飞思卡尔半导体公司
技术参数
MC13770/D
第2版， 11/2003
MC13770
（比例2 ： 1 ）
MC13770
单频段LNA和混频器FEIC
设备
MC13770FC
包装信息
塑料包装
CASE 1345
(QFN-12)
订购信息
器件标识
770
包
QFN-12
1
介绍
目录
1
2
3
4
5
简介。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
联系说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
应用信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1
2
4
4
7
的MC13770为单一条带前端IC设计
无线接收器的应用程序。它包含一个低噪声
LNA和高线性混频器。该LNA集成
用旁路开关，以保护输入截取
性能。该器件采用飞思卡尔制造的
采用先进的射频BiCMOS工艺中的SiGe ：C选项
并封装在一个12针方形扁平无引脚
封装。
1.1
特点
RF输入频率： 2100至2400年兆赫
LNA增益= 15分贝（典型值）
LNA输入3阶截取点（ IIP3 ） =
为0 dBm （典型值）
LNA噪声系数（ NF） = 1.5分贝（典型值）
包括旁路模式，以提高拦截
性能上来看
双平衡混频器
混频器转换增益= 10分贝（典型值）
混频器的噪声系数（ NF） = 8.0分贝（典型值）
飞思卡尔保留改变的详细规范可能需要的，以允许在设计改进的权利的
产品。
飞思卡尔半导体公司， 2003年， 2005年。保留所有权利。
电气规格
混频器输入3阶截取点（ IIP3 ） = -3.0 dBm的（典型值）
总电源电流= 8.0毫安
LNA = 3.0毫安
混频器= 5.0毫安
LNA输出
拌
在LO +
LO在 -
IF +
在LNA
IF-
绕行
启用
混合偏
图1.简化的框图
2
电气规格
表1.最大额定值
等级
电源电压
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
CC
T
英镑
T
A
价值
3.6
-65到150
-40到85
单位
V
°C
°C
注意：
最大额定值和ESD
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应
限制在电气特性表或引脚说明部分的限制。
2.静电放电（ESD ）抗扰度符合人体模型（ HBM ）
≤100
V和机器模型（ MM ）
≤30
V.
额外的ESD资料可供索取。
表2.推荐工作条件
特征
电源电压
逻辑电压（使能引脚和旁路引脚）
输入高电压
输入低电压
0.85 V
CC
0
-
-
V
CC
0.15 V
CC
符号
民
2.7
典型值
2.75
最大
3.0
单位
VDC
V
MC13770技术数据，第2版
2
飞思卡尔半导体公司
电气规格
表3.电气特性
特征
开启时间
符号
民
-
典型值
100
最大
-
单位
ns
LNA高增益模式
（频率= 2140兆赫，V
CC
= 2.75 V，绕道= 2.75 V，启用= 2.75 V）
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
15
1.5
0
3.0
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
LNA低增益模式
（ RF = 2140兆赫，V
CC
= 2.75 V，绕道= 0V ，启用= 2.75 V）
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
-5.0
5.0
20
10
-
-
-
-
dB
dB
DBM
A
混频器模式
（ RF = 2140 MHz的LO = 2520兆赫，V
CC
= 2.75伏，启用= 2.75 V）
转换增益
SSB噪声系数
输入IP3
电源电流
LO驱动电平
注意：
音间距IIP3测量为5.0兆赫。
-
-
-
-
-
10
8.0
-3.0
5.0
-10
-
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
DBM
表4.真值表
(1 = 2.75 V, 0 = 0 V)
启用
0
0
1
1
绕行
0
1
0
1
模式
睡觉
未定义 - 不使用
低增益
高增益
MC13770技术数据，第2版
飞思卡尔半导体公司
3
联系方式说明
3
联系方式说明
表5.联系功能说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号
LNA输出
绕行
拌
启用
LO +
LO-
IF +
IF-
V
CC
在LNA
GND
混合偏
LNA输出
LNA旁路控制
混频器输入
芯片使能
本地振荡器输入+
本地振荡器输入 -
差分IF输出+
差分IF输出 -
供应
LNA输入
地
混频器偏置调整
描述
4
应用信息
图2
显示了2110年至2140年兆赫频段的典型应用电路。混频器输入在内部
宽带匹配。两个典型的IF输出匹配电路中提供
第5页表6 。
MC13770技术数据，第2版
4
飞思卡尔半导体公司
单列直插式保形系列770
技术
数据
特点
高可靠性的金属陶瓷电阻器
节省空间对单个电阻器
可在奇数或引脚偶数
从4到12个信息
在2.54毫米/ .100 。管脚间距
包装散装
符合RoHS
电阻容差：
电阻范围：
标准： ± 2 ％或0.5Ω （以较高者为准）标准： 10Ω 1 MegΩ
工作温度范围：
-55 ° C至+ 125°C
温度COEF网络cient ：
标准： 100Ω 1 MegΩ
100PPM / ° C典型值
22Ω至99Ω
± 200PPM / ° C典型值
介电强度：
100 VAC
最大工作电压：
100V不超过额定功率
电路类型
乘坐大巴（示意图1 ）
隔离（原理图3 ）
双终结者（原理图5 ）
可在4至12引脚
可在4 ， 6 ， 8 ， 10 ， 12引脚
可在6 ， 8 ， 10引脚
1第3
2008年3月
CTS电子元器件
www.ctscorp.com
如何订购
770
10
1
103
P
零件编号
引脚数
符合RoHS
（锡/银焊锡）
电阻器代码
请参考EIA代码注意到第2页。
电阻原理图码1 3 &
电阻值原理图5
例如三百三十〇分之二百二= 220Ω / 330Ω
例如470 / 1.2K = 470Ω / 1200Ω
所有的零件号为± 2 ％
概要
注：没有破折号或空格出现在零件号。
例如： 770101103P
1
3
5
乘坐大巴
隔离
DUAL终结者
包装
散装
所有产品250份/袋
环境绩效指标
马克斯。 ％
米尔。标准。
测试COND 。
测试说明
R的增量202的方法
0.5%
107
B
5个周期， -65 ° C至+ 125°C
0.5%
2 1/2 ×额定电压，5秒（100V最大）
0.5%
106
240小时，0.1额定载荷， -10℃至+ 65 ℃，90 ％RH下
1.0%
1000小时后， 0.1额定负载， 70℃， 85-92 ％RH下
1.0%
240小时，空载， @ 125°C
1.0%
108
D
千小时@ 70℃额定负荷
0.25%
A
3秒住@ 350 ° C，停留
0.25%
213
I
100克， 1毫秒， 3冲击每架飞机
0.25%
204
D
20G， 10-2000Hz ， 4小时/平面
0.25%
2.0千克。拔， 30秒， 3 45 °弯头
0.25%
24小时@ -65 ° C，无负载
0.25%
45分钟@ -65 ° C，满载
不适用
94V-0
TEST
热循环
短时过载
耐湿性
负载湿度
高温曝光
负载寿命
耐焊接热
机械冲击
振动
端子强度
低温贮藏
低温运行
FL可燃性
每MIL -STD非真菌
810C
耐溶剂性
可焊性
异丙醇
RMA助焊剂， 230℃ ， 5秒浸，覆盖率95％
第3页3
2008年3月
CTS电子元器件
www.ctscorp.com
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MC13770/D
第2版， 11/2003
MC13770
（比例2 ： 1 ）
MC13770
单频段LNA和混频器FEIC
设备
MC13770FC
包装信息
塑料包装
CASE 1345
(QFN-12)
订购信息
器件标识
770
包
QFN-12
1
介绍
目录
1
2
3
4
5
简介。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
联系说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
应用信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1
2
4
4
7
的MC13770为单一条带前端IC设计
无线接收器的应用程序。它包含一个低噪声
LNA和高线性混频器。该LNA集成
用旁路开关，以保护输入截取
性能。该器件采用飞思卡尔制造的
采用先进的射频BiCMOS工艺中的SiGe ：C选项
并封装在一个12针方形扁平无引脚
封装。
1.1
特点
RF输入频率： 2100至2400年兆赫
LNA增益= 15分贝（典型值）
LNA输入3阶截取点（ IIP3 ） =
为0 dBm （典型值）
LNA噪声系数（ NF） = 1.5分贝（典型值）
包括旁路模式，以提高拦截
性能上来看
双平衡混频器
混频器转换增益= 10分贝（典型值）
混频器的噪声系数（ NF） = 8.0分贝（典型值）
飞思卡尔保留改变的详细规范可能需要的，以允许在设计改进的权利的
产品。
飞思卡尔半导体公司， 2003年， 2005年。保留所有权利。
电气规格
混频器输入3阶截取点（ IIP3 ） = -3.0 dBm的（典型值）
总电源电流= 8.0毫安
LNA = 3.0毫安
混频器= 5.0毫安
LNA输出
拌
在LO +
LO在 -
IF +
在LNA
IF-
绕行
启用
混合偏
图1.简化的框图
2
电气规格
表1.最大额定值
等级
电源电压
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
CC
T
英镑
T
A
价值
3.6
-65到150
-40到85
单位
V
°C
°C
注意：
最大额定值和ESD
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应
限制在电气特性表或引脚说明部分的限制。
2.静电放电（ESD ）抗扰度符合人体模型（ HBM ）
≤100
V和机器模型（ MM ）
≤30
V.
额外的ESD资料可供索取。
表2.推荐工作条件
特征
电源电压
逻辑电压（使能引脚和旁路引脚）
输入高电压
输入低电压
0.85 V
CC
0
-
-
V
CC
0.15 V
CC
符号
民
2.7
典型值
2.75
最大
3.0
单位
VDC
V
MC13770技术数据，第2版
2
飞思卡尔半导体公司
电气规格
表3.电气特性
特征
开启时间
符号
民
-
典型值
100
最大
-
单位
ns
LNA高增益模式
（频率= 2140兆赫，V
CC
= 2.75 V，绕道= 2.75 V，启用= 2.75 V）
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
15
1.5
0
3.0
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
LNA低增益模式
（ RF = 2140兆赫，V
CC
= 2.75 V，绕道= 0V ，启用= 2.75 V）
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
-5.0
5.0
20
10
-
-
-
-
dB
dB
DBM
A
混频器模式
（ RF = 2140 MHz的LO = 2520兆赫，V
CC
= 2.75伏，启用= 2.75 V）
转换增益
SSB噪声系数
输入IP3
电源电流
LO驱动电平
注意：
音间距IIP3测量为5.0兆赫。
-
-
-
-
-
10
8.0
-3.0
5.0
-10
-
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
DBM
表4.真值表
(1 = 2.75 V, 0 = 0 V)
启用
0
0
1
1
绕行
0
1
0
1
模式
睡觉
未定义 - 不使用
低增益
高增益
MC13770技术数据，第2版
飞思卡尔半导体公司
3
联系方式说明
3
联系方式说明
表5.联系功能说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号
LNA输出
绕行
拌
启用
LO +
LO-
IF +
IF-
V
CC
在LNA
GND
混合偏
LNA输出
LNA旁路控制
混频器输入
芯片使能
本地振荡器输入+
本地振荡器输入 -
差分IF输出+
差分IF输出 -
供应
LNA输入
地
混频器偏置调整
描述
4
应用信息
图2
显示了2110年至2140年兆赫频段的典型应用电路。混频器输入在内部
宽带匹配。两个典型的IF输出匹配电路中提供
第5页表6 。
MC13770技术数据，第2版
4
飞思卡尔半导体公司
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
QQ：2881677436 复制
