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74VHC573八D型锁存器带3态输出
1993年3月
修订后的1999年4月
74VHC573
八D型锁存器带3态输出
概述
该VHC573是一种先进的高速CMOS八进制锁存器
与3态输出与制造硅栅CMOS
技术。它实现了类似的高速操作
相当于双极肖特基TTL ,同时保持
CMOS的低功耗。这8位D型锁存器所配置
由锁存受控的使能输入(LE)和一个输出使能
输入端( OE) 。当OE输入为高电平时, 8个输出
处于高阻抗状态。
输入保护电路,确保0V至7V可以
施加到输入引脚没有考虑到电源电压
年龄。这种装置可以被用于连接5V至3V系统
和两个电源系统,如后备电池。该税务局局长
CUIT防止设备损坏,由于供应不匹配
和输入电压。
特点
s
高速:吨
PD
=
5.0纳秒(典型值),在V
CC
=
5V
s
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
(分钟)
s
掉电保护提供所有输入
s
低噪音: V
OLP
=
0.6V (典型值)
s
低功耗:我
CC
=
4
A
(最大值) @ T
A
=
25°C
s
引脚和功能与74HC573兼容
订购代码:
订单号
74VHC573M
74VHC573SJ
74VHC573MTC
74VHC573N
包装数
M20B
M20D
MTC20
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300 “宽
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300 “宽
表面贴装封装也可在磁带和卷轴。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
逻辑符号
IEEE / IEC
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
三态输出使能输入
三态输出
1999仙童半导体公司
DS011563.prf
www.fairchildsemi.com
74VHC573
功能说明
该VHC573包含八个D型锁存器带3态
输出缓冲器。当锁存使能( LE )输入为高电平,
在D个数据
n
输入端进入锁存器。在此条件下
锁存器是透明的,也就是说,锁存器输出将改变
说明每一次的D输入的变化。当LE为低电平时,
锁存器存储,这是存在于D中的信息
输入,设置时间前高至低跳变
的LE 。的三态缓冲器由所述输出控制
启用( OE )输入。当OE为低电平时,该缓冲器是
启用。当OE为高电平的缓冲器是处于高
阻抗模式,但是,这并不与进入干涉
新数据进入锁存器。
真值表
输入
OE
L
L
L
H
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
Z
=
高阻抗
输出
D
H
L
X
X
O
n
H
L
O
0
Z
LE
H
H
L
X
逻辑图
请注意,该图仅用于逻辑操作的理解提供的,不应该被用来估计的传播延迟。
www.fairchildsemi.com
2
74VHC573
绝对最大额定值
(注1 )
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
输入二极管电流(I
IK
)
输出二极管电流
直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
/ GND电流(I
CC
)
存储温度(T
英镑
)
引线温度(T
L
)
(焊接, 10秒)
260°C
0.5V
to
+7.0V
0.5V
to
+7.0V
0.5V
到V
CC
+0.5V
20
mA
±20
mA
±25
mA
±75
mA
65°C
to
+150°C
推荐工作
条件
(注2 )
电源电压(V
CC
)
输入电压(V
IN
)
输出电压(V
OUT
)
工作温度(T
OPR
)
输入上升和下降时间(t
r
, t
f
)
V
CC
=
3.3V
±
0.3V
V
CC
=
5.0V
±
0.5V
0
为100 ns / V
0
20纳秒/ V
2.0V至
+5.5V
0V至
+5.5V
0V至V
CC
40°C
to
+85°C
注1 :
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。本数据手册规范
系统蒸发散应满足,无例外地,以确保系统的设计是
在可靠的电源,温度和输入/输出负载VARI-
冷杉。飞兆半导体没有外界数据手册规范操作建议
系统蒸发散。
注2 :
未使用的输入必须保持高电平或低电平他们可能不浮动。
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
V
OL
低电平输出
电压
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
I
OZ
I
IN
I
CC
三态输出
FF-态电流
输入漏电流
静态电源电流
0
5.5
5.5
±0.1
4.0
±1.0
40.0
A
A
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.25
2.0
3.0
4.5
T
A
=
25°C
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±2.5
V
A
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
8毫安
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
OUT
=
V
CC
或GND
V
IN
=
5.5V或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
V
V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OL
=
50
A
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 8
mA
V
典型值
最大
T
A
= 40°C
to
+85°C
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
最大
单位
V
V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
= 50 A
条件
噪声特性
符号
V
OLP
(注3)
V
OLV
(注3)
V
IHD
(注3)
V
ILD
(注3)
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
5.0
T
A
=
25°C
典型值
0.9
0.8
范围
1.2
1.0
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
条件
C
L
=
50 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
50 pF的
注3 :
参数设计保证来。
3
www.fairchildsemi.com
74VHC573
AC电气特性
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟
时间( LE与O
n
)
5.0
±
0.5
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间(D -O
n
)
5.0
±
0.5
t
PZL
t
PZH
三态输出
启用时间
5.0
±
0.5
t
PLZ
t
PHZ
t
OSLH
t
OSHL
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容
功耗
电容
注4 :
参数设计保证来。吨
OSLH
=
|t
PLH最大
t
PLH分钟
|; t
OSHL
=
|t
PHL最大
t
PHL分钟
|
注5 :
C
PD
被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。平均
工作电流可以通过下式得到:我
CC
( OPR )。
=
C
PD
* V
CC
* f
IN
+
I
CC
/ 8 (每锁存器) 。全碳
PD
件时。的锁存动作可以是
由下式算出:C
PD
(总)
=
21
+
8n.
V
CC
(V)
3.3
±
0.3
T
A
=
25°C
典型值
7.6
10.1
5.0
6.5
7.0
9.5
4.5
6.0
7.3
9.8
5.2
6.7
10.7
6.7
最大
11.9
15.4
7.7
9.7
11.0
14.5
6.8
8.8
11.5
15.0
7.7
9.7
14.5
9.7
1.5
1.0
4
6
29
10
T
A
= 40°C
to
+85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11.0
1.5
1.0
10
单位
ns
ns
条件
C
L
=
15 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
15 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
15 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
15 pF的
C
L
=
50 pF的
R
L
=
1 k
C
L
=
15 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
15 pF的
C
L
=
50 pF的
R
L
=
1 k
(注4 )
V
CC
=
开放
V
CC
=
5.0V
(注5 )
C
L
=
50 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
50 pF的
C
L
=
50 pF的
3.3
±
0.3
ns
3.3
±
0.3
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
三态输出
禁止时间
输出到输出偏斜
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
AC操作要求
符号
t
w
(H)
t
w
(L)
t
S
t
H
最小脉冲
宽度( LE )
最小建立时间
最小保持时间
参数
V
CC
(V)
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
T
A
=
25°C
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
典型值
最大
T
A
= 40°C
to
+85°C
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
最大
单位
ns
ns
ns
www.fairchildsemi.com
4
74VHC573
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300 “宽
包装数M20B
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
包装数量M20D
5
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74VHC573八D型锁存器带3态输出
2007年5月
74VHC573
八D型锁存器带3态输出
特点
高速:吨
PD
=
5.0ns (典型值)在V
CC
=
5V
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
(分)
掉电保护提供所有输入
低噪音: V
OLP
=
0.6V (典型值)。
低功耗:我
CC
=
4μA (最大值) @ T
A
=
25°C
引脚和功能与74HC573兼容
tm
概述
该VHC573是一种先进的高速CMOS八进制
与3态输出与制造硅栅锁
CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL并保
泰宁的CMOS低功耗。这8位
D型锁存由锁存使能输入控制( LE)的
和一个输出使能输入( OE ) 。当OE输入
高电平时, 8输出处于高阻抗状态。
输入保护电路,确保0V至7V可以
施加到输入引脚不考虑供应
电压。这种装置可以被用于连接5V到3V
系统和两个电源系统,如电池背面
了。该电路可以防止因误装置的破坏
匹配的供给电压和输入电压。
订购信息
订单号
74VHC573M
74VHC573SJ
74VHC573MTC
M20B
M20D
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米
WIDE
表面贴装封装也可在磁带和卷轴。通过附加的后缀字母“X”的指定
订购数量。根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
三态输出使能输入
三态输出
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
74VHC573八D型锁存器带3态输出
逻辑符号
IEEE / IEC
功能说明
该VHC573包含八个D型锁存器
3态输出缓冲器。当锁存使能( LE )
输入为高电平时,在D个数据
n
输入端进入锁存器。
在这种条件下,锁存器是透明的,即,锁存器
输出将每次的D输入的变化而变化的状态。
当LE为低电平时,锁存器存储的信息
是目前在D输入,设置时间前
HIGH到LOW LE的过渡。三态缓冲器
由输出使能( OE )输入控制。当OE
低时,缓冲器被启用。当OE为高电平的
缓冲器是处于高阻抗状态,但是,这并
不干扰输入新的数据进入锁存器。
真值表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
O
n
H
L
O
0
Z
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
Z
=
高阻抗
逻辑图
请注意,该图仅用于逻辑操作的理解提供的,不应该被用来
估计传播延迟。
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
2
74VHC573八D型锁存器带3态输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/ GND电流
储存温度
参数
等级
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
–20mA
±20mA
±25mA
±75mA
-65 ° C至+ 150°C
260°C
引线温度(焊接, 10秒)
推荐工作条件
(1)
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间,
V
CC
=
3.3V ± 0.3V
V
CC
=
5.0V ± 0.5V
参数
等级
2.0V至+ 5.5V
0V至+ 5.5V
0V至V
CC
-40 ° C至+ 85°C
0ns/V
100ns/V
0ns/V
20ns/V
注意:
1.未使用的输入必须保持高电平或低电平。他们可能不浮动。
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
3
74VHC573八D型锁存器带3态输出
DC电气特性
T
A
=
25°C
符号
V
IH
V
IL
V
OH
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
马克斯。
分钟。
1.50
0.7× V
CC
0.50
0.50
0.3× V
CC
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
V
V
参数
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高层
输出电压
V
CC
(V)
2.0
3.0–5.5
2.0
3.0–5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
条件
分钟。
1.50
0.7× V
CC
典型值。
马克斯。
单位
V
0.3× V
CC
V
IN
=
V
IH
I
OH
=
–50A
或V
IL
1.9
2.9
4.4
I
OH
=
–4mA
I
OH
=
–8mA
V
IN
=
V
IH
I
OL
=
50A
或V
IL
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
I
OL
=
4mA
I
OL
=
8mA
V
IN
=
V
IH
或V
IL
,
V
OUT
=
V
CC
或GND
V
IN
=
5.5V或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.25
±0.1
4.0
2.0
3.0
4.5
V
OL
低层
输出电压
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±2.5
±1.0
40.0
V
I
OZ
I
IN
I
CC
三态输出
FF-态电流
输入漏
当前
静态电源
当前
5.5
0–5.5
5.5
A
A
A
噪声特性
T
A
=
25°C
符号
V
OLP(2)
V
OLV(2)
V
IHD(2)
V
ILD(2)
参数
安静输出最大
动态V
OL
安静的输出最低
动态V
OL
最低高层
动态输入电压
最大低电平
动态输入电压
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
5.0
条件
C
L
=
50pF
C
L
=
50pF
C
L
=
50pF
C
L
=
50pF
典型值。
0.9
–0.8
范围
1.2
–1.0
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
注意:
2.参数由设计保证。
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
4
74VHC573八D型锁存器带3态输出
AC电气特性
T
A
=
25°C
符号
t
PLH
, t
PHL
T
A
=
–40°C
至+ 85°C
马克斯。
11.9
15.4
7.7
9.7
11.0
14.5
6.8
8.8
11.5
15.0
7.7
9.7
14.5
9.7
1.5
1.0
参数
传播延迟
时间( LE与O
n
)
V
CC
(V)
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
条件
C
L
=
15pF
C
L
=
50pF
C
L
=
15pF
C
L
=
50pF
C
L
=
15pF
C
L
=
50pF
C
L
=
15pF
C
L
=
50pF
R
L
=
1k
C
L
=
15pF
C
L
=
50pF
C
L
=
15pF
C
L
=
50pF
R
L
=
1k
(3)
分钟。
典型值。
7.6
10.1
5.0
6.5
7.0
9.5
4.5
6.0
7.3
9.8
5.2
6.7
10.7
6.7
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11.0
1.5
1.0
10
单位
ns
t
PLH
, t
PHL
传播延迟
时间(D -O
n
)
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
ns
t
PZL
, t
PZH
三态输出
启用时间
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
ns
t
PLZ
, t
PHZ
三态输出
禁止时间
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
C
L
=
50pF
C
L
=
50pF
C
L
=
50pF
C
L
=
50pF
ns
ns
pF
pF
pF
t
OSLH
, t
OSHL
输出到输出
SKEW
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容
功耗
电容
V
CC
=
开放
V
CC
=
5.0V
(4)
4
6
29
10
注意事项:
3.参数设计保证。吨
OSLH
=
|t
PLH最大
– t
PLH分钟
|; t
OSHL
=
|t
PHL最大
– t
PHL分钟
|
4. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。平均工作电流可以由下式得到:
I
CC
( OPR )。
=
C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 8 (每锁存器) 。全碳
PD
件时。的锁存动作可以是
由下式算出:C
PD
(总)
=
21 + 8n.
AC操作要求
V
CC
(V)
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
t
S
t
H
最小建立时间
最小保持时间
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
T
A
=
25°C
分钟。
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
T
A
=
-40 ° C至
+85°C
马克斯。
分钟。
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
ns
ns
符号
参数
典型值。
马克斯。
单位
ns
t
w
(H ),叔
w
( L)最小脉冲宽度( LE )
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
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