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机械案例外形
包装尺寸
8
1
比例为1 : 1
X
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
ISSUE AK
日期2011年2月16日
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MILLIMETERS
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
A
8
5
B
1
S
4
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
K
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
焊接足迹*
通用
标记图*
8
XXXXX
ALYWX
1
IC
1
8
XXXXX
ALYWX
G
IC
(无铅)
8
XXXXXX
AYWW
1
分离
1
8
XXXXXX
AYWW
G
分离
(无铅)
1.52
0.060
7.0
0.275
4.0
0.155
XXXXX
A
L
Y
W
G
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
XXXXXX =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 : 1
mm
英寸
*此信息是通用的。请参考
到器件的数据手册的实际组成部分
标记。无铅标志, “G” ,可
或不存在。
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
方式对页2
文档编号:
状态:
新的标准:
98ASB42564B
ON SEMICONDUCTOR标准
http://onsemi.com
1
电子版是不受控制的,除非
直接从文档库访问。印刷的
版本是不受控制的,除了盖章时
红色“受控COPY” 。
案例大纲数字:
第1页
XXX
3
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
十月,
描述:
2002
第0版
SOIC - 8 , NB
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
ISSUE AK
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3.收集
4.发射器
5.发射
6.基地
7.基地
8.辐射源
风格5 :
PIN 1.排放
2.漏
3.排水
4.漏
5.门
6.门
7. SOURCE
8. SOURCE
风格9 :
PIN 1射,共
2.收藏家, DIE # 1
3.收藏家, DIE # 2
4.射,共
5.射,共
6. BASE , DIE # 2
7.基地,模具# 1
8.射,共
风格13 :
1.脚北卡罗来纳州
2.源
3.源
4.门
5.排水
6.排水
7.排水
8.排水
风格17 :
PIN 1. VCC
2. V2OUT
3. V1OUT
4. TXE
5. RXE
6. VEE
7. GND
8. ACC
风格21 :
PIN 1阴极1
2.阴极2
3.阴极3
4.阴极4
5.阴极5
6.共阳极
7.共阳极
8.阴极6
风格25 :
PIN 1. VIN
2, N / C
3. REXT
4. GND
5. IOUT
6. IOUT
7. IOUT
8. IOUT
风格29 :
1. PIN BASE , DIE # 1
2.发射器# 1
3. BASE , # 2
4.发射器# 2
5.收集器, # 2
6.收藏家, # 2
7,集热器, # 1
8.收藏家, # 1
方式2 :
PIN 1.收藏家,死, # 1
2.收藏家, # 1
3.收藏家, # 2
4.收藏家, # 2
5. BASE , # 2
6.发射器# 2
7. BASE , # 1
8.发射器# 1
类型6 :
PIN 1.源
2.漏
3.排水
4.源
5.源
6.门
7.门
8. SOURCE
风格10 :
PIN 1.接地
2. BIAS 1
3.输出
4.接地
5.地面
6. BIAS 2
7.输入
8.地面
风格14 :
PIN 1.氮源
2, N-二门
3, P- SOURCE
4. P- GATE
5. P漏
6. P漏
7. N漏
8. N漏
风格18 :
PIN 1.阳极
2.阳极
3.源
4.门
5.排水
6.排水
7.阴极
8.阴极
风格22 :
PIN 1. I / O线1
2.共阴极/ VCC
3.共阴极/ VCC
4. I / O线3
5.共阳极/ GND
6. I / O线4
7. I / O线5
8.共阳极/ GND
风格26 :
1.脚GND
2. dv / dt的
3.启用
4. ILIMIT
5.源
6. SOURCE
7. SOURCE
8. Vcc的
风格30 :
PIN 1.排放1
2.排放1
3.门2
4.源2
5.源1 /漏极2
6. SOURCE 1 /漏极2
7. SOURCE 1 /漏极2
8. GATE 1
方式3 :
PIN 1.排放, DIE # 1
2.排放, # 1
3.排水, # 2
4.排水, # 2
5.门, # 2
6. SOURCE , # 2
7.门, # 1
8. SOURCE , # 1
风格7 :
引脚1输入
2.外部旁路
3.第三阶段SOURCE
4.接地
5.排水
6. GATE 3
7.第二阶段Vd的
8.第一阶段Vd的
风格11 :
PIN 1.信号源1
2.门1
3.源2
4.门2
5.排水2
6.排水2
7.排水1
8.排水1
风格15 :
PIN 1.阳极1
2.阳极1
3.阳极1
4.阳极1
5.阴极COMMON
6.阴极COMMON
7.阴极COMMON
8.阴极COMMON
风格19 :
PIN 1.信号源1
2.门1
3.源2
4.门2
5.排水2
6.镜2
7.排水1
8镜1
风格23 :
PIN 1.第1行
2.共阳极/ GND
3.共阳极/ GND
4, LINE IN 2
5. LINE OUT 2
6.共阳极/ GND
7.共阳极/ GND
8. LINE OUT 1
风格27 :
PIN 1. ILIMIT
2. OVLO
3. UVLO
4.输入+
5.源
6. SOURCE
7. SOURCE
8.排水
日期2011年2月16日
方式4 :
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阳极
4.阳极
5.阳极
6.阳极
7.阳极
8.共阴极
风格8 :
PIN 1.集热器, DIE # 1
2. BASE , # 1
3. BASE , # 2
4.收藏家, # 2
5.收集器, # 2
6.发射器# 2
7.发射器# 1
8.收藏家, # 1
风格12 :
PIN 1.源
2.源
3.源
4.门
5.排水
6.排水
7.排水
8.排水
风格16 :
PIN 1.发射器DIE # 1
2. BASE , DIE # 1
3.发射器DIE # 2
4. BASE , DIE # 2
5.收藏家, DIE # 2
6.收藏家, DIE # 2
7,集热器, DIE # 1
8.收藏家, DIE # 1
风格20 :
PIN 1.信号源(N )
2. GATE (N )
3.信号源( P)
4.门(P)的
5.排水
6.排水
7.排水
8.排水
风格24 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.集电极/阳极
4.集电极/阳极
5.阴极
6.阴极
7,集热器/阳极
8.集电极/阳极
风格28 :
PIN 1. SW_TO_GND
2. DASIC_OFF
3. DASIC_SW_DET
4. GND
5. V_MON
6. VBULK
7. VBULK
8. VIN
文档编号:
状态:
新的标准:
98ASB42564B
ON SEMICONDUCTOR标准
http://onsemi.com
2
电子版是不受控制的,除非
直接从文档库访问。印刷的
版本是不受控制的,除了盖章时
红色“受控COPY” 。
案例大纲数字:
第2页
XXX
3
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
十月,
描述:
2002
第0版
SOIC - 8 , NB
文档编号:
98ASB42564B
第3页3
问题
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
调整
新增风格25 REQ 。由S.常。
ADDED更正标记图。 REQ 。由S. FARRETTA 。
更正标记图离散。 REQ 。由S. FARRETTA 。
已更新SCALE ON足迹。 REQ 。由S. WEST 。
已更新标记图。 REQ 。由S. WEST 。新增样式26. REQ 。 BY
S·张。
新增样式27. REQ 。由S.常。
新增样式28. REQ 。由S.常。
新增样式29. REQ 。由D. HELZER 。
新增样式30. REQ 。 BY一CAMBALIZA 。
日期
2004年3月15日
2004年8月13日
2004年11月18日
2005年1月31日
2005年4月14日
二零零五年六月三十○日
2006年3月9日
2007年9月19日
2011年2月16日
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年2月
牧师07AK
案例大纲数字:
751
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    751-07
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
751-07
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