74VHC573
八路D型锁存器
具有三态输出的非反相
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速:吨
PD
= 5.0 ns(典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:
I
CC
= 4
A
( MAX 。 )在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分)
掉电保护输入端上的
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 8 MA( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V至5.5V
引脚和功能兼容
74系列573
改进的闭锁抗扰度
低噪音: V
OLP
= 0.9V (最大)
SOP
TSSOP
表1 :订购代码
包
SOP
TSSOP
T&R
74VHC573MTR
74VHC573TTR
描述
该74VHC573是一种先进的高速
CMOS八路D型锁存器带3态
产出的非反相与制造
亚微米硅栅和双层金属
接线
2
MOS技术。
这8位D型锁存器由一个锁存控制
使能输入端(LE)和一个输出使能输入端(OE) 。
而对LE的输入被保持在高电平,则Q
输出将跟随输入的数据准确。当
在LE为低电平时, Q输出将被锁定
图1 :引脚连接和IEC逻辑符号
恰恰在D输入的数据的逻辑电平。而
的(OE)输入为低时, 8个输出将处于
正常的逻辑状态(高或低逻辑电平)和
而(OE )为高电平时,输出将是一个
高阻抗状态。
掉电保护提供所有输入
和0 7V可以在没有输入被接受
考虑到电源电压。这个装置可以是
用于连接5V至3V 。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路,使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2004年11月
启5
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74VHC573
图2 :输入等效电路
表2 :引脚说明
引脚n °
1
2, 3, 4, 5, 6,
7, 8, 9
12, 13, 14,
15, 16, 17,
18, 19
11
10
20
符号
OE
D0到D7
Q0到Q7
名称和功能
3态输出使能
输入(低电平有效)
数据输入
三态输出锁存器
LE
GND
V
CC
锁存使能输入
地( 0V )
正电源电压
表3 :真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
产量
Q
Z
NO CHANGE *
L
H
X:无关
Z:高阻
*: Q输出锁存时, LE输入为逻辑低电平的时间。
图3 :逻辑图
这个逻辑图,并没有被用来估计的传播延迟
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74VHC573
表4 :绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 20
±
20
±
25
±
75
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
表5 :推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间(注1 ) (V
CC
= 3.3
±
0.3V)
(V
CC
= 5.0
±
0.5V)
参数
价值
2至5.5
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-100
0-20
单位
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
从30%到V的70%
CC
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74VHC573
表7 : AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
(*)
3.3
(*)
5.0
(**)
5.0
(**)
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
D到Q
3.3
(*)
3.3
(*)
5.0
(**)
5.0
(**)
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
3.3
(*)
3.3
(*)
5.0
(**)
5.0
(**)
t
PLZ
t
PHZ
t
w
t
s
t
h
t
OSLH
t
OSHL
输出禁用
时间
脉冲宽度( LE )
高
设置时间D为LE
高或低
设置时间D为LE
高或低
输出到输出
偏移时间(注1 )
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
50
50
C
L
(PF )
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
50
50
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
7.6
10.1
5.0
6.5
7.0
9.5
4.5
6.0
7.3
9.8
5.2
6.7
10.7
6.7
马克斯。
11.9
15.4
7.7
9.7
11.0
14.5
6.8
8.8
11.5
15.0
7.7
9.7
14.5
9.7
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
1.5
1.0
价值
-40到85°C
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
1.5
1.0
-55到125°C
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
1.5
1.0
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
LE到Q
ns
ns
ns
ns
ns
( *)的电压范围为3.3V
±
0.3V
( ** )电压范围为5.0V
±
0.5V
注1 :参数通过设计保证。吨
soLH
= |t
PLHm
- t
PLHn
|, t
佐尔
= |t
PHLm
- t
PHLn
|
表8 :电容特性
测试条件
符号
参数
T
A
= 25°C
分钟。
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
(注1 )
典型值。
8
10
29
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 8 (每锁存器)
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