79C0832
8兆位（ 256K ×32位）
EEPROM MCM
内存
F
EATURES
:
256K ×32位的EEPROM MCM
R
AD
-P
AK
抗辐射抗自然
空间辐射
总剂量硬度：
- >100拉德（SI ）
- 在相关轨道
优秀的单粒子效应
- SEL
TH
> 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
高耐用性
- 10,000次/字节（页编程模式）
- 10年的数据保留
页写模式： 1 8 ×128字节页
高速：
- 最大的150和200 ns访问时间
自动编程
- 10毫秒自动翻页/写字节
低功耗
- 160毫瓦/ MHz的有功电流
- 880 μ W待机电流
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79C0832多芯片模块（ MCM ）
内存拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受
ANCE ，取决于轨道。利用麦克斯韦技术'巳
ented抗辐射
AD
-P
AK
MCM封装
技术， 79C0832是第一辐射加固8
兆MCM EEPROM空间应用。该79C0832
使用8个1兆位高速CMOS裸片，得到8
兆品。该79C0832能够在系统electri-的
CAL字节和页编程。它有一个128 ×8字节页
编程功能使其擦除和写入操作
速度更快。它还具有数据查询和就绪/忙信号
表示完成擦除和编程操作。
在79C0832 ，硬件数据保护设置有
RES引脚，除了噪声保护上WE信号和
写禁止在开机和关机。软件数据保护
使用可选的JEDEC标准算法实现。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K.
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所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
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8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
79C0832
内存
T
ABLE
1. 79C0832 P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
84-77, 29-37
48-55, 66-73, 96,
1-7, 18-25
61
41, 43
45
10, 17, 28, 40, 44,
58, 65, 76, 87, 93
8, 9, 11-16, 26, 27,
38, 42, 46, 56, 57,
59, 60, 62-64, 74,
75, 85, 86, 88-92,
94, 95
39
47
S
YMBOL
ADDR0到ADDR16
I / O0至I / O31
OE
CE0-1
WE
5V
GND
D
ESCRIPTION
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能0到1
写使能
电源
地
RDY / BUSY
水库
就绪/忙
RESET
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8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
T
ABLE
2. 79C0832一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
包装重量
S
YMBOL
V
CC
V
IN
RP
RT
XP
热阻抗
工作温度范围
存储温度范围
1. V
IN
分= -3.0V脉冲宽度<50ns 。
F
JC
T
OPR
T
英镑
-55
-65
M
IN
-0.6
-0.5
1
45
38
待定
3
T
YP
79C0832
M
AX
7.0
7.0
U
NIT
V
V
克
°
C / W
125
150
°
C
°
C
T
ABLE
3. 79C0832
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
RES_PIN
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
T
OPR
M
IN
4.5
-0.3
1
2.2
V
CC
-0.5
-55
M
AX
5.5
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
125
U
NIT
V
V
V
V
°
C
内存
T
ABLE
4. D
ELTA
L
IMITS1
P
ARAMETER
I
CC1A
I
CC1D
I
CC2A
I
LI
- ADDR ， CE ， OE ， WE
V
ARIATION2
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
I
LI
- D0-D31
1.参数进行测量，并符合MIL -STD- 883记录的K类设备
表6 2中指定的值
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T
ABLE
5. 79C0832 C
APACITANCE
(T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
P
ARAMETER
输入电容： V
IN
= 0V
1
S
YMBOL
C
IN
OE
C
IN
WE
C
IN
CE
0-1
C
IN
A0-A16
C
IN
水库
输出电容： V
OUT
= 0V
1
C
OUT
RDY / BSY
C
UT
D0-D31
1.设计保证。
--
M
IN
79C0832
M
AX
6
6
6
6
48
6
12
pF
U
NIT
pF
T
ABLE
6. 79C0832 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
输入漏电流
1
A0 - A16 ， CE ， WE ， OE
输入漏电流
D0-D31
待机V
CC
当前
1
T
美东时间
C
ONDITION
V
IN
= V
CC
V
IN
=V
IH
V
IN
=0V
V
IN
=V
CC
I
LI
I
LO
I
CC1A
I
CC1B
I
CC1C
I
CC1D
I
CC2A
1, 2, 3
--
--
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
S
YMBOL
I
LI
S
UBGROUPS
1, 2, 3
M
IN
--
M
AX
10
2
2.2
2
1.1
2
4
4
80
4
45
25
60
U
尼特
内存
A
mA
mA
A
A
A
mA
mA
mA
mA
输出漏电流（V
CC
= 5.5V, V
OUT
= 5.5V/0.4V)
CE = ADDR = WE = OE = V
CC
CE = V
IH ;
ADDR = WE = OE = V
CC
CE = ADDR = WE = OE = V
IH
CE = V
IH
，ADDR = WE = OE = 0V
操作
V
CC
当前
1,3
OE = 0V ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 1我们在V
CC
= 5.5V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 1我们在V
CC
= 5.5V
OE = 0V ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 150纳秒在V
CC
= 5.5V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 150纳秒在V
CC
= 5.5V
输入电压
I
CC2B
1, 2, 3
--
85
mA
I
CC2C
1, 2, 3
--
200
mA
I
CC2D
1, 2, 3
225
mA
V
IL
V
IH
RES_PIN
V
H
1, 2, 3
2.2
V
CC
-0.5
0.8
V
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8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
T
ABLE
6. 79C0832 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
输出电压
T
美东时间
C
ONDITION
S
YMBOL
S
UBGROUPS
M
IN
--
2.4
3.15
V
CC
- 0.3V
79C0832
M
AX
0.4
0.4
--
--
--
U
尼特
V
V
V
V
V
V
OL
数据线： V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
1, 2, 3
RDY / BSY_Line ： V
CC
分钟，我
OL
= 12毫安
V
OL
数据线： V
CC
分钟，我
OH
= -400 A
V
OH
RDY / BSY_Line ： V
CC
分钟，我
OH
= -12mA
V
OH
所有输出： V
CC
分钟，我
OH
= -100uA
1.所有输入连接到V
CC
用5.5KW
电阻器，除了RES是30KW 。
2.对于RES I
LI
= 800uA最大值。
3.只有一个CE有效（低电平）
T
ABLE
7. 79C0832 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-150
-200
芯片使能存取时间OE = V
IL
我们= V
IH
-150
-200
输出启用访问时间CE = V
IL
我们= V
IH
-150
-200
输出保持到地址变更CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-150
-200
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-150
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-150
-200
RES到输出延迟CE = OE = V
IL
我们= V
IH3
-150
-200
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
t
DFR
0
0
T
RR
9, 10, 11
0
0
450
650
350
450
ns
50
60
ns
ns
--
--
75
125
ns
150
200
ns
150
200
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
内存
1.测试条件：输入脉冲电平= 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载= 1 TTL门+ 100 pF的（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时间= 0.8 V / 1.8 V
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
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版权所有
QQ：2880707522 复制
