.15
10000
0.45
0.25
0.08
0.40
0.05
1.6
1.95
打开-O FF
正向电压上
FRD的反向恢复时间
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
刹车
变流器
mA
V
mA
热敏电阻
热阻特性
符号
条件
分钟。
逆变器的IGBT
热电阻( 1个设备)
RTH (J -C )
变频器FWD
制动IGBT
转换二极管
接触热阻
*
RTH ( C-F )
随着热复合
0.05
*这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值
特征
典型值。
马克斯。
0.31
0.70
0.63
0.47
单位
° C / W
等效电路示意
[转换]
21(P)
[B RA K E特征]
2 2 (P 1 )
8
9
[在V ER之三]
[热敏电阻]
2 0 (G U)
1 8 (G V)
1 6 ( G W )
1(R)
2(S)
3(T)
7 (B )
1 9 (E U)
4 (U )
1 7 (E V)
5 (V )
1 5 (E W)
6 (W )
1 4 ( G B )
1 3 (G X)
1 2 (G Y)
1 1 (G Z)
1 0 (E N)
23(N)
2 4 (N 1 )
IGBT模块
特性(代表)
7MBR100SB060
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
250
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
250
TJ = 25℃ (典型值)。
o
TJ = 125℃ (典型值)。
o
VGE = 20V
200
15V
12V
VGE = 20V
200
15V
12V
集电极电流IC [ A]
150
集电极电流IC [ A]
150
100
100
10V
50
10V
50
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V (典型值)。
250
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25℃ (典型值)。
o
TJ = 25℃
200
o
TJ = 125℃
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
o
8
集电极电流IC [ A]
150
6
100
4
Ic=200A
2
Ic=100A
IC = 50A
50
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压(典型值)。
VGE = 0V , F = 1MHz时, TJ = 25
50000
o
[逆变器]
动态栅极电荷(典型值)
VCC = 300V , IC = 100A , TJ = 25
500
o
C
C
25
400
电容:的Cies ,卓越中心, Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
20
门 - 发射极电压VGE [ V]
10000
资本投资者入境计划
300
15
5000
200
10
100
5
1000
卓越中心
CRES
500
0
5
10
15
20
25
30
35
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
100
200
300
400
500
栅极电荷:的Qg [ NC ]
0
600
IGBT模块
7MBR100SB060
[逆变器]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V , RG = 24Ω , TJ = 25°C
1000
1000
[逆变器]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V , RG = 24Ω , TJ = 125°C
花花公子
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
tr
花花公子
tr
100
100
tf
tf
10
0
50
100
集电极电流IC [ A]
150
200
10
0
50
100
集电极电流IC [ A]
150
200
[逆变器]
开关时间与栅极电阻(典型值)。
5000
[逆变器]
开关损耗与集电极电流(典型值)。
10
VCC = 300V , IC = 100A ,V
GE
= ± 15V , TJ = 25°C
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V , RG = 24Ω
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
花花公子
tr
8
李炎( 125℃ )
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
1000
EOFF ( 125℃ )
o
o
6
李炎( 25℃ )
o
4
EOFF ( 25℃ )
o
100
tf
2
ERR ( 125℃ )
o
o
ERR ( 25℃ )
10
10
门极电阻: RG [
100
]
0
300
0
50
100
集电极电流IC [ A]
150
200
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
[逆变器]
反向偏置安全工作区
250
VCC = 300V , IC = 100A ,V
GE
= ± 15V , TJ = 125°C
20
+V
GE
=15V, -V
GE
=
<15V , Rg>24Ω , Tj<125 ℃,
=
=
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
200
15
集电极电流IC [ A]
300
150
10
EOFF
100
5
50
ERR
0
10
门极电阻: RG [
100
]
0
0
200
400
600
800
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
7MBR100SB060
[逆变器]
正向电流与正向电压(典型值)。
250
300
[逆变器]
反向恢复特性(典型值)。
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V , RG = 24Ω
200
TJ = 125℃
TJ = 25℃
反向恢复时间: trr的[纳秒]
反向恢复电流: IRR [ A]
o
o
TRR ( 125℃ )
o
正向电流IF [ A]
100
o
150
内部收益率( 125℃ )
TRR ( 25℃ )
内部收益率( 25℃ )
o
o
100
50
0
0
1
2
3
正向电压: VF [ V]
10
0
50
100
正向电流IF [ A]
150
200
[转换]
正向电流与正向电压(典型值)。
250
TJ = 25℃
200
o
TJ = 125℃
o
正向电流IF [ A]
150
100
50
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电压: VFM [ V]
瞬态热阻
5
200
100
[热敏电阻]
温度特性(典型值)。
热resistanse : Rth的(J -C ) [C / W]
1
FWD [逆变器]
o
电阻值:R [K
]
1
IGBT [制动]
CONV 。二极管
IGBT [逆变器]
10
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
o
100
120
140
160
180
脉冲宽度:密码[秒]
温度
C]
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    7MBR100SB060
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
7MBR100SB060
FUJI
24+
1000
MODULE
全新原装现货
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电话:+021-51099758
联系人:蔡经理
地址:上海市嘉定区新成路500号J
7MBR100SB060
fuji
21+
200
标准封装
全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
7MBR100SB060
FUJI
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
7MBR100SB060
富士FUJI
22+
8000
Tray
全新原装,原厂渠道现货
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电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
7MBR100SB060
富士FUJI
21+
9999
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
7MBR100SB060
FUJI/富士
21+
1288
原装
原装现货提供
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电话:0755-83679110 0755-23125986
联系人:朱生/李小姐
地址:█★◆█★◣█★█◆█★深圳福田区华强北海外装饰大厦B座7B-20(门市:新亚洲电子市场4楼)★【长期高价回收全新原装正品电子元器件】
7MBR100SB060
FUJI
NEW
3345
模块
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
7MBR100SB060
FUJI
24+
1000
MODULE
全新原装现货
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电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
7MBR100SB060
FUJI
21+
19500
100A600V
全新原装现货,质量保证,可开税票,可出样品!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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