79LV0832
8兆位（ 256K ×32位）
低电压的EEPROM MCM
内存
F
EATURES
:
256K ×32位的EEPROM MCM
R
AD
-P
AK
抗辐射抗自然
空间辐射
总剂量硬度：
- >100拉德（SI ）
- 在相关轨道
卓越的单粒子效应
- SEL
TH
> 84.7兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 26.6兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 11.4兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
高耐力
- 10,000次/ DWORD ， 10年的数据保留
页写模式： 2× 128 DWORD页
高速：
- 最大的200和250 ns访问时间
自动编程
- 15毫秒自动翻页/ DWORD写
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79LV0832多芯片模块（ MCM ）
内存拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受
ANCE ，取决于轨道。利用麦克斯韦技术'巳
ented抗辐射
AD
-P
AK
MCM封装
技术， 79LV0832是第一辐射加固8
兆MCM EEPROM空间应用。该79LV0832
使用8个1兆位高速CMOS裸片，得到8
兆品。该79LV0832能够在系统中elec-
Trical公司DWORD和页面编程。它有一个128 ×32字节
网页编程功能，使其擦除和写入操作
系统蒸发散得更快。它还具有数据查询和就绪/忙
信号来指示完成擦除和编程的
操作。在79LV0832 ，硬件数据保护是亲
vided与RES引脚。软件数据保护imple-
mented采用JEDEC标准的算法。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
“提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K.
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（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
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版权所有。
低电压8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
79LV0832
内存
T
ABLE
1. 79LV0832 P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
84-77, 29-37
48-55, 66-73, 96,
1-7, 18-25
61
41, 43
45
10, 17, 28, 40, 44,
58, 65, 76, 87, 93
8, 9, 11-16, 26, 27,
38, 42, 46, 56, 57,
59, 60, 62-64, 74,
75, 85, 86, 88-92,
94, 95
39
47
S
YMBOL
ADDR0到ADDR16
I / O0至I / O31
OE
CE0-1
WE
3.3V
GND
D
ESCRIPTION
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能0到1
写使能
电源
地
RDY / BUSY
水库
就绪/忙
RESET
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低电压8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
79LV0832
典型值
M
AX
7.0
7.0
45
38
3
°
C / W
T
ABLE
2. 79LV0832一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
包装重量
热阻抗（ RP和RT包; XP TBD ）
工作温度范围
存储温度范围
1. V
IN
分= -3.0V脉冲宽度<50ns 。
S
YMBOL
V
CC
V
IN
RP
RT
F
JC
T
OPR
T
英镑
-55
-65
M
IN
-0.6
-0.5
1
U
NIT
V
V
克
125
150
°
C
°
C
T
ABLE
3. 79LV0832
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
RES_PIN
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
T
OPR
M
IN
3.0
-0.3
1
2.2
V
CC
-0.5
-55
M
AX
3.6
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
125
U
NIT
V
V
V
V
°
C
内存
T
ABLE
4. D
ELTA
L
IMITS1
P
ARAMETER
I
CC1A
I
CC2A
I
CC2C
I
LI
- ADDR ， CE ， OE ， WE
V
ARIATION2
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
I
Lo
- D0 - D31
+/- 10 %
1.三角洲限制从预燃式取试验数据计算和老化后的
在MIL -STD- 883定义
表6 2中指定的值
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T
ABLE
5. 79LV0832
APACITANCE
(T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
P
ARAMETER
输入电容： V
IN
= 0V
1
S
YMBOL
C
IN
C
IN
OE
C
IN
WE
C
IN
CE
0-1
C
IN
A0-A16
C
IN
水库
输出电容： V
OUT
= 0V
1
C
OUT
RDY / BSY
C
UT
D0-D31
1.设计保证。
M
IN
--
--
--
--
--
--
--
--
79LV0832
M
AX
6
6
6
6
6
48
6
12
pF
U
NIT
pF
T
ABLE
6. 79LV0832 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
内存
P
ARAMETER
T
美东时间
C
ONDITION
S
YMBOL
I
LI
S
UBGROUPS
1, 2, 3
M
IN
--
M
AX
4
2
720
2
720
2
U
尼特
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
输入漏电流
1
V
IN
= V
CC
A0 - A16 ， CE ， WE ， OE
输入漏电流
D0-D31
待机V
CC
当前
1
V
IN
=V
IH
V
IN
=0V
V
IN
=V
CC
I
LI
I
LO
I
CC1A
I
CC1B
I
CC1C
I
CC2A
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
--
1, 2, 3
4
4
80
15
15
24
输出漏电流（V
CC
= 3.6V, V
OUT
= 3.6V/0.4V)
CE = ADDR = WE = OE = V
CC
CE = ADDR = WE = OE = V
IH
CE = V
IH
; ADDR = WE = OE = 0V
操作
V
CC
当前
1,3
OE = 0V ; ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 1我们在V
CC
= 3.6V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 1我们在V
CC
= 3.6V
OE = 0V ; ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 200纳秒在V
CC
=3.6V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 200纳秒在V
CC
= 3.6V
输入电压
I
CC2B
1, 2, 3
--
40
mA
I
CC2C
1, 2, 3
60
mA
I
CC2D
1, 2, 3
--
100
mA
V
IL
V
IH
RES_PIN
V
H
1, 2, 3
2.2
V
CC
-0.5
0.8
V
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低电压8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
T
ABLE
6. 79LV0832 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
输出电压
T
美东时间
C
ONDITION
S
YMBOL
S
UBGROUPS
M
IN
--
79LV0832
M
AX
0.4
0.4
--
--
U
尼特
V
V
V
V
V
V
OL
数据线： V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
1, 2, 3
RDY / BSY_Line ： V
CC
分钟，我
OL
= 12毫安
V
OL
数据线： V
CC
分钟，我
OH
= -400 A
V
OH
RDY / BSY_Line ： V
CC
分钟，我
OH
= -12mA
V
OH
所有输出： V
CC
分钟，我
OH
=-100uA
1.所有输入连接至Vcc与5.5KW
电阻器，除了RES是30KW 。
2.对于RES I
LI
= 800uA最大值。
3.只有一个CE有效（低电平）的时间
2.4
2.4
V
CC
-0.3V
T
ABLE
7. 79LV0832 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
芯片使能存取时间OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出启用访问时间CE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出保持到地址变更CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
RES到输出延迟CE = OE = V
IL
我们= V
IH3
-200
-250
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
t
DFR
0
0
T
RR
9, 10, 11
0
0
525
550
300
350
ns
50
50
ns
ns
--
--
110
120
ns
200
250
ns
200
250
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
内存
1.测试条件：输入脉冲电平= 0.4V至2.2V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载= 1 TTL门+ 100 pF的（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时间= 0.8 V / 1.8 V
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
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所有数据表如有变更，恕不另行通知
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QQ：2880707522 复制
