79C0408
4兆位（ 512K的×8位）的
EEPROM MCM
CE
1
RS
E
R
/B
WE
OE
A
0-16
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-7
内存
逻辑图
F
EATURES
:
四个128K ×8位的EEPROM MCM
R
AD
-P
AK
抗辐射抗自然
空间辐射
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应
- SEL > 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
??包装：
- 40针
AD
-P
AK
扁平封装
- 40针X射线朴
TM
扁平封装
- 40针抗辐射，耐扁平封装
高速：
- 120 ，150，和200 ns的最大访问时间
可用的
数据查询和就绪/忙信号
软件数据保护
通过RES引脚写保护
高耐力
- 10,000擦除/写入（在页面模式） ，
- 10年的数据保留
页写模式： 1到128字节页
低功耗
- 80毫瓦/ MHz的工作模式
- 440 μ W待机模式
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79C0408多芯片模块（ MCM ）
内存拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受
ANCE ，根据航天任务。利用麦克斯韦技
奥希斯专利的抗辐射
AD
-P
AK
MCM
封装技术，在79C0408是第一辐射硬
ened 4兆位MCM EEPROM的空间应用。该
79C0408采用四个1兆比特的高速CMOS裸片以产生
4兆位的产品。该79C0408能够在系统elec-的
Trical公司字节和分页编程。它有一个128字节的页
编程功能使其擦除和写入操作
速度更快。它还具有数据查询和就绪/忙信号
表示完成擦除和编程操作。
在79C0408 ，硬件数据保护设置有
RES引脚，除了在WE信号的噪声保护。
软件数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上的R
AD
-P
AK
包提供
大于100拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产
UCT可与筛选来上课K.
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4兆位（ 512K ×8位） EEPROM MCM
T
ABLE
1. 79C0408 P
IN
D
ESCRIPTION
P
IN
16-9, 32-31,
28, 30, 8, 33,
7, 36, 6
17-19, 22-26
29
2, 3, 39, 38
34
1, 27, 40
4, 20, 21, 37
5
35
S
YMBOL
A0到A16
D
ESCRIPTION
地址输入
79C0408
I / O0至I / O7
OE
CE1-4
WE
VCC
VSS
RDY / BUSY
水库
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能1至4
写使能
电源
地
就绪/忙
RESET
内存
T
ABLE
2. 79C0408一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
包装重量
热电阻（ RP包）
工作温度范围
存储温度范围
S
YMBOL
V
CC
V
IN
RP
RT
TJC
T
OPR
T
英镑
-55
-65
M
IN
-0.6
-0.5
1
M
AX
7.0
7.0
23
10
7.3
125
150
°
C / W
°
C
°
C
U
NIT
V
V
克
1. V
IN
民
= -3.0V
对于脉冲宽度
<50
NS
.
T
ABLE
3. 79C0408
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
RES_PIN
情况下的工作温度
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
T
C
M
IN
4.5
-0.3
1
2.2
V
CC
-0.5
-55
M
AX
5.5
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
125
U
NIT
V
V
V
V
°
C
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T
ABLE
4. 79C0408 C
APACITANCE1
(T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
P
ARAMETER
输入电容： V
IN
= 0 V
1
WE
CE
1-4
OE
A
0-16
输出电容： V
OUT
= 0 V
1
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
--
--
--
--
C
OUT
M
IN
79C0408
M
AX
24
6
24
24
48
U
NIT
pf
pF
T
ABLE
5. D
ELTA
P
ARAMETERS
P
ARAMETER
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
C
ONDITION
的值在表6 + 10％
的值在表6 + 10％
的值在表6 + 10％
的值在表6 + 10％
内存
T
ABLE
6. 79C0408 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
输入漏电流
T
美东时间
C
ONDITION
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 5.5V
1
CE
1-4
OE ， WE
A
0-16
输出漏电流V
CC
= 5.5V, V
OUT
= 5.5V/0.4V
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
2
CE = V
CC
CE = V
IH
I
OUT
= 0毫安，占空比为100％ ，
周期= 1μ s的V
CC
= 5.5V
I
OUT
= 0毫安，占空比为100％ ，
周期=为150ns在V
CC
= 5.5V
输入电压
RES_PIN
输出电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
IL
V
IH
V
H
V
OL
V
OH
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
S
YMBOL
I
IL
S
UBGROUPS
1, 2, 3
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2.2
V
CC
-0.5
--
2.4
2
1
8
8
8
80
4
15
50
0.8
--
--
0.4
--
V
V
A
A
mA
mA
M
IN
M
AX
U
尼特
A
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1. I
LI
在RES = 100微安最大。
2.只有一个CE \\活动。
79C0408
T
ABLE
7. 79C0408 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATIONS1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
芯片使能存取时间OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出启用访问时间CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出保持到地址变更CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
RES到输出延迟CE = OE = V
IL
我们= V
IH 3
-120
-150
-200
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
0
t
DF
9, 10, 11
0
0
0
t
DFR
9, 10, 11
0
0
0
t
RR
9, 10, 11
--
--
--
400
450
650
300
350
450
ns
50
50
60
--
--
--
ns
75
75
125
ns
120
150
200
ns
120
150
200
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
内存
1.测试条件：输入脉冲电平 - 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间为20ns < ;输出负载 - 1 TTL门+ 100pF电容（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2.
t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
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79C0408
T
ABLE
8. 79C0408 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址建立时间
-120
-150
-200
芯片使能写建立时间（我们控制）
-120
-150
-200
把脉冲宽度
CE控制
-120
-150
-200
我们控制
-120
-150
-200
地址保持时间
-120
-150
-200
数据建立时间
-120
-150
-200
数据保持时间
-120
-150
-200
芯片使能保持时间（我们控制）
-120
-150
-200
写使能写建立时间（ CE控制）
-120
-150
-200
写使能保持时间（ CE控制）
-120
-150
-200
S
YMBOL
t
AS
S
UBGROUPS
9, 10, 11
0
0
0
t
CS
9, 10, 11
0
0
0
9, 10, 11
t
CW
200
250
350
t
WP
200
250
350
t
AH
9, 10, 11
150
150
200
t
DS
9, 10, 11
75
100
150
t
DH
9, 10, 11
10
10
10
t
CH
9, 10, 11
0
0
0
t
WS
9, 10, 11
0
0
0
t
WH
9, 10, 11
0
0
0
--
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
ns
--
--
--
ns
--
--
--
ns
--
--
--
ns
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
ns
M
IN1
M
AX
U
NIT
ns
内存
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