74VHC573八D型锁存器带3态输出
2007年5月
74VHC573
八D型锁存器带3态输出
特点
■
高速:吨
PD
=
5.0ns (典型值)在V
CC
=
5V
■
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
(分)
■
掉电保护提供所有输入
■
低噪音: V
OLP
=
0.6V (典型值)。
■
低功耗:我
CC
=
4μA (最大值) @ T
A
=
25°C
■
引脚和功能与74HC573兼容
tm
概述
该VHC573是一种先进的高速CMOS八进制
与3态输出与制造硅栅锁
CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL并保
泰宁的CMOS低功耗。这8位
D型锁存由锁存使能输入控制( LE)的
和一个输出使能输入( OE ) 。当OE输入
高电平时, 8输出处于高阻抗状态。
输入保护电路,确保0V至7V可以
施加到输入引脚不考虑供应
电压。这种装置可以被用于连接5V到3V
系统和两个电源系统,如电池背面
了。该电路可以防止因误装置的破坏
匹配的供给电压和输入电压。
订购信息
订单号
74VHC573M
74VHC573SJ
74VHC573MTC
包
数
M20B
M20D
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米
WIDE
表面贴装封装也可在磁带和卷轴。通过附加的后缀字母“X”的指定
订购数量。根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
三态输出使能输入
三态输出
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
74VHC573八D型锁存器带3态输出
逻辑符号
IEEE / IEC
功能说明
该VHC573包含八个D型锁存器
3态输出缓冲器。当锁存使能( LE )
输入为高电平时,在D个数据
n
输入端进入锁存器。
在这种条件下,锁存器是透明的,即,锁存器
输出将每次的D输入的变化而变化的状态。
当LE为低电平时,锁存器存储的信息
是目前在D输入,设置时间前
HIGH到LOW LE的过渡。三态缓冲器
由输出使能( OE )输入控制。当OE
低时,缓冲器被启用。当OE为高电平的
缓冲器是处于高阻抗状态,但是,这并
不干扰输入新的数据进入锁存器。
真值表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
O
n
H
L
O
0
Z
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
Z
=
高阻抗
逻辑图
请注意,该图仅用于逻辑操作的理解提供的,不应该被用来
估计传播延迟。
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
2
74VHC573八D型锁存器带3态输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/ GND电流
储存温度
参数
等级
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
–20mA
±20mA
±25mA
±75mA
-65 ° C至+ 150°C
260°C
引线温度(焊接, 10秒)
推荐工作条件
(1)
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间,
V
CC
=
3.3V ± 0.3V
V
CC
=
5.0V ± 0.5V
参数
等级
2.0V至+ 5.5V
0V至+ 5.5V
0V至V
CC
-40 ° C至+ 85°C
0ns/V
100ns/V
0ns/V
20ns/V
注意:
1.未使用的输入必须保持高电平或低电平。他们可能不浮动。
1993年仙童半导体公司
74VHC573版本1.3
www.fairchildsemi.com
3
74VHC573八D型锁存器带3态输出
1993年3月
修订后的2005年5月
74VHC573
八D型锁存器带3态输出
概述
该VHC573是一种先进的高速CMOS八进制锁存器
与3态输出与制造硅栅CMOS
技术。它实现了类似的高速操作
相当于双极肖特基TTL ,同时保持
CMOS的低功耗。这8位D型锁存器所配置
由锁存受控的使能输入(LE)和一个输出使能
输入端( OE) 。当OE输入为高电平时, 8个输出
处于高阻抗状态。
输入保护电路,确保0V至7V可以
施加到输入引脚没有考虑到电源电压
年龄。这种装置可以被用于连接5V至3V系统
和两个电源系统,如后备电池。该税务局局长
CUIT防止设备损坏,由于供应不匹配
和输入电压。
特点
s
高速:吨
PD
5.0纳秒(典型值),在V
CC
V
NIL
5V
s
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
s
低噪音: V
OLP
28% V
CC
(分钟)
s
掉电保护提供所有输入
0.6V (典型值)
4
P
A(最大值) @ T
A
25
q
C
s
低功耗:我
CC
s
引脚和功能与74HC573兼容
订购代码:
订单号
74VHC573M
74VHC573SJ
74VHC573MTC
74VHC573N
包装数
M20B
M20D
MTC20
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
无铅20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300"宽
表面贴装封装也可在磁带和卷轴。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
逻辑符号
IEEE / IEC
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
2005仙童半导体公司
描述
数据输入
锁存使能输入
三态输出使能输入
三态输出
DS011563
www.fairchildsemi.com
74VHC573
功能说明
该VHC573包含八个D型锁存器带3态
输出缓冲器。当锁存使能( LE )输入为高电平,
在D个数据
n
输入端进入锁存器。在此条件下
锁存器是透明的,也就是说,锁存器输出将改变
说明每一次的D输入的变化。当LE为低电平时,
锁存器存储,这是存在于D中的信息
输入,设置时间前高至低跳变
的LE 。的三态缓冲器由所述输出控制
启用( OE )输入。当OE为低电平时,该缓冲器是
启用。当OE为高电平的缓冲器是处于高
阻抗模式,但是,这并不与进入干涉
新数据进入锁存器。
真值表
输入
OE
L
L
L
H
H亮电压电平
l低电压电平
X无形
Z高阻抗
输出
D
H
L
X
X
O
n
H
L
O
0
Z
LE
H
H
L
X
逻辑图
请注意,该图仅用于逻辑操作的理解提供的,不应该被用来估计的传播延迟。
www.fairchildsemi.com
2
74VHC573
绝对最大额定值
(注1 )
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
输入二极管电流(I
IK
)
输出二极管电流
直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
/ GND电流(I
CC
)
存储温度(T
英镑
)
引线温度(T
L
)
(焊接, 10秒)
260
q
C
0.5V至
7.0V
0.5V至
7.0V
0.5V至V
CC
0.5V
20毫安
r
20毫安
r
25毫安
r
75毫安
65
q
C到
150
q
C
推荐工作
条件
(注2 )
电源电压(V
CC
)
输入电压(V
IN
)
输出电压(V
OUT
)
工作温度(T
OPR
)
输入上升和下降时间(t
r
, t
f
)
V
CC
V
CC
3.3V
r
0.3V
5.0V
r
0.5V
0
a
为100 ns / V
0
a
20纳秒/ V
2.0V至
5.5V
0V至
5.5V
0V至V
CC
40
q
C到
85
q
C
注1 :
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。本数据手册规范
系统蒸发散应满足,无例外地,以确保系统的设计是
在可靠的电源,温度和输入/输出负载VARI-
冷杉。飞兆半导体没有外界数据手册规范操作建议
系统蒸发散。
注2 :
未使用的输入必须保持高电平或低电平他们可能不浮动。
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
V
OL
低电平输出
电压
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
I
OZ
I
IN
I
CC
三态输出
FF-态电流
输入漏电流
静态电源电流
0
5.5
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
2.0
3.0
4.5
T
A
民
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
V
I
OL
I
OL
V
IN
V
OUT
V
IN
V
IN
V
IH
或V
IL
V
CC
或GND
5.5V或GND
V
CC
或GND
4毫安
8毫安
V
V
IN
V
IH
或V
IL
I
OL
50
P
A
V
I
OH
I
OH
25
q
C
典型值
最大
T
A
40
q
C到
85
q
C
最大
民
1.50
0.7 V
CC
单位
V
条件
0.50
0.3 V
CC
V
V
V
IN
V
IH
或V
IL
I
OH
50
P
A
4毫安
8毫安
r
0.25
r
0.1
4.0
r
2.5
r
1.0
40.0
P
A
P
A
P
A
噪声特性
符号
V
OLP
(注3)
V
OLV
(注3)
V
IHD
(注3)
V
ILD
(注3)
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
5.0
T
A
典型值
0.9
25
q
C
范围
1.2
单位
V
V
V
V
C
L
C
L
C
L
C
L
条件
50 pF的
50 pF的
50 pF的
50 pF的
0.8
1.0
3.5
1.5
注3 :
参数设计保证来。
3
www.fairchildsemi.com
74VHC573
AC电气特性
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟
时间( LE与O
n
)
5.0
r
0.5
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间(D -O
n
)
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
t
PZL
t
PZH
三态输出
启用时间
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
t
PLZ
t
PHZ
t
OSLH
t
OSHL
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容
功耗
电容
注4 :
参数设计保证来。吨
OSLH
|t
PLH最大
t
PLH分钟
|; t
OSHL
|t
PHL最大
t
PHL分钟
|
注5 :
C
PD
被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。平均
工作电流可以通过下式得到:我
CC
( OPR 。 )C
PD
* V
CC
* f
IN
I
CC
/ 8 (每锁存器) 。全碳
PD
件时。的锁存动作可以是
由下式算出:C
PD
(总) 21
8n.
V
CC
(V)
3.3
r
0.3
T
A
民
25
q
C
典型值
7.6
10.1
5.0
6.5
7.0
9.5
4.5
6.0
7.3
9.8
5.2
6.7
10.7
6.7
最大
11.9
15.4
7.7
9.7
11.0
14.5
6.8
8.8
11.5
15.0
7.7
9.7
14.5
9.7
1.5
1.0
4
6
29
10
T
A
40
q
C到
85
q
C
最大
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11.0
1.5
1.0
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
民
单位
ns
ns
条件
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
R
L
1 k
:
C
L
C
L
C
L
C
L
R
L
1 k
:
C
L
C
L
(注4 )
V
CC
V
CC
开放
5.0V
C
L
C
L
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
50 pF的
50 pF的
50 pF的
50 pF的
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
三态输出
禁止时间
输出到输出偏斜
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
(注5 )
AC操作要求
符号
t
w
(H)
t
w
(L)
t
S
t
H
最小脉冲
宽度( LE )
最小建立时间
最小保持时间
参数
V
CC
(V)
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
3.3
r
0.3
5.0
r
0.5
T
A
民
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
25
q
C
典型值
最大
T
A
40
q
C到
85
q
C
最大
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
民
单位
ns
ns
ns
www.fairchildsemi.com
4
74VHC573
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
包装数M20B
5
www.fairchildsemi.com
74VHC573
八路D型锁存器
具有三态输出的非反相
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速:吨
PD
= 5.0 ns(典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:
I
CC
= 4
A
( MAX 。 )在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分)
掉电保护输入端上的
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 8 MA( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V至5.5V
引脚和功能兼容
74系列573
改进的闭锁抗扰度
低噪音: V
OLP
= 0.9V (最大)
SOP
TSSOP
表1 :订购代码
包
SOP
TSSOP
T&R
74VHC573MTR
74VHC573TTR
描述
该74VHC573是一种先进的高速
CMOS八路D型锁存器带3态
产出的非反相与制造
亚微米硅栅和双层金属
接线
2
MOS技术。
这8位D型锁存器由一个锁存控制
使能输入端(LE)和一个输出使能输入端(OE) 。
而对LE的输入被保持在高电平,则Q
输出将跟随输入的数据准确。当
在LE为低电平时, Q输出将被锁定
图1 :引脚连接和IEC逻辑符号
恰恰在D输入的数据的逻辑电平。而
的(OE)输入为低时, 8个输出将处于
正常的逻辑状态(高或低逻辑电平)和
而(OE )为高电平时,输出将是一个
高阻抗状态。
掉电保护提供所有输入
和0 7V可以在没有输入被接受
考虑到电源电压。这个装置可以是
用于连接5V至3V 。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路,使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2004年11月
启5
1/14
74VHC573
图2 :输入等效电路
表2 :引脚说明
引脚n °
1
2, 3, 4, 5, 6,
7, 8, 9
12, 13, 14,
15, 16, 17,
18, 19
11
10
20
符号
OE
D0到D7
Q0到Q7
名称和功能
3态输出使能
输入(低电平有效)
数据输入
三态输出锁存器
LE
GND
V
CC
锁存使能输入
地( 0V )
正电源电压
表3 :真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
产量
Q
Z
NO CHANGE *
L
H
X:无关
Z:高阻
*: Q输出锁存时, LE输入为逻辑低电平的时间。
图3 :逻辑图
这个逻辑图,并没有被用来估计的传播延迟
2/14
74VHC573
表4 :绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 20
±
20
±
25
±
75
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
表5 :推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间(注1 ) (V
CC
= 3.3
±
0.3V)
(V
CC
= 5.0
±
0.5V)
参数
价值
2至5.5
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-100
0-20
单位
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
从30%到V的70%
CC
3/14
74VHC573
表7 : AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
(*)
3.3
(*)
5.0
(**)
5.0
(**)
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
D到Q
3.3
(*)
3.3
(*)
5.0
(**)
5.0
(**)
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
3.3
(*)
3.3
(*)
5.0
(**)
5.0
(**)
t
PLZ
t
PHZ
t
w
t
s
t
h
t
OSLH
t
OSHL
输出禁用
时间
脉冲宽度( LE )
高
设置时间D为LE
高或低
设置时间D为LE
高或低
输出到输出
偏移时间(注1 )
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
50
50
C
L
(PF )
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
50
50
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
7.6
10.1
5.0
6.5
7.0
9.5
4.5
6.0
7.3
9.8
5.2
6.7
10.7
6.7
马克斯。
11.9
15.4
7.7
9.7
11.0
14.5
6.8
8.8
11.5
15.0
7.7
9.7
14.5
9.7
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
1.5
1.0
价值
-40到85°C
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
1.5
1.0
-55到125°C
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。
14.0
17.5
9.0
11.0
13.0
16.5
8.0
10.0
13.5
17.0
9.0
11.0
16.5
11
5.0
5.0
3.5
3.5
1.5
1.5
1.5
1.0
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
LE到Q
ns
ns
ns
ns
ns
( *)的电压范围为3.3V
±
0.3V
( ** )电压范围为5.0V
±
0.5V
注1 :参数通过设计保证。吨
soLH
= |t
PLHm
- t
PLHn
|, t
佐尔
= |t
PHLm
- t
PHLn
|
表8 :电容特性
测试条件
符号
参数
T
A
= 25°C
分钟。
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
(注1 )
典型值。
8
10
29
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 8 (每锁存器)
5/14