ICL7611 ， ICL7612
数据表
2006年9月27日
FN2919.8
1.4MHz的低功耗CMOS运算
放大器器
该ICL761X系列是CMOS运算的
放大器。这些器件为设计人员提供高
在低电源电压和可选择的演奏操作
静态电流，并且是一种理想的设计工具时超
低输入电流和低功耗是期望的。
基本扩增fi er将在电源电压工作范围
从
±1V
to
±8V,
并且可以从一个单一的操作
锂电池。
独特的静态电流编程引脚允许设置
至1mA ， 100μA ，或10μA待机电流，没有外部的
组件。这导致功耗低至
20μW 。输出摆幅范围内的几毫伏
的电源电压。
特别显着性是极低的（ 1pA的）输入
0.01pA / √Hz的电流，输入噪声电流， 10
12
Ω
输入
阻抗。这些特性在非常优化性能
高源阻抗应用。
该输入在内部的保护。输出完全
保护以防短路接地或任一电源。
AC性能优良，具有1.6V / μs的转换速率，并
为1MHz ，在我的单位增益带宽
Q
=为1mA。
由于低功耗，结温
上升和漂移是相当低的。利用这些应用程序
功能包括稳定的金融工具，延长寿命
设计中，或高密度封装。
特点
宽工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±1V
to
±8V
高输入阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
12
Ω
可编程功耗。 。 。 。 。低至20μW
输入电流下比BIFETs 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为1pA （典型值）
输出电压摆幅。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V +和V-
输入共模电压范围大于供给
轨（ ICL7612 ）
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
- 便携式仪器
电话耳麦
助听器/麦克风放大器
仪表放大器
- 医疗器械
高阻抗缓冲器
引脚配置
ICL7611 ， ICL7612
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
BAL
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
+
8
I
Q
SET
V+
OUT
BAL
-
7
6
5
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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ICL7611 ， ICL7612
订购信息
产品型号
ICL7611DCBA
ICL7611DCBAZ （注）
ICL7611DCBA-T
ICL7611DCBAZ -T （注）
ICL7611DCPA
ICL7611DCPAZ （注）
ICL7612BCPA
ICL7612DCBA
ICL7612DCBAZ （注）
ICL7612DCBA-T
ICL7612DCBAZ -T （注）
ICL7612DCPA
ICL7612DCPAZ （注）
最热
7611DCBA
7611DCBAZ
7611DCBA
7611DCBAZ
7611DCPA
7611DCPAZ
7612BCPA
7612DCBA
7612DCBAZ
7612DCBA
7612DCBAZ
7612DCPA
7612DCPAZ
TEMP 。范围（° C）
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP * （无铅）
8 Ld的PDIP
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP * （无铅）
包
PKG 。 DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
E8.3
E8.3
E8.3
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
E8.3
E8.3
*无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
2
FN2919.8
2006年9月27日
ICL7611 ， ICL7612
绝对最大额定值
电源电压V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V- -0.3到V + + 0.3V
差分输入电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 [ （V + 0.3 ） - （ V- -0.3 ） V
输出短路持续时间（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
130
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
170
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
*无铅PDIPs可用于通孔波焊处理
只。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
工作条件
温度范围
ICL761XC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
如果施加于长时间大的输入差分电压1.长期偏移电压稳定性会变差。
2.输出可以被短路至地或以任一电源，用于V
供应
≤10V.
必须小心以保证耗散功率不
超标。
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
输入失调电压
V
供应
=
±5V,
除非另有说明
TEST
条件
R
S
≤
100kΩ
R
S
≤
100kΩ
ICL7612B
TEMP （℃）
+25
满
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5.3
+5.3, -5.1
+5.3, -4.5
±4.9
±4.8
±4.9
±4.8
±4.5
±4.3
80
75
80
75
76
72
典型值
-
-
15
0.5
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
104
-
102
-
83
-
最大
5
7
-
30
300
50
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ICL7611D ， ICL7612D
民
-
-
-
-
-
-
-
±4.4
±4.2
±3.7
±5.3
+5.3, -5.1
+5.3, -4.5
±4.9
±4.8
±4.9
±4.8
±4.5
±4.3
80
75
80
75
76
72
典型值
-
-
25
0.5
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
104
-
102
-
83
-
最大
15
20
-
30
300
50
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mV
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
温度
第五COEF网络cient
OS
输入失调电流
-
+25
满
输入偏置电流
I
BIAS
+25
满
共模
电压范围
（仅ICL7611 ）
扩展通用
模电压范围
（仅ICL7612 ）
输出电压摆幅
V
CMR
I
Q
= 10μA
I
Q
= 100μA
I
Q
= 1毫安
+25
+25
+25
+25
+25
+25
+25
满
V
CMR
I
Q
= 10μA
I
Q
= 100μA
I
Q
= 1毫安
V
OUT
I
Q
= 10μA ，R
L
= 1MΩ
I
Q
= 100μA ，R
L
= 100kΩ
+25
满
I
Q
= 1毫安，R
L
= 10kΩ
V
O
=
±4.0V,
R
L
= 1MΩ,
I
Q
= 10μA
V
O
=
±4.0V,
R
L
= 100kΩ,
I
Q
= 100μA
V
O
=
±4.0V,
R
L
= 10kΩ,
I
Q
= 1毫安
+25
满
大信号电压
收益
A
VOL
+25
满
+25
满
+25
满
3
FN2919.8
2006年9月27日
QQ：2880707522 复制
