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7MBP150VEA120-50
IGBT模块（ V系列）
1200V / 150A / IPM
特点
通过直接检测提供温度保障
各IGBT的结温
·低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热
保护
由于在数量大的下降更高的可靠性
份中内置的控制电路
IGBT模块
最大额定值和特性
绝对最大额定值（T
C
= 25℃ ，V
CC
= 15V除非另有说明）
项
集电极 - 发射极电压（ * 1 ）
短路电压
集电极电流
集电极耗散功率
集电极电流
DC
1ms
占空比= 100 ％ （ * 2 ）
1设备（ * 3 ）
DC
1ms
逆变器
符号
V
CES
V
SC
I
C
I
cp
-I
C
P
C
I
C
I
cp
I
F
P
C
V
CC
V
in
V
ALM
I
ALM
T
j
T
OPR
T
英镑
T
SOL
V
ISO
分钟。
0
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.5
-0.5
-0.5
-
-
-20
-40
-
-
-
马克斯。
1200
800
150
300
150
781
75
150
75
520
20
V
CC
+0.5
V
CC
20
150
110
125
260
AC2500
3.5
单位
V
V
A
A
A
W
A
A
A
W
V
V
V
mA
C
C
C
C
VRMS
Nm
刹车
二极管的正向电流
集电极耗散功率1设备（ * 3 ）
电源电压预驱动器的（* 4）
输入信号电压（ * 5 ）
报警信号电压（ * 6 ）
报警信号电流（ * 7 ）
结温
工作温度
储存温度
焊接温度（ * 8 ）
隔离电压（ * 9 ）
终端（ M5 ）
螺杆转矩
安装（M5）
-
注* 1 ： V
CES
应适用于所有的集电极和发射极之间的输入电压。 [ P1- （ U，V ，W ， B） ， P2- （ U，V ，W ， B） ， （ U，V ，W ， B） -N1 ， （ U，V ，W ， B） -N2 ]
注* 2 ：占空比= 125℃ / R
日（J -C ）D
/(I
F
×V
F
Max.)×100
注* 3 ：P
C
=125C/R
日（J -C ） Q
（变频器&制动）
注* 4 ： V
CC
应施加到端子3号和1,7和5,11和9,14和13之间的输入电压。
注* 5 ： V
in
应施加到端子＃2和1,6和5,10和9中， 15 18和13之间的输入电压。
注* 6 ： V
ALM
应施加到端子4号和1,8和5,12和9,19和13之间的电压。
注* 7 ：我
ALM
应施加到端子4号，8，12和19的输入电流。
注* 8 ：浸泡时间10 ±1秒。 1次。
注* 9 ：终端基地， 50 / 60Hz的正弦波1分钟。在测试过程中的所有终端应连接在一起。
1
7MBP150VEA120-50
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IGBT模块
电气特性（T
j
= 25℃ ，V
CC
= 15V除非另有说明）
项
集电极电流开关信号输入
逆变器
集电极 - 发射极饱和电压（ * 10 ）
FWD的正向电压（ * 10 ）
集电极电流开关信号输入
刹车
集电极 - 发射极饱和电压（ * 10 ）
FWD的正向电压（ * 10 ）
符号
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
F
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
F
t
on
t
关闭
t
rr
条件
V
CE
=1200V
I
C
=150A
I
F
=150A
V
CE
=1200V
I
C
=75A
I
F
=75A
终奌站
芯片
终奌站
芯片
终奌站
芯片
终奌站
芯片
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
-
-
-
-
1.2
1.5
225
113
-
-
150
-
11.0
0.2
1.0
2.5
5.0
960
典型值。
-
-
1.70
-
2.10
-
-
1.70
-
2.45
-
-
-
-
-
1.4
1.7
-
-
5
2
-
20
-
0.5
2.0
4.0
8.0
1265
马克斯。
1.0
2.20
-
2.70
-
1.0
2.15
-
3.00
-
-
2.1
0.3
35
124
1.6
1.9
-
-
-
3
-
-
12.5
-
2.4
4.9
11.0
1570
单位
mA
V
V
V
V
mA
V
V
V
V
s
s
s
mA
mA
V
V
A
A
s
s
C
C
V
V
ms
ms
ms
Ω
V
DC
= 600V ，T
j
= 125℃ ，我
C
=150A
V
DC
= 600V ，我
F
=150A
开关频率= 0-15kHz
T
C
=-20~110C
V
in
-GND
T
j
=125C
T
j
=125C
T
j
=125C
的IGBT芯片表面
ON
关闭
开关时间
P-侧预驱动器的电源电流（每单位）
N侧预驱动器的供电电流
输入信号的阈值电压
逆变器
刹车
过电流保护延迟时间
短路保护延迟时间
IGBT芯片过热保护的温度水平
过热保护迟滞
欠电压保护水平
欠压保护迟滞
过电流保护
水平
报警信号保持时间
电阻限流
I
CCP
I
CCN
V
INTH （上）
V
INTH （关闭）
I
OC
t
DOC
t
SC
T
[约
T
jH
V
UV
V
H
t
ALM （ OC ）
t
ALM （ UV）
t
ALM （ TjOH ）
R
ALM
ALM- GND
T
C
=-20~110C
V
CC
10V
注* 10：最大的价值就是它P2- （ U，V ， W，B ）测量的情况下， （ U，V ，W ， B） -N2 。
热特性（T
C
= 25C)
项
逆变器
结到外壳热阻（ * 11 ）
刹车
案件翅复合热阻
注* 11 ：对于1设备的情况下的测量点就是在芯片的正下方。
IGBT
FWD
IGBT
FWD
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
TH（ C-F ）
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.05
马克斯。
0.160
0.235
0.240
0.500
-
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
噪声抗扰性（V
DC
=600V, V
CC
=15V)
项
共模噪声的矩形
条件
脉冲宽度为1μs ，极性± ， 10分钟。
法官：无过流，无营业小姐
分钟。
±2.0
典型值。
-
马克斯。
-
单位
kV
推荐工作条件
项
直流母线电压
预驱动器的电源电压
IPM开关频率
通过阻断时间的手臂拍了IPM的输入信号
螺丝扭矩（ M5 ）
符号
V
DC
V
CC
f
SW
t
DEAD
-
分钟。
-
13.5
-
1.0
2.5
典型值。
-
15.0
-
-
-
马克斯。
800
16.5
20
-
3.5
单位
V
V
千赫
s
Nm
重量
项
重量
符号
Wt
分钟。
-
典型值。
980
马克斯。
-
单位
g
2
7MBP150VEA120-50
框图
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IGBT模块
V
CC
U
③
VinU
②
ALMU
④
GNDU
①
V
CC
V
⑦
VINV
⑥
ALM V
⑧
GNDv
⑤
V
CC
W
VinW
⑩
ALM W
GNDW
⑨
V
CC
VINX
预驱动器
R
ALM
预驱动器
R
ALM
预驱动器
R
ALM
预驱动器
P1
P2
U
V
W
GND
葡萄树
预驱动器
VinZ
预驱动器
B
VinDB
预驱动器
N1
ALM
R
ALM
N2
预驱动器包括以下功能
1.放大器驱动器
2.短路保护
3.欠压锁定电路
4.过电流保护
5. IGBT芯片过热保护
3
7MBP150VEA120-50
特性（代表）
电源电流与开关频率
T
j
= 25 ℃ （典型值）。
200
低端
高边
电源电流：I
CC
[马]
150
V
CC
=17V
V
CC
=15V
V
CC
=13V
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IGBT模块
输入信号的阈值电压
- 电源电压（典型值）。
3.0
T
C
=25~125℃
2.5
输入信号的阈值电压：
V
INTH （上）
,V
INTH （关闭）
[ V ]
2.0
1.5
V
INTH （上）
1.0
0.5
0.0
V
INTH （关闭）
100
50
V
CC
=17V
V
CC
=15V
V
CC
=13V
0
0
5
10
15
20
25
Switchig频率：F
sw
[千赫]
12
13
14
15
16
17
18
电源电压： V
CC
[ V ]
根据电压与结温（典型值）。
15
1
欠压滞后
与结温度（典型值）。
9
下滞回电压： V
H
[ V ]
12
根据电压： V
UV
[ V ]
0.8
0.6
6
0.4
3
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
结温：T已
j
[
℃
]
0
0
20
40
60
80
100
120
140
结温：T已
j
[
℃
]
报警保持时间 - 电源电压（典型值）。
10
t
ALM （ TjOH ）
过热保护：T已
[约
[℃]
OH滞后：T已
jH
[℃]
8
报警保持时间：吨
ALM
[毫秒]
150
200
过热特征
T
[约
, T
jH
与V
CC
（典型值）。
T
[约
6
100
4
t
ALM （ OC ）
2
50
T
jH
0
0
12
13
14
15
16
17
18
电源电压： V
CC
[ V ]
12
13
14
15
16
17
18
电源电压： V
CC
[ V ]
4
7MBP150VEA120-50
逆变器
集电极电流与集电极 - 发射极电压
T
j
=25
℃
[片] （ TYP。）
300
250
集电极电流：我
C
[ A ]
200
150
100
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
300
250
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压
T
j
=25
℃
[终端] （ TYP。）
V
CC
=15V
集电极电流：我
C
[ A ]
V
CC
=17V
V
CC
=13V
V
CC
=15V
V
CC
=17V
V
CC
=13V
200
150
100
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
300
250
集电极电流：我
C
[ A ]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
T
j
=125
℃
[片] （ TYP。）
300
250
集电极电流：我
C
[ A ]
200
150
100
50
0
集电极电流与集电极 - 发射极电压
T
j
=125
℃
[终端] （ TYP。）
V
CC
=15V
V
CC
=17V
V
CC
=13V
V
CC
=15V
V
CC
=17V
V
CC
=13V
200
150
100
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
300
250
正向电流与正向电压
[片] （ TYP。）
300
250
正向电流与正向电压
[终端] （ TYP。）
T
j
=25
℃
正向电流：我
F
[ A ]
200
150
100
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
j
=125
℃
T
j
=25
℃
正向电流：我
F
[ A ]
T
j
=125
℃
200
150
100
50
0
3.0
3.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
正向电压： V
F
[ V ]
正向电压： V
F
[ V ]
5
QQ：2880707522 复制
